尊敬领导同志你们好，我们是吉林省长春市新立城水库棚户区改造建房的业主，今天我们诉求的问题是吉林省新立城水库管理局棚户区改造9年零8个月未果的有关事宜，我们的目的就是恳请有关领导同志来调查督促监督此事，为我们老百姓做主。
事情的具体经过如下:
一、根据吉林省长春市新立城水库职工所住棚户区的现状及国家政策，吉林省长春市新立城水库管理中心的领导班子于2012年年底着手进行棚改工作以及大多数职工无房的情况，与棚改户一并解决住房问题。
二、集资款项:无房职工从2012年至今，先后交了两次集资款。
1、无房职工于2012年12月13日每人首付12万元的集资款（此笔集资款由吉林省长春市水库管理中心开具收据并有吉林省长春市水库管理中心的公章），由长春市鸿基房地产开发有限公司承建楼房建筑，当时吉林省长春市水库管理中心领导班子对职工承诺2013年“五一”开工，三年入住。
2、事隔八年后，棚户区改造项目的楼房不但没建起来，棚户区依然存在，而且吉林省长春市水库管理中心又一次通知业主缴纳第二次集资款（此笔款项的收据上面有吉林省长春市水库管理中心和长春市鸿基房地产开发有限公司的双重公章）。可现在距离首次缴款已经9年零8个月，棚户区改造建房依然没建起来，棚户区依然存在，1个多亿的集资款也不知去向。
三、在此期间，为了解决老百姓的住房问题，棚改建楼，砍伐了大片林木作为建房用地，可开发商收完集资款后迟迟不动工，直到2018年8月份，长春市领导来新立城水库检查工作，业主向市领导反映了此问题，开发商才匆匆开工，地基打起来了，老百姓很高兴，以为给大家盖的。没想到开发商2年后把盖好的5栋楼以商品房的价钱对外出售，每平方米1万元以上，居然没有棚改的事。开发商打着棚改的幌子，利用棚改的名义审批土地，砍伐大片已经生长了几十年树木，在属于棚改的土地上建商品房出售，牟取暴利。开发商这种行为损害了几百户业主人的利益，他们的做法合理吗？
四、住房现状。现在的棚户区已经入住60年了，所处地势低洼，房子倒旳倒，塌的塌，雨季屋内进水，炎热潮湿，冬季房子透风寒冷难耐，很多住户单位都发了“房屋危险禁止居住”的警示牌，可没有房子又能到哪儿住呢？更令人齿寒的是9年零8个月，我们的住房已经破旧不堪，倒塌，存在危险，我父母一直在外租房居住，一直在等新房子下来，我的父亲苦苦等了9年零8个月，最终没有等到房子入住的那一天带着遗憾离开了人世，还有很多老职工体弱多病没能等到回迁的那一天，就带着遗憾离开了人世，最终连个说理的地方都找不到。
最后再一次跪请有关领导百忙之中来过问此事，体谅我们的疾苦，查清事实真相，为我们和带着遗憾离世的老百姓主持公道，早日改善大家的居住条件，让我们找到回家的路，感受到家的温暖，给我们一个能够遮风避雨的家。
新立城水库管理中心业主
事情的具体经过如下:
一、根据吉林省长春市新立城水库职工所住棚户区的现状及国家政策，吉林省长春市新立城水库管理中心的领导班子于2012年年底着手进行棚改工作以及大多数职工无房的情况，与棚改户一并解决住房问题。
二、集资款项:无房职工从2012年至今，先后交了两次集资款。
1、无房职工于2012年12月13日每人首付12万元的集资款（此笔集资款由吉林省长春市水库管理中心开具收据并有吉林省长春市水库管理中心的公章），由长春市鸿基房地产开发有限公司承建楼房建筑，当时吉林省长春市水库管理中心领导班子对职工承诺2013年“五一”开工，三年入住。
2、事隔八年后，棚户区改造项目的楼房不但没建起来，棚户区依然存在，而且吉林省长春市水库管理中心又一次通知业主缴纳第二次集资款（此笔款项的收据上面有吉林省长春市水库管理中心和长春市鸿基房地产开发有限公司的双重公章）。可现在距离首次缴款已经9年零8个月，棚户区改造建房依然没建起来，棚户区依然存在，1个多亿的集资款也不知去向。
三、在此期间，为了解决老百姓的住房问题，棚改建楼，砍伐了大片林木作为建房用地，可开发商收完集资款后迟迟不动工，直到2018年8月份，长春市领导来新立城水库检查工作，业主向市领导反映了此问题，开发商才匆匆开工，地基打起来了，老百姓很高兴，以为给大家盖的。没想到开发商2年后把盖好的5栋楼以商品房的价钱对外出售，每平方米1万元以上，居然没有棚改的事。开发商打着棚改的幌子，利用棚改的名义审批土地，砍伐大片已经生长了几十年树木，在属于棚改的土地上建商品房出售，牟取暴利。开发商这种行为损害了几百户业主人的利益，他们的做法合理吗？
四、住房现状。现在的棚户区已经入住60年了，所处地势低洼，房子倒旳倒，塌的塌，雨季屋内进水，炎热潮湿，冬季房子透风寒冷难耐，很多住户单位都发了“房屋危险禁止居住”的警示牌，可没有房子又能到哪儿住呢？更令人齿寒的是9年零8个月，我们的住房已经破旧不堪，倒塌，存在危险，我父母一直在外租房居住，一直在等新房子下来，我的父亲苦苦等了9年零8个月，最终没有等到房子入住的那一天带着遗憾离开了人世，还有很多老职工体弱多病没能等到回迁的那一天，就带着遗憾离开了人世，最终连个说理的地方都找不到。
最后再一次跪请有关领导百忙之中来过问此事，体谅我们的疾苦，查清事实真相，为我们和带着遗憾离世的老百姓主持公道，早日改善大家的居住条件，让我们找到回家的路，感受到家的温暖，给我们一个能够遮风避雨的家。
新立城水库管理中心业主
汽车功率半导体市场研究报告
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
1. 为什么要关注汽车功率半导体？
1.1 从传统燃油车到智能电动车，核心零部件出现巨大变化
电动车以驱动电机、动力电池、电控取代了传统汽油车“三大件”（发动机、变速箱和底盘），功率半导体成重要增量。
1.2 功率器件是电能转换与电路控制的核心
功率器件是电子装置电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电压和频率。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功 率控制等，同时具有节能功效。功率半导体器件广泛应用于移动通讯、消费电子、新能源汽车、轨道交通、工业控制、发电与 配电等电力、电子领域，涵盖低、中、高各个功率层级。
2. 当前关注的重点细分赛道是？
2.1 IGBT是功率器件最具发展前景的细分赛道
IGBT是功率半导体器件的一种：用于交流电和直流电的转换、变频，相当于电力电子领域的“CPU”，也是新能源应用的心脏， 属于功率器件领域门槛相对较高的赛道。
IGBT属于双极型、硅基功率半导体，具有耐高压特性。融合了BJT（Bipolar junction transistor，双极型三极管）和MOSFET 的性能优势，结构为MOSFET+一个BJT，高耐压为其优势，自落地以来在工业领域逐步替代MOSFET和BJT，目前广泛应用 于650-6500V的中高压领域，属于Si基功率器件领域最具发展前景的赛道。
2.2 IGBT属于功率器件领域壁垒相对较高的细分赛道
IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节，其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器 件，制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发，封装环节对产品可靠性要求高，应用环节客户验证周期长，综合看IGBT 属于壁垒较高的细分赛道。
2.2.1 芯片设计：
已迭代7代，核心是高功率密度和高稳定性。IGBT 芯片由于其工作在大电流、高电压的环境下，对可靠性要求较高，同时芯片设计需保证开通关断、抗短路能力和导通压降 （控制热量）三者处于均衡状态，芯片设计与参数调整优化十分特殊和复杂，因而对于新进入者而言研发门槛较高（看重研发 团队的设计经验）。
应用端迭代慢于研发端。IGBT应用端迭代节奏慢于研发端，目前市场主流水平相当于英飞凌第4代。由于IGBT属于电力电子领域的核心元器件， 客户在导入新一代IGBT产品时同样需经过较长的的验证周期，且并非所有应用场景都追求极致性能，因此每一代 IGBT芯片都拥有较长的生命周期。
2.2.2 晶圆制造：
IGBT制造的三大难点：背板减薄、激光退火、离子注入。IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS区别不大，但背面工艺要 求严苛（为了实现大功率化）。具体来说，背面工艺是在基于已 完成正面Device和金属Al层的基础上，将硅片通过机械减薄或特 殊减薄工艺（如Taiko、Temporary Bonding 技术）进行减薄处理， 然后对减薄硅片进行背面离子注入，在此过程中还引入了激光退 火技术来精确控制硅片面的能量密度。
特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度需要减薄到100-200μm， 对于要求较高的器件，甚至需要减薄到60~80μm。当硅片厚度减 到100-200μm的量级，后续的加工处理非常困难，硅片极易破碎 和翘曲。
从8寸到12寸有两个关键门槛：芯片厚度从120微米降低到80微米，翘曲现象更严重；背面高能离子注入（氢离子注入），容易导致裂片，对设备和 工艺要求更高。
2.2.3 模块封装：
IGBT模块重视散热及可靠性，封装环节附加值高。IGBT模块在实际应用中高度重视散热性能及产品可靠性，对模块 封装提出了更高要求。此外，不同下游应用对封装技术要求存在差异，其中车规级由于工作温度高同时还需考虑强振 动条件，其封装要求高于工业级和消费级。
设计优化、材料升级是封装技术进化的两个维度：
设计升级方面主要是：1）采用聚对二甲苯进行封装。聚对二甲苯具有极其优良的导电性能、耐热性、耐候性和化学稳定 性。2）采用低温银烧结和瞬态液相扩散焊接。在焊接工艺方面，低温银烧结技术、瞬态液相扩散焊接与传统的锡铅合金 焊接相比，导热性、耐热性更好，可靠性更高。
材料升级方面主要是：1）通过使用新的焊材，例如薄膜烧结、金烧结、胶水或甚至草酸银，来提升散热性能；2）通过 使用陶瓷散热片来增加散热性能；3）通过使用球形键合来提升散热性能。
3. 未来产业发展新趋势是？
3.1 SiC具有性能优
降低损耗、小型化、耐高温高压。
3.2 应用场景：导电型SiC主要应用于中高压功率器件。
目前 SiC 功率器件主要定位于功率在 1kw-500kw 之间、工作频率在 10KHz-100MHz之间的场景，特别是一些对于能量效率和空 间尺寸要求较高的应用。
3.3 行业痛点：价格远高于Si基器件，目前仍处于普及初期
尽管1990s SiC衬底就已经实现产业化，但可靠性和高成本限制了行业普及 。SiC功率器件成本远高于Si基功率器件，成本降低驱动逐步渗透：SiC 二极管：应用相对容易，和 Si 基产品价格差在3~5倍（650V价格差距小于1200V产品）。在比特币的蚂蚁挖矿机 的电源中有批量的商业应用，在高效能的(数据中心)电源、 PV、充电桩中已有不少应用。SiC MOSFET ：应用相对较难（如过快的开关带来高 dv/dt 问题），和 Si基产品价格差在6~8倍（1200V产品价格差 小于650V产品），在 PV 逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等逐步开始应用。
3.4 空间：18年SiC器件需求约4亿$，预计10年35倍扩张。
根据Omdia数据，2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元。预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美 元，对应9年CAGR为43%。驱动力包括：
需求端：1）特斯拉引领下，新能源汽车逐步开始使用SiC MOSFET，拉动庞大需求（我们预计是最大也是最重要的市场）， 2）电力设备等领域的带动。
供给端：1）产品技术升级，SiC衬底尺寸从4寸转向6寸，再向8寸升级；2）产能扩张后产生规模效应。
3.5 电动车：SiC优点在于可降低综合成本
直接成本增加：在逆变器中用SiC MOS替换IGBT，会增加约1~200美金的器件成本。其他成本降低：1）SiC 可使控制器效率提升 2%~8，进而降低电池成本。根据CASA，电动车每百公里电耗减少1kWh，电池 成本节约1500元（反之，同样的电池成本续航能力更强）。2）由于高频特性，配套的变压器、电感等磁性元件成本降低（电 感成本与频率成反比）。3）逆变器体积减小，降低其他材料成本。4）低功耗、高工作结温降低散热要求。电池容量更大的高端车型或电动大巴车，更容易率先引入SiC MOSFET。
3.6 产业链条：关键为衬底＋外延，约占器件成本的70%
制备需多道工艺，其中衬底和外延生长最关键。SiC器件的制备过程为：将SiC籽晶置于生长炉中制备晶体，通过切磨抛数道工 艺将其加工成SiC晶片作为衬底，后续在衬底基础上生长SiC外延或是GaN外延，最终经历IC设计、制造、封测三个环节形成相 应器件。
衬底制备难度最高，叠加外延后构成70%器件成本。SiC衬底的长晶温度需要2500℃，高温下的热场控制和均匀度控制难度极 高，非平衡态合成过程容易产生晶体缺陷，同时其制备过程缓慢（主流气相法需要3-4天），进而导致衬底的制备困难且高成 本，衬底（47%）和外延（23%）占器件总价值的70%。
3.7 产业格局：西方垄断衬底市场，Cree处于领先地位
Cree、II-VI及Rohm在SiC衬底领域居于领先位置。Cree、II-VI、Rohm为衬底研发及生产最早的企业，目前其工艺已 普遍转为6英寸晶片生产和8英寸研制工作，而国内厂商则以4英寸生产为主，6英寸技术尚未规模化生产。衬底尺寸提 升可有效降低器件制备成本，大直径晶片始终为市场发展方向。
报告节选：… https://t.cn/R9600FI
流水账——关于车展
上海车展前两天拉开帷幕了，对于我自己来说，稍微有些许小激动，有点想去的冲动。但可能已经找不回曾经那种心动的感觉了。。
记起自己最后一次在国内看车展已经是2012年了，一眨眼过去了9年。人生第一次去的时候还是在静安庄的老国展，那次印象虽然不深了，但通过翻相册中的冲洗照片还能找到一些回忆，老妈和表哥带着4岁的我从通州过去参加车展，让年幼的爱看我大爷送我那一打《汽车之友》的我大饱眼福[笑cry]。两年后的又一届北京车展，是最后在老国展举办的一次，因为地方太小，之后就变成零部件展的展馆了。说起那次没什么太多印象了，唯一深刻的是买了当届的DVD光盘以及照例在各品牌展台拿了很多宣传手册，虽然后来在家里堆着没什么卵用被处理掉了。
08年的北京车展，第一次正式在顺义的新国展举办。当时和我妈坐着新开通不久的5号线去天通苑北，然后搭乘了很久摆渡车才过去。记忆颇深，一车人一车人的拉。新国展占地面积确实大很多，那次看的很尽兴。凌志LF-A概念车，全球首发的Q5，以前没见过的新鲜货XC60，GLK，X6等等，以及自主品牌的逐渐崛起，试图努力将自己摘下抄袭的名号。 从早走到晚，看了一圈，贼爽。因为北京车展每一届都在4月中下旬召开(上海车展同理，只是单数年)，小学每次去都要找个借口请个病假啥的，翘课去，可见是真爱。10年那次是坐车去的，记得打车到三元桥然后坐着915路到花梨坎那边，然后下车走到国展。那次印象深刻的是保时捷Panamera，这款车刚诞生时跟宝马X6一样饱受争议，但过了这么多年这两款车早已被市场所认可，无疑都是成功的。还有当时的新卡宴，英菲尼迪QX56，一代神车R35 GTR，以及它的老冤家法拉利458 Italia等等等等。当时用像素并不高的小数码相机留下了很多影像。对于一个小汽车爱好者来讲，看车展最兴奋的无疑是能近距离接触自己从杂志上了解的新车了，更可以坐在里面去感受一下。当时每次从《名车志》和《中国汽车画报》等等看到V6与V8，自然吸气与涡轮增压，马力与扭矩，前驱后驱这些术语时，自己只有一点点浅显的概念，并不了解其背后的原理，更不用提压缩比，麦弗逊与多连杆悬架这些更复杂的概念了。但是在同学和大人面前能够一眼说出街上某某是什么车，大概什么级别，同级别有哪些竞品等等，无疑感到一种自豪感，哈哈哈。
再往后的一届，12年，应该是坐着刚开通不久的15号线一期去的，当时还是望京西始发，记得人满为患。那段时间自己对汽车关注度有所下降，所以印象没有之前深。记得有F30这代的新3系，宝马i8 Spyder(当时以为是概念车)，柯尼赛格Agera，VW新甲壳虫，迈凯轮MP4-12C，以及来丰田展台给GT86造势的AE86等等。当时看了头文字D后蛮受影响，对JDM车型有了近一步的认知。但我的心头爱一直还是德系性能车，V8的M-power和AMG永不泯灭！！
14年上了初中，因为课业原因没去。再后来看的车展就是出国了。去底特律车展看了三次，纽约车展看了一次，总体氛围跟国内还是区别蛮大的。美国人更关注实用性，参展的车并没那么多超跑和豪车等等，很多欧系品牌都不会去参展，可能是因为资金原因，也毕竟因为美帝更爱日本车。。不过还是有幸看到了福特GT的全球首发，包括Corvette ZR1，道奇的Hellcat系列，感受到了北美本土对性能车的理解。作为一个“老车迷”，面对未来新车行业向新能源的靠拢，内心还是蛮纠结的，毕竟心中的信仰一直是大排量燃油性能车。现在的内燃机技术已经很成熟，得益于新的排放标准，污染已经被控制的微乎其微。电动车一定是环保的嘛？对于未来他们报废后的电池回收，也是人们所面临的很严峻的环保问题，毕竟废旧锂电池的环境的污染极大。这个还是蛮有争议性的，有人说电动是一种伪环保，不是全无道理。新能源真正的未来应该是氢动力，真正的零污染。现在制氢技术已经有了，但是运输是个很大的问题。希望我有生之年能看到氢动力汽车的普及吧。
写了这么长的流水账，都是纸上谈兵。我没有自己亲自开过甚至长期开过新能源车，没有太多资格去从某些角度来评价它们。或许我们这代老车迷终将慢慢去接受它们的设计语言，以及接受未来各大厂家停止制造燃油车的事实。希望未来某天发达了，实现了财富自由后，能在世界某处没有限制燃油车的净土，找回曾经的梦想吧。
上海车展前两天拉开帷幕了，对于我自己来说，稍微有些许小激动，有点想去的冲动。但可能已经找不回曾经那种心动的感觉了。。
记起自己最后一次在国内看车展已经是2012年了，一眨眼过去了9年。人生第一次去的时候还是在静安庄的老国展，那次印象虽然不深了，但通过翻相册中的冲洗照片还能找到一些回忆，老妈和表哥带着4岁的我从通州过去参加车展，让年幼的爱看我大爷送我那一打《汽车之友》的我大饱眼福[笑cry]。两年后的又一届北京车展，是最后在老国展举办的一次，因为地方太小，之后就变成零部件展的展馆了。说起那次没什么太多印象了，唯一深刻的是买了当届的DVD光盘以及照例在各品牌展台拿了很多宣传手册，虽然后来在家里堆着没什么卵用被处理掉了。
08年的北京车展，第一次正式在顺义的新国展举办。当时和我妈坐着新开通不久的5号线去天通苑北，然后搭乘了很久摆渡车才过去。记忆颇深，一车人一车人的拉。新国展占地面积确实大很多，那次看的很尽兴。凌志LF-A概念车，全球首发的Q5，以前没见过的新鲜货XC60，GLK，X6等等，以及自主品牌的逐渐崛起，试图努力将自己摘下抄袭的名号。 从早走到晚，看了一圈，贼爽。因为北京车展每一届都在4月中下旬召开(上海车展同理，只是单数年)，小学每次去都要找个借口请个病假啥的，翘课去，可见是真爱。10年那次是坐车去的，记得打车到三元桥然后坐着915路到花梨坎那边，然后下车走到国展。那次印象深刻的是保时捷Panamera，这款车刚诞生时跟宝马X6一样饱受争议，但过了这么多年这两款车早已被市场所认可，无疑都是成功的。还有当时的新卡宴，英菲尼迪QX56，一代神车R35 GTR，以及它的老冤家法拉利458 Italia等等等等。当时用像素并不高的小数码相机留下了很多影像。对于一个小汽车爱好者来讲，看车展最兴奋的无疑是能近距离接触自己从杂志上了解的新车了，更可以坐在里面去感受一下。当时每次从《名车志》和《中国汽车画报》等等看到V6与V8，自然吸气与涡轮增压，马力与扭矩，前驱后驱这些术语时，自己只有一点点浅显的概念，并不了解其背后的原理，更不用提压缩比，麦弗逊与多连杆悬架这些更复杂的概念了。但是在同学和大人面前能够一眼说出街上某某是什么车，大概什么级别，同级别有哪些竞品等等，无疑感到一种自豪感，哈哈哈。
再往后的一届，12年，应该是坐着刚开通不久的15号线一期去的，当时还是望京西始发，记得人满为患。那段时间自己对汽车关注度有所下降，所以印象没有之前深。记得有F30这代的新3系，宝马i8 Spyder(当时以为是概念车)，柯尼赛格Agera，VW新甲壳虫，迈凯轮MP4-12C，以及来丰田展台给GT86造势的AE86等等。当时看了头文字D后蛮受影响，对JDM车型有了近一步的认知。但我的心头爱一直还是德系性能车，V8的M-power和AMG永不泯灭！！
14年上了初中，因为课业原因没去。再后来看的车展就是出国了。去底特律车展看了三次，纽约车展看了一次，总体氛围跟国内还是区别蛮大的。美国人更关注实用性，参展的车并没那么多超跑和豪车等等，很多欧系品牌都不会去参展，可能是因为资金原因，也毕竟因为美帝更爱日本车。。不过还是有幸看到了福特GT的全球首发，包括Corvette ZR1，道奇的Hellcat系列，感受到了北美本土对性能车的理解。作为一个“老车迷”，面对未来新车行业向新能源的靠拢，内心还是蛮纠结的，毕竟心中的信仰一直是大排量燃油性能车。现在的内燃机技术已经很成熟，得益于新的排放标准，污染已经被控制的微乎其微。电动车一定是环保的嘛？对于未来他们报废后的电池回收，也是人们所面临的很严峻的环保问题，毕竟废旧锂电池的环境的污染极大。这个还是蛮有争议性的，有人说电动是一种伪环保，不是全无道理。新能源真正的未来应该是氢动力，真正的零污染。现在制氢技术已经有了，但是运输是个很大的问题。希望我有生之年能看到氢动力汽车的普及吧。
写了这么长的流水账，都是纸上谈兵。我没有自己亲自开过甚至长期开过新能源车，没有太多资格去从某些角度来评价它们。或许我们这代老车迷终将慢慢去接受它们的设计语言，以及接受未来各大厂家停止制造燃油车的事实。希望未来某天发达了，实现了财富自由后，能在世界某处没有限制燃油车的净土，找回曾经的梦想吧。
✋热门推荐