(记录)电路 过压保护电路
过压保护电路设计的两个方向。
一、使用集成芯片做过压保护电路设计
此类芯片一般不仅仅具有过压保护功能,多数还集成了欠压,过流等功能于一体。具体芯片使用使用方法可参看具体数据手册,本文不讲集成芯片类作为讲解重点。
二、使用分立元器件搭
如下图 1 所示
图 1
电路实现原理如下:当 Vin 电压输入正常范围时,稳压二极管 D1 没有被击穿,,未进入稳压状态。流过电阻R1,R1的电流基本为0。三极管Q2的Vbe=0,此时Q2处于截止状态。MOS管Q1的Vgs由电阻R3,R4分压决定,PMOS管导通,即电源正常工作。当Vin输入大于正常输入电压,此时输入电压Vin>Vbr,稳压二极管被击穿,其上电压为Vbr。三极管Q2导通,Vce≈0,因此Q1的Vgs≈0,mos管关闭,电源电路断开,从而实现过压保护。
图 2
注:a、电路本身具有通用性,可以根据具体电路选择稳压二极管D1及R1的值,R1选取要注意,不能让流过D1的电流低于起稳定电流Iz,否则可能导致管子的稳定性能变差;
b、R3、R4要根据选取的mos管的Vgs来具体做调整,此处电路还有个风险,输入电压过大时可能会把mos管栅源击穿,可以考虑加一些防护,如上图 2 可做一些参考。
过压保护电路设计的两个方向。
一、使用集成芯片做过压保护电路设计
此类芯片一般不仅仅具有过压保护功能,多数还集成了欠压,过流等功能于一体。具体芯片使用使用方法可参看具体数据手册,本文不讲集成芯片类作为讲解重点。
二、使用分立元器件搭
如下图 1 所示
图 1
电路实现原理如下:当 Vin 电压输入正常范围时,稳压二极管 D1 没有被击穿,,未进入稳压状态。流过电阻R1,R1的电流基本为0。三极管Q2的Vbe=0,此时Q2处于截止状态。MOS管Q1的Vgs由电阻R3,R4分压决定,PMOS管导通,即电源正常工作。当Vin输入大于正常输入电压,此时输入电压Vin>Vbr,稳压二极管被击穿,其上电压为Vbr。三极管Q2导通,Vce≈0,因此Q1的Vgs≈0,mos管关闭,电源电路断开,从而实现过压保护。
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注:a、电路本身具有通用性,可以根据具体电路选择稳压二极管D1及R1的值,R1选取要注意,不能让流过D1的电流低于起稳定电流Iz,否则可能导致管子的稳定性能变差;
b、R3、R4要根据选取的mos管的Vgs来具体做调整,此处电路还有个风险,输入电压过大时可能会把mos管栅源击穿,可以考虑加一些防护,如上图 2 可做一些参考。
#棉花美娃娃[超话]# 来挂个人,首先您雷bjyx我理解,但是您这没分清事实就挂人有点离谱了吧[汗]其次我私信您本来想和你好好说但您并没有理我我姐妹用小号和你解释你也没有理他 其次ch是️,但仅凭一个表情包您怎么断定她就是水产了??您能不能搞清楚事实再发啊??p1是她挂我姐妹的vbp3是我姐妹解释的vbhttps://t.cn/A6XoPq1E
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