【讲个故事】
古时候皇帝缺钱了，盯上了当铺，于是和当铺商量，我把你查封了，存你这里的银子我拿三分之二，你拿三分之一，表面上我把你发配充军，实际你拿钱走路如何？当铺老板想想靠收利息，几辈子也挣不了这么多钱: 好，成交。
然后当铺老板因为违规操作被查封，老板跑路了，资产由于来源不合法被充公。
W2W在设计之初，……就准备好如何收尾了 。
古代朝廷无法大量汇集百姓的资产，那么就找些人出面搞W2W等各种理财项目，当时为了增信，一些古代官员和古代专家出面为各种古代金融产品站台，随后，…
有些项目人直接被拉去了喝茶了，有些人则带上分到的部分利益离开中国了。。
这就是古代朝廷圈钱的故事之一。
古时候皇帝缺钱了，盯上了当铺，于是和当铺商量，我把你查封了，存你这里的银子我拿三分之二，你拿三分之一，表面上我把你发配充军，实际你拿钱走路如何？当铺老板想想靠收利息，几辈子也挣不了这么多钱: 好，成交。
然后当铺老板因为违规操作被查封，老板跑路了，资产由于来源不合法被充公。
W2W在设计之初，……就准备好如何收尾了 。
古代朝廷无法大量汇集百姓的资产，那么就找些人出面搞W2W等各种理财项目，当时为了增信，一些古代官员和古代专家出面为各种古代金融产品站台，随后，…
有些项目人直接被拉去了喝茶了，有些人则带上分到的部分利益离开中国了。。
这就是古代朝廷圈钱的故事之一。
CMOS图像传感器的3D堆叠技术 https://t.cn/Rmkftuu
为了加速影像数据处理， 业界研发了在互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器中配备嵌入式动态随机存取存储器(DRAM)，推出了配备DRAM的三层堆叠式CMOS影像传感器。
3D堆叠技术
3D 堆叠技术是把不同功能的芯片或结构, 通过堆叠技术和过孔互连等微机械加工技术, 使其在 Z轴方向上形成立体集成和信号连通以及圆片级、芯片级、硅帽封装等封装和可靠性技术为目标的三维立体堆叠加工技术, 用于微系统集成, 是继片上系统( SOC) 、多芯片模块( MCM ) 之后发展起来的系统级封装( SiP/ SoP) 的先进制造新技术。
微电子的模块已经实现 3D 圆片级封装( WLP)的 系统级封 装 ( SiP ) 技术, 例如, CIS RF 模块、M EM S 封装、标准器件封装, 已有量产, 2009 年开始 3D TSV 堆叠时代( 3D TSV Stack Era ) 的到来，模块化芯片、闪存及 DRAM , 通过堆叠以获得增强的内存容量。
3D 堆叠的主要形式和分类
目前有多种基于 3D 堆叠方法, 主要包括: 芯片与芯片的堆叠( D2D) 、芯片与圆片的堆叠( D2W ) 以及圆片与圆片的堆叠( W2W) 。
D2D 堆叠方式是当前系统级封装( SiP) 方式的主要互联方式, 该堆叠方法主要利用引线键合的方式, 实现3D 方向芯片间的互联, 如图( a) 所示。 D2D 方式虽然可以实现3D 堆叠, 提高系统集成度, 但由于主要使用引线键合方式互联, 限制了系统集成度进一步提高, 并由于引线会引入寄生效应, 降低了 3D 系统的性能;
D2W 堆叠方式利用芯片分别与圆片相应功能位置实现3D 堆叠,如图( b) 所示, 该种方式主要利用 flip-chip( 倒装)方式和bump( 置球) 键合方式, 实现芯片与圆片电极的互联, 该方式与 D2D 方式相比, 具有更高的互联密度和性能, 并且与高性能的 flip-chip 键合机配合,可以获得较高的生产效率；
W2W 堆叠方式利用圆片与圆片键合, 实现3D 堆叠, 在圆片键合过程中, 利用 TSV 实现信号的互联, 如图( c) 所示, 该种方式具有互联密度高、成本低并且可同时实现圆片级封装( WLP) 的优点, 可以实现 AD、I/ O、传感器等多功能器件的混合集成。
对于 D2W 和 W2W 堆叠方式,从生产效率的角度, W 2W 方式效率最高, 但从成品率角度考虑, 由于 D2W 方式可以通过筛选, 实现合格芯片( Know good die, KGD) 之间的堆叠, 因此成品率较高; 而 W2W 方式, 无法通过实现事先筛选,会严重影响堆叠的成品率。
对于 W2W 堆叠方式, 必须严格控制芯片及 3D 堆叠工艺的成品率, 否则, 随着堆叠层数的增加, 成品率将大幅下降。 对于一个需要 3 层的堆叠工艺来说, 必须将圆片成品率及层叠成品率均控制在 98%以上, 才可能获得 90%以上的 3D 堆叠成品率。
层间互联技术——TSV
从微电子技术的发展趋势看, 基于 TSV 技术的3D 堆叠技术, 将是微电子技术发展的必然趋势, 但也面临许多技术挑战, 如 TSV 技术、超薄片加工技术( 临时键合、减薄等) 、异质键合技术、层间对准技术等等, 其中, TSV 技术最为关键。
穿透硅通孔( TSV) 将在先进的三维集成电路( 3D IC) 设计中提供多层芯片之间的互连功能, 是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通, 实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC 封装键合和使用凸点的叠加技术不同, TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、外形尺寸最小, 并且大大改善芯片速度和降低功耗的性能。
采用硅通孔技术( TSVs) 的堆叠器件
TSV 与目前应用于多层互连的通孔有所不同,一方面 TSV 通孔的直径通常仅为为 1～100 μm , 深度 10～400 μm, 为集成电路或者其他多功能器件的高密度混合集成提供可能; 另一方面, 它们不仅需要穿透组成叠层电路的各种材料, 还需要穿透很厚的硅衬底, 因此对通孔的刻蚀技术具有较高的要求。目前制造商们正在考虑的多种三维集成方案, 也需要多种尺寸的T SV 与之配合。 等离子刻蚀技术已经广泛应用于存储器和 MEM S 生产的深硅刻蚀工艺, 同样也非常适合于制造 TSV。
利用3D 堆叠技术实现微系统, 是未来发展的必然趋势, 是突破摩尔定律发展的必然选择。其中利用MEMS 技术实现 TSV 互连, 是该技术的核心技术,必须重点解决与突破。
为了加速影像数据处理， 业界研发了在互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器中配备嵌入式动态随机存取存储器(DRAM)，推出了配备DRAM的三层堆叠式CMOS影像传感器。
3D堆叠技术
3D 堆叠技术是把不同功能的芯片或结构, 通过堆叠技术和过孔互连等微机械加工技术, 使其在 Z轴方向上形成立体集成和信号连通以及圆片级、芯片级、硅帽封装等封装和可靠性技术为目标的三维立体堆叠加工技术, 用于微系统集成, 是继片上系统( SOC) 、多芯片模块( MCM ) 之后发展起来的系统级封装( SiP/ SoP) 的先进制造新技术。
微电子的模块已经实现 3D 圆片级封装( WLP)的 系统级封 装 ( SiP ) 技术, 例如, CIS RF 模块、M EM S 封装、标准器件封装, 已有量产, 2009 年开始 3D TSV 堆叠时代( 3D TSV Stack Era ) 的到来，模块化芯片、闪存及 DRAM , 通过堆叠以获得增强的内存容量。
3D 堆叠的主要形式和分类
目前有多种基于 3D 堆叠方法, 主要包括: 芯片与芯片的堆叠( D2D) 、芯片与圆片的堆叠( D2W ) 以及圆片与圆片的堆叠( W2W) 。
D2D 堆叠方式是当前系统级封装( SiP) 方式的主要互联方式, 该堆叠方法主要利用引线键合的方式, 实现3D 方向芯片间的互联, 如图( a) 所示。 D2D 方式虽然可以实现3D 堆叠, 提高系统集成度, 但由于主要使用引线键合方式互联, 限制了系统集成度进一步提高, 并由于引线会引入寄生效应, 降低了 3D 系统的性能;
D2W 堆叠方式利用芯片分别与圆片相应功能位置实现3D 堆叠,如图( b) 所示, 该种方式主要利用 flip-chip( 倒装)方式和bump( 置球) 键合方式, 实现芯片与圆片电极的互联, 该方式与 D2D 方式相比, 具有更高的互联密度和性能, 并且与高性能的 flip-chip 键合机配合,可以获得较高的生产效率；
W2W 堆叠方式利用圆片与圆片键合, 实现3D 堆叠, 在圆片键合过程中, 利用 TSV 实现信号的互联, 如图( c) 所示, 该种方式具有互联密度高、成本低并且可同时实现圆片级封装( WLP) 的优点, 可以实现 AD、I/ O、传感器等多功能器件的混合集成。
对于 D2W 和 W2W 堆叠方式,从生产效率的角度, W 2W 方式效率最高, 但从成品率角度考虑, 由于 D2W 方式可以通过筛选, 实现合格芯片( Know good die, KGD) 之间的堆叠, 因此成品率较高; 而 W2W 方式, 无法通过实现事先筛选,会严重影响堆叠的成品率。
对于 W2W 堆叠方式, 必须严格控制芯片及 3D 堆叠工艺的成品率, 否则, 随着堆叠层数的增加, 成品率将大幅下降。 对于一个需要 3 层的堆叠工艺来说, 必须将圆片成品率及层叠成品率均控制在 98%以上, 才可能获得 90%以上的 3D 堆叠成品率。
层间互联技术——TSV
从微电子技术的发展趋势看, 基于 TSV 技术的3D 堆叠技术, 将是微电子技术发展的必然趋势, 但也面临许多技术挑战, 如 TSV 技术、超薄片加工技术( 临时键合、减薄等) 、异质键合技术、层间对准技术等等, 其中, TSV 技术最为关键。
穿透硅通孔( TSV) 将在先进的三维集成电路( 3D IC) 设计中提供多层芯片之间的互连功能, 是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通, 实现芯片之间互连的最新技术。 与以往的IC 封装键合和使用凸点的叠加技术不同, TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、外形尺寸最小, 并且大大改善芯片速度和降低功耗的性能。
采用硅通孔技术( TSVs) 的堆叠器件
TSV 与目前应用于多层互连的通孔有所不同,一方面 TSV 通孔的直径通常仅为为 1～100 μm , 深度 10～400 μm, 为集成电路或者其他多功能器件的高密度混合集成提供可能; 另一方面, 它们不仅需要穿透组成叠层电路的各种材料, 还需要穿透很厚的硅衬底, 因此对通孔的刻蚀技术具有较高的要求。目前制造商们正在考虑的多种三维集成方案, 也需要多种尺寸的T SV 与之配合。 等离子刻蚀技术已经广泛应用于存储器和 MEM S 生产的深硅刻蚀工艺, 同样也非常适合于制造 TSV。
利用3D 堆叠技术实现微系统, 是未来发展的必然趋势, 是突破摩尔定律发展的必然选择。其中利用MEMS 技术实现 TSV 互连, 是该技术的核心技术,必须重点解决与突破。
Welcome to Warwick helpers❤️So blessed to be part of this team and meeting many amazing people and foster lots of new friendships! W2W won't be great without you guys! Thanks for making me feel like a fresher again and for fulfilling my wish to participate in some of the events which I was yet to do and have lots of fun nights!! Cheers!
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