网友：老公的同事在华为工作5年多，还停留在15级，年薪勉强达到50万，还包括了年终奖，前几年拿到手的更少。这两年年终奖每年涨了70%到80%，算下来基本工资并不高。
老公没去华为之前，我以为那里面工作的人大部分都年薪百万。慢慢地才了解，在华为18级是一个重大的门槛，很多人眼看着一脚快要跨进去了，突然又被扯了一下后腿，止步原地，百万俱乐部不是传说，却也难以上青天。至少一半以上的人，即使是工作好多年，依旧是14-17级，上升缓慢。
也难怪很多人说，在华为的前3年非常的难熬，工作强度高，涨薪困难，这是在华为的第一道坎，很多人临阵而逃。
也有的人属于一路升级打怪兽，顺风顺水地就进了百万俱乐部。老公的高中校友从研究生毕业之后就校招进去华为，基本工资对他来说只是一个小数目，每年的分红比工资还要多。
年终奖同样如此，非常的给力。也许要不了多久，这位同学就迈进了千万俱乐部，我们这些普通人也只能仰视一番。毕竟，这需要靠实力来说话。
老公是通过社招进去的，同级别里面，他的工资算高的。所以这几年涨薪幅度并不大，也是慢慢熬出来的。过了18级之后，再想往上提升，那必须付出双倍的努力。
简单来说，出差可能变多，以前只要守在南京就可以，升级之后就需要全国各地四处跑，有可能十天半个月都不着家。
有一部分人不止是出差，还得出国，尤其是一些经济欠发达国家，需要这些技术人才去指导。当然，这里面给出的补助不会少，综合待遇会有大幅度的提升。
可以这么说，有家属在华为工作，对于家庭的付出，你只能指望他挣得相对不错的物质，其他的不要去奢望。
对于中年人来说，没有哪项工作是轻松的。既想要挣得高薪，又想要多抽出时间来陪同家人，这原本就不是多选题，很多时间只能二选一。
老公在华为的这几年，肉眼可见的疲惫和老去，听他说得最多的一个字就是累。钱挣得越来越多，时间却越来越少，只能自己一个人扛下去。
老公说，还好，至少在华为工作，物质上得到的回报还算丰厚，自己不去努力，将来小孩和老人都要吃苦。咬紧牙关再去坚持几年，也许过了45岁以后就能实现提前退休，只要身体还算健康，这一切都是值得的。
任正非有一句名言：什么是人才？我看最典型的华为人都不是人才，钱给多了，不是人才也变成了人才。他的主张就是：好员工，拿钱砸啊。
每个社会打工人都很不容易，你看到的是他们高薪的表面，看不到背后的付出，是在拿身体健康做博弈。他们其实也算三高人群：高收入、高强度、高风险，您能理解华为这样的工作和薪资模式吗？（九九随心记）
对此你有什么看法？#新星v计划#
老公没去华为之前，我以为那里面工作的人大部分都年薪百万。慢慢地才了解，在华为18级是一个重大的门槛，很多人眼看着一脚快要跨进去了，突然又被扯了一下后腿，止步原地，百万俱乐部不是传说，却也难以上青天。至少一半以上的人，即使是工作好多年，依旧是14-17级，上升缓慢。
也难怪很多人说，在华为的前3年非常的难熬，工作强度高，涨薪困难，这是在华为的第一道坎，很多人临阵而逃。
也有的人属于一路升级打怪兽，顺风顺水地就进了百万俱乐部。老公的高中校友从研究生毕业之后就校招进去华为，基本工资对他来说只是一个小数目，每年的分红比工资还要多。
年终奖同样如此，非常的给力。也许要不了多久，这位同学就迈进了千万俱乐部，我们这些普通人也只能仰视一番。毕竟，这需要靠实力来说话。
老公是通过社招进去的，同级别里面，他的工资算高的。所以这几年涨薪幅度并不大，也是慢慢熬出来的。过了18级之后，再想往上提升，那必须付出双倍的努力。
简单来说，出差可能变多，以前只要守在南京就可以，升级之后就需要全国各地四处跑，有可能十天半个月都不着家。
有一部分人不止是出差，还得出国，尤其是一些经济欠发达国家，需要这些技术人才去指导。当然，这里面给出的补助不会少，综合待遇会有大幅度的提升。
可以这么说，有家属在华为工作，对于家庭的付出，你只能指望他挣得相对不错的物质，其他的不要去奢望。
对于中年人来说，没有哪项工作是轻松的。既想要挣得高薪，又想要多抽出时间来陪同家人，这原本就不是多选题，很多时间只能二选一。
老公在华为的这几年，肉眼可见的疲惫和老去，听他说得最多的一个字就是累。钱挣得越来越多，时间却越来越少，只能自己一个人扛下去。
老公说，还好，至少在华为工作，物质上得到的回报还算丰厚，自己不去努力，将来小孩和老人都要吃苦。咬紧牙关再去坚持几年，也许过了45岁以后就能实现提前退休，只要身体还算健康，这一切都是值得的。
任正非有一句名言：什么是人才？我看最典型的华为人都不是人才，钱给多了，不是人才也变成了人才。他的主张就是：好员工，拿钱砸啊。
每个社会打工人都很不容易，你看到的是他们高薪的表面，看不到背后的付出，是在拿身体健康做博弈。他们其实也算三高人群：高收入、高强度、高风险，您能理解华为这样的工作和薪资模式吗？（九九随心记）
对此你有什么看法？#新星v计划#
【卖方研报】宏微科技调研纪要
团队介绍：
公司主要创始人为国家八五和九五规划时期IGBT攻关负责人，是国家最早进行IGBT的研发人员，从事IGBT研发35年以上。核心研发团队来自国内外从事IGBT和FRED的研发工作的人员，具备15年以上的从业经验。
公司模式及主营业务：
公司集芯片设计、模块封装测试和技术服务于一体，有自己的设计团队及四个代工厂。公司IGBT、FRED产品系列丰富，主营业务上，功率半导体行业前景广阔，从发电到输电的每一个环节都需要有对应的技术对接和技术处理，都需要功率半导体支撑，根据不同的频率和功率，功率半导体可应用于不同的场景。分立器件中，公司模块个性化较强，具有一定的技术门槛。
公司优势：
以技术主导的产品公司，参与国家行业标准的制定，公司参与起草多项国家标准项目，承担了国家多个科技科研项目，技术实力得到较大认可。公司与国内外高校的进行合作，是高新技术产业化示范基地。
产品链完整，包括芯片、模块，产品线齐全，包括IGBT、FRED等产品。为客户提供芯片定制、double定制以及模块定制。
IGBT：06年公司成立后，07年承担国家十一五重点项目，在10年率先推出平面型的NPT结构，是我国第一个把IGBT产业化的公司，成功研发出新型芯片，和华虹联合打造平面型的IGBT。公司在13年、18年分别推出了第2、3代IGBT。第3代的IGBT相当于英飞凌的第4代，性能完全一致。19年提出了第4代，对标的是英飞凌的EDT2产品 ,使用的是MPT技术，公司在国内率先发展。目前第5代产品已推出，第6代产品为第7代的推出奠定基础。整体来看，公司IGBT发展第一是追逐国际最先进的技术，第二是对标国际最成熟的产品。
FRED：对标英飞凌的产品。
模块芯片：产能在450万套，出口至欧美及日本。
客户群庞大，包括海尔、美的家用电器、电视机以及医疗器械都是公司的客户群，客户质量优质，均为来自各行各业的头部企业。
未来发展战略：
发展方向：新能源、风能及电动汽车等行业是公司产品的发展方向。电动汽车行业今年截至目前全国已卖122万辆，今年7月份销售28万辆，对比去年110万辆，增长率显著。
研发方向：未来将主要从IGBT和FRED如何将功率做得更大更高方面进行技术上的创新。RCMD公司目前已经做出样品，还在优化阶段。企业定制包括光伏和新能源汽车等方面。
公司亮点：
团队产业化经验丰富，主要人员有35年以上在行业核心技术上的产业经验
技术实力强，技术先进，如FRED技术的领先性，
产品丰富，产品线丰富、齐全。
Q&A
Q：公司对行业景气度的判断？
A：公司从事的是功率半导体，产品需求较为旺盛。一方面，短期上，国产机上国产芯片的使用量增加，国产替代势头较好；同时，光伏产业的成长带动IGBT使用量增长迅速。另一方面，碳中和的提出将带来核心的技术蜕变，推动芯片产业几十年的发展。
Q：公司未来三五年希望成长到什么样的水平？
A：公司在成长上会乘势而为，包括产品系列化，技术不断先进，客户战略合作，不断发挥公司产品优势。如在汽车A型车方面，预计销售收入增长50%，通过环境和公司十五年的沉淀积累，相信目标一定能够实现。
Q：IGBT芯片现在及明年的代工产能是多少？模块9月份的产能及明年的产能指引是多少？
A：IGBT芯片有国内国外各有一个工厂，目前正在国内开发第三个工厂，目前的产能未能需求。第三个工厂开发较为顺利，明年来讲应该可以补充现有产能。另一方面12寸产能进展比较顺利。
Q: 模块9月份的产能及明年的产能指引是多少？
A：模块产能上月产能为42万块，按月报希望年底扩充5-10万。外包产业的话，一般需要半年时间，目前的表现到明年可以兑现，大约是60万-100万。总体上看，公司目前处于快速发展的时期，对产能非常重视，不只是芯片，外壳等方方面面都会有具体计划和措施以保证明年的产能。
Q：公司产能分布？
A：公司产能分两块组成，第一部分是老厂，今年可以增加150万产能，第二部分为招股说明书中的募投项目，规划产能为340万套。公司下半年年底将有80万套/月的产能，具体情况以公开披露信息为准。
Q：海外工厂被收购后产能是否会受到影响？
A：第一，公司与国外代工厂于2020年7月份签署了三年的合作协议；第二，公司积极地与合作方沟通，希望能够增加产能；第三，考虑到未来可能遇到的风险，公司也在国内开发了第三个代工厂，目前进展顺利。我们希望国外代工厂不会对公司产生影响，即使有影响，也不会太大。
Q：芯片工艺的研发模式大概是什么样?
A：特殊工艺的设计开发出来后就会申请知识产权保护。相对MPT平台通用的知识产权，具体划分由代工厂决定。
Q：MPT平台是在国内？
A:是在国内。一开始是共同开发也是最早的平台。现有产品第四代、第五代、第六代、第七代都是在MPT平台上完成的，不能透露客户具体的情况。从650V到1200V，多品种多系列。目前较多的是650V的，但从今年来看是750V的更多，即A级车、B级车多一些。
Q：对新能源IGBT模块的规划？
A：与公司合作定制受技术保护，不希望一些模块公之于众。
Q：对A0级、A00级、A级、B级车的具体规划路线？
A：650V用在A0、AOO级车上，会继续做但不会作为发展重点，重点会放在750V的IGBT，目前750V有一部分是外国公司做的，考虑到一些A、B型及新能源车是外国客户，目前一些客户在测试，测试结果也不错，希望能逐步实现国产替代
。另外目前也有定制化，我们目前一款芯片是全球最大企业定制的。从芯片到封装以及与客户的战略合作，我们都在做。碳化硅目前已有一条线，二期将有两次。
Q：车规级IGBT，未来出货量及收入的展望？未来能达到什么量级？客户拓展方向？
A：在A型车上发力。定点车型有15个，定点车厂有4-5个。从2023年开始，量会逐渐增长，有的国外的是到2025年，我们希望2022年在750V
IGBT上有一定的量。汽车产品追求极致的成本、性能，与客户合作定制才能到达目标，这是宏微的优势。定制化产品需要3-4年才能在市场上体现，定制量最大的是台达，从2013年开始到2017年才参与。
Q：台达的定制模块专线的规模有没有扩大？
A：台达公司每年有百分之十几的增长，15%左右。今年我们每个月8至18%不等、去年大约是2%的增长率。增长率还会增加，台达定制化模块增量还是很大。
Q：台达芯片占比从50%多增加到62%，比例增加是因你的售价降低还是成本提升呢？
A：台达的定制模块中英飞凌芯片的占比在增加，是因为每年产品结构不同，之前产品结构中的英飞凌芯片数量与工艺有问题，目前看起来占比变高了，但是销售总额也在增加。
Q：新增的线中有给台达的专线吗？
A：会有的。台达目前是在老厂赚钱，未来会更赚，国外也有两个在开发。
Q：与A客户合作的光伏IGBT产品具体是什么？A客户预计能给公司带来多少收入？
A：A客户在招股说明书中未披露，在上市答疑环节中描述过相关问题，关于A客户的销售情况目前未向前五大股东汇报。与A客户从去年底开始商量，今年快速增长，明年更快，说明整个行业需求很大。具体看年报。IGBT技术要求非常高，既要求开模快也不能太快，太快了有干扰。我们的产品适应力较强。
Q：公司IGBT模块产品与英飞凌、斯达半导、士兰微、中车、比亚迪等在产品性能、可靠性、研发实力、创新有什么区别？
A：国内市场需求很大，全球市场有几百亿美金，市场规模不是一两个供应商能满足的，全联合起来也不到30亿。与友商各有各的优势，我们要做好自己在A型车上的优势，更好地满足客户需求。
Q：A客户IGBT芯片一定要用英飞凌的吗？
A：A客户百分百都是我们自己的芯片。
Q：碳化硅封装方面采购是否有规划？
A：碳化硅方面整个产业链都具备，但仍让存在差距，目前在国外有三家合作公司。
Q：IGBT领域，新能源汽车需求很大，国产化自给率能否保持往上？
A：国产化是一个趋势，首先我们要不断追赶，技术进步。第二是产业文化，第三要与车主紧密合作。
Q：公司将来的人才储备情况？
A：上市之后花费更大的成本招募国际上优秀的人才，从16年开始团队进行了重组，团队整体技术实力很好。
Q：公司的芯片用在哪些产品上？今年的出货和产品情况？
A：产能方面目前产能无法满足光伏大的需求，明年要如何保障产能是一个考虑的问题。
Q：行业里工控，电源，新能源车的毛利率情况？之后的是更偏向于工控还是汽车？
A：会一直很关注工控，但会把研发重点放在一些新的领域，比如说新能源。工控一直是很稳定，毛利率偏低，所以会希望开发一些新的领域。
Q：作为Fabless公司如何和IDM公司竞争，后期工艺上有没有定制产线的可能性？
A：首先我们和代工厂的合作关系非常好，他们给予很大的支持，第二我们和代工厂的合作非常默契。未来可能会根据企业发展阶段选择自主性更大的经营模式，保障客户的供应。
Q：公司在光伏放量的竞争优势？
A：明年只要有产能就能放量，并且明年的产能一定比今年大很多，保持今年的增长趋势。同时我们在客户服务和定制化方面也有很强大的团队。核心方面，我们从07年开始接触，一直把重心放在实验室研发上。
Q：很多厂商对光伏规划几倍增长，实际的需求是怎样的？
A：几倍增长不止，有的甚至说10倍增长。一是政策因素，二是国产的进步，所以市场相当大，一年至少两三倍。
Q：介绍一下明年客户定制化情况？定制化高性能技术实现的性价比可以和目前标准化的产品进行比较吗？
A：定制化是为了解决客户痛点，每个客户的情况不同，所以有的厂需要很久的时间有的很快，通过定制化方案客户和公司的性价比都能提高。
团队介绍：
公司主要创始人为国家八五和九五规划时期IGBT攻关负责人，是国家最早进行IGBT的研发人员，从事IGBT研发35年以上。核心研发团队来自国内外从事IGBT和FRED的研发工作的人员，具备15年以上的从业经验。
公司模式及主营业务：
公司集芯片设计、模块封装测试和技术服务于一体，有自己的设计团队及四个代工厂。公司IGBT、FRED产品系列丰富，主营业务上，功率半导体行业前景广阔，从发电到输电的每一个环节都需要有对应的技术对接和技术处理，都需要功率半导体支撑，根据不同的频率和功率，功率半导体可应用于不同的场景。分立器件中，公司模块个性化较强，具有一定的技术门槛。
公司优势：
以技术主导的产品公司，参与国家行业标准的制定，公司参与起草多项国家标准项目，承担了国家多个科技科研项目，技术实力得到较大认可。公司与国内外高校的进行合作，是高新技术产业化示范基地。
产品链完整，包括芯片、模块，产品线齐全，包括IGBT、FRED等产品。为客户提供芯片定制、double定制以及模块定制。
IGBT：06年公司成立后，07年承担国家十一五重点项目，在10年率先推出平面型的NPT结构，是我国第一个把IGBT产业化的公司，成功研发出新型芯片，和华虹联合打造平面型的IGBT。公司在13年、18年分别推出了第2、3代IGBT。第3代的IGBT相当于英飞凌的第4代，性能完全一致。19年提出了第4代，对标的是英飞凌的EDT2产品 ,使用的是MPT技术，公司在国内率先发展。目前第5代产品已推出，第6代产品为第7代的推出奠定基础。整体来看，公司IGBT发展第一是追逐国际最先进的技术，第二是对标国际最成熟的产品。
FRED：对标英飞凌的产品。
模块芯片：产能在450万套，出口至欧美及日本。
客户群庞大，包括海尔、美的家用电器、电视机以及医疗器械都是公司的客户群，客户质量优质，均为来自各行各业的头部企业。
未来发展战略：
发展方向：新能源、风能及电动汽车等行业是公司产品的发展方向。电动汽车行业今年截至目前全国已卖122万辆，今年7月份销售28万辆，对比去年110万辆，增长率显著。
研发方向：未来将主要从IGBT和FRED如何将功率做得更大更高方面进行技术上的创新。RCMD公司目前已经做出样品，还在优化阶段。企业定制包括光伏和新能源汽车等方面。
公司亮点：
团队产业化经验丰富，主要人员有35年以上在行业核心技术上的产业经验
技术实力强，技术先进，如FRED技术的领先性，
产品丰富，产品线丰富、齐全。
Q&A
Q：公司对行业景气度的判断？
A：公司从事的是功率半导体，产品需求较为旺盛。一方面，短期上，国产机上国产芯片的使用量增加，国产替代势头较好；同时，光伏产业的成长带动IGBT使用量增长迅速。另一方面，碳中和的提出将带来核心的技术蜕变，推动芯片产业几十年的发展。
Q：公司未来三五年希望成长到什么样的水平？
A：公司在成长上会乘势而为，包括产品系列化，技术不断先进，客户战略合作，不断发挥公司产品优势。如在汽车A型车方面，预计销售收入增长50%，通过环境和公司十五年的沉淀积累，相信目标一定能够实现。
Q：IGBT芯片现在及明年的代工产能是多少？模块9月份的产能及明年的产能指引是多少？
A：IGBT芯片有国内国外各有一个工厂，目前正在国内开发第三个工厂，目前的产能未能需求。第三个工厂开发较为顺利，明年来讲应该可以补充现有产能。另一方面12寸产能进展比较顺利。
Q: 模块9月份的产能及明年的产能指引是多少？
A：模块产能上月产能为42万块，按月报希望年底扩充5-10万。外包产业的话，一般需要半年时间，目前的表现到明年可以兑现，大约是60万-100万。总体上看，公司目前处于快速发展的时期，对产能非常重视，不只是芯片，外壳等方方面面都会有具体计划和措施以保证明年的产能。
Q：公司产能分布？
A：公司产能分两块组成，第一部分是老厂，今年可以增加150万产能，第二部分为招股说明书中的募投项目，规划产能为340万套。公司下半年年底将有80万套/月的产能，具体情况以公开披露信息为准。
Q：海外工厂被收购后产能是否会受到影响？
A：第一，公司与国外代工厂于2020年7月份签署了三年的合作协议；第二，公司积极地与合作方沟通，希望能够增加产能；第三，考虑到未来可能遇到的风险，公司也在国内开发了第三个代工厂，目前进展顺利。我们希望国外代工厂不会对公司产生影响，即使有影响，也不会太大。
Q：芯片工艺的研发模式大概是什么样?
A：特殊工艺的设计开发出来后就会申请知识产权保护。相对MPT平台通用的知识产权，具体划分由代工厂决定。
Q：MPT平台是在国内？
A:是在国内。一开始是共同开发也是最早的平台。现有产品第四代、第五代、第六代、第七代都是在MPT平台上完成的，不能透露客户具体的情况。从650V到1200V，多品种多系列。目前较多的是650V的，但从今年来看是750V的更多，即A级车、B级车多一些。
Q：对新能源IGBT模块的规划？
A：与公司合作定制受技术保护，不希望一些模块公之于众。
Q：对A0级、A00级、A级、B级车的具体规划路线？
A：650V用在A0、AOO级车上，会继续做但不会作为发展重点，重点会放在750V的IGBT，目前750V有一部分是外国公司做的，考虑到一些A、B型及新能源车是外国客户，目前一些客户在测试，测试结果也不错，希望能逐步实现国产替代
。另外目前也有定制化，我们目前一款芯片是全球最大企业定制的。从芯片到封装以及与客户的战略合作，我们都在做。碳化硅目前已有一条线，二期将有两次。
Q：车规级IGBT，未来出货量及收入的展望？未来能达到什么量级？客户拓展方向？
A：在A型车上发力。定点车型有15个，定点车厂有4-5个。从2023年开始，量会逐渐增长，有的国外的是到2025年，我们希望2022年在750V
IGBT上有一定的量。汽车产品追求极致的成本、性能，与客户合作定制才能到达目标，这是宏微的优势。定制化产品需要3-4年才能在市场上体现，定制量最大的是台达，从2013年开始到2017年才参与。
Q：台达的定制模块专线的规模有没有扩大？
A：台达公司每年有百分之十几的增长，15%左右。今年我们每个月8至18%不等、去年大约是2%的增长率。增长率还会增加，台达定制化模块增量还是很大。
Q：台达芯片占比从50%多增加到62%，比例增加是因你的售价降低还是成本提升呢？
A：台达的定制模块中英飞凌芯片的占比在增加，是因为每年产品结构不同，之前产品结构中的英飞凌芯片数量与工艺有问题，目前看起来占比变高了，但是销售总额也在增加。
Q：新增的线中有给台达的专线吗？
A：会有的。台达目前是在老厂赚钱，未来会更赚，国外也有两个在开发。
Q：与A客户合作的光伏IGBT产品具体是什么？A客户预计能给公司带来多少收入？
A：A客户在招股说明书中未披露，在上市答疑环节中描述过相关问题，关于A客户的销售情况目前未向前五大股东汇报。与A客户从去年底开始商量，今年快速增长，明年更快，说明整个行业需求很大。具体看年报。IGBT技术要求非常高，既要求开模快也不能太快，太快了有干扰。我们的产品适应力较强。
Q：公司IGBT模块产品与英飞凌、斯达半导、士兰微、中车、比亚迪等在产品性能、可靠性、研发实力、创新有什么区别？
A：国内市场需求很大，全球市场有几百亿美金，市场规模不是一两个供应商能满足的，全联合起来也不到30亿。与友商各有各的优势，我们要做好自己在A型车上的优势，更好地满足客户需求。
Q：A客户IGBT芯片一定要用英飞凌的吗？
A：A客户百分百都是我们自己的芯片。
Q：碳化硅封装方面采购是否有规划？
A：碳化硅方面整个产业链都具备，但仍让存在差距，目前在国外有三家合作公司。
Q：IGBT领域，新能源汽车需求很大，国产化自给率能否保持往上？
A：国产化是一个趋势，首先我们要不断追赶，技术进步。第二是产业文化，第三要与车主紧密合作。
Q：公司将来的人才储备情况？
A：上市之后花费更大的成本招募国际上优秀的人才，从16年开始团队进行了重组，团队整体技术实力很好。
Q：公司的芯片用在哪些产品上？今年的出货和产品情况？
A：产能方面目前产能无法满足光伏大的需求，明年要如何保障产能是一个考虑的问题。
Q：行业里工控，电源，新能源车的毛利率情况？之后的是更偏向于工控还是汽车？
A：会一直很关注工控，但会把研发重点放在一些新的领域，比如说新能源。工控一直是很稳定，毛利率偏低，所以会希望开发一些新的领域。
Q：作为Fabless公司如何和IDM公司竞争，后期工艺上有没有定制产线的可能性？
A：首先我们和代工厂的合作关系非常好，他们给予很大的支持，第二我们和代工厂的合作非常默契。未来可能会根据企业发展阶段选择自主性更大的经营模式，保障客户的供应。
Q：公司在光伏放量的竞争优势？
A：明年只要有产能就能放量，并且明年的产能一定比今年大很多，保持今年的增长趋势。同时我们在客户服务和定制化方面也有很强大的团队。核心方面，我们从07年开始接触，一直把重心放在实验室研发上。
Q：很多厂商对光伏规划几倍增长，实际的需求是怎样的？
A：几倍增长不止，有的甚至说10倍增长。一是政策因素，二是国产的进步，所以市场相当大，一年至少两三倍。
Q：介绍一下明年客户定制化情况？定制化高性能技术实现的性价比可以和目前标准化的产品进行比较吗？
A：定制化是为了解决客户痛点，每个客户的情况不同，所以有的厂需要很久的时间有的很快，通过定制化方案客户和公司的性价比都能提高。
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
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