总是忍不住对男友发火，一冲动还提分手怎么办？
01
在看到这样一个问题：老对男友生气，一冲动还提分手，导致关系比较僵怎么办？
下面的回答中，很多人都把重点放在了“说分手”上，提到了随便说分手的严重后果。但我却觉得，这个问题的源头，不在于“说分手”，而是在于她“总忍不住发火”。
当一个人无法控制自己的情绪，抑制不住的愤怒，才会口不择言，伤害对方，进而破坏一段亲密关系。
02
那么我们为什么会情绪失控呢？是什么触动了我们的情绪，让我们抑制不住的发火呢？
我认为大体有这三种原因：
一：
情绪按钮
每个人的身上都会有一些情绪按钮，有时候可能是一句话，一个动作，一个物品就能够触动这个按钮。
比如说，一个人小时候总是被自己的母亲冷漠对待，在自己犯错误的时候，母亲总是骂她“没有一点用”，她当时的心情无疑是委屈的，愤怒的。于是长大后，每当她听到这样的一句话时，就会瞬间激起抵触，触发她的愤怒情绪。那么这就是她的“情绪按钮”。
每个人的情绪按钮，与她的生长环境和过往经历有关，当这个情绪按钮被触发的时候，她就容易陷入愤怒，情绪失控。
二：
生理变化引起情绪波动
女性在某些特殊时期，比如生理期、孕期、产褥期和更年期，因为身体的激素水平变化，从而引发情绪波动，变得暴躁易怒。
这个时候，她们常常会因为一个鸡毛蒜皮的小事，就大动肝火，大发雷霆，抑制不住的想发火。
三：
重大创伤事件
除此之外，有时候一些重大的创伤事件，也会给人心里留下阴影，导致情绪性的“不可根除”。
比如我之前有一个学员就是这样。她和男友在一起期间，男友有过一次出轨经历，这件事情给她的伤害很大，虽然最后的结果是以男友的悔过保证，跟对方彻底断清结束，她也选择了原谅，但这件事情在她心里一直都是一根刺。
在这件事情之后，虽然男友就再没犯过，但是她却一直耿耿于怀，只要对方在生活中跟自己有点小摩擦，有什么不顺她心意的地方，她就会再次想到他的背叛，想到他当初是多么的对不起自己，对对方破口大骂。
03
我们之所以频频情绪失控，肆意宣泄自己的愤怒情绪，除了这些原因之外，还因为有一些错误“情绪发泄”意识。
第一种：
发泄可以减轻愤怒
很多时候，我们都觉得情绪发泄可以减轻我们的愤怒。但实际上反复发泄愤怒情绪，只会导致对愤怒的耐受性不断增强，从而形成恶性循环。
也就是说，我们越是发泄愤怒，就越容易愤怒。因为当我们对别人或者环境表示不满而愤怒时，积聚的情绪得以宣泄，会获得一种超爽的体验。
这种快感会在潜意识中不断激起愤怒，仅是为了获得瞬间的快乐体验，这样有可能会造成“愤怒成瘾”。
第一种：
发泄就能得到想要的
很多人发泄的初衷，其实是想赢得对方的妥协，通过自己强硬的态度，去压制住对方。
但实际上，这种用发脾气的方式让别人顺从你，尊重你，是一种非常低级的控制，一旦超过对方所能够承担的负荷，或是对方形成了耐受，这种方式就会形成反效果。
由此可见，肆意的情绪宣泄和无法控制的情绪爆发，对于一段长期关系的维护和一段亲密关系的建立，毫无益处，弊端百出。
04
那么该如何避免这种行为，稳定自己的情绪呢？给大家提供三个方法：
一：
生理训练
很多专家建议用“数数法”来控制易暴的脾气，就是让快要发怒的人，在开口前先在心中默数，从一数到十，以平息和缓解自己的怒气，进而保持冷静，恢复理智，但也有人数到一百二十几，自己的情绪仍然没有得到缓解。
一位美国心理学家费尔德提出一种对控制脾气更有效的方法，叫“数颜色法”。
当你对某个人或者某件事感到怒不可遏时，停下手边的事，找个没人的地方，或者环顾四周的景物，然后开始默念：那是个白色的桌子，那是个红色的领带，那是个蓝色的手表，那是个镀金的钢笔······
然后数到十二个左右，开始辨识周围的颜色，这就是数颜色法。
它是用生理反应来控制心理反应，因为一个人发怒的时候，肾上腺素加速分泌会使我们的肌肉拉紧，血流加速，从而在心理上失去理智。
所以当你在气头上的时候，先不要忙着对恋人发脾气，而是下意识的用这种方法缓解情绪，强迫自己再度恢复灵敏的视觉功能，使大脑回归到理性状态。
当你数完之后，就会发现自己会恢复冷静，这个时候再去解决问题。
二：
心理暗示
记得有这样一个故事，大概意思是说一位家庭主妇在家门口挂了一个木牌，写着“进门前，请脱去烦恼，回家时，带快乐回来”，因为这个木牌的提示，她的家庭充满幸福和快乐。
这种提醒就是心理暗示，暗示自己时刻保持着快乐的姿态，带给家人正面情绪而不是负面情绪。即使心有不悦，也要用合适的方式向爱人倾诉，而不是用争吵来解决问题。
人是一种很容易接受心理暗示的动物，所以在情绪反应出现的时候，尽量做一些正向暗示。
比如说男友约会迟到了，你的心理动态是这样的：“怎么这样啊，约会迟到，一点儿也不重视，真是气死我了········”
你可以这样暗示自己：“Oh，My God，我的上帝来考验我的耐心了”，“不生气，生气就不漂亮了”。
如果这样还不能缓解情绪，就试试第一种方式，如果你还是觉得不行，那就用下面这种方式缓解。
三：
合理转化
在一段亲密关系中，想要缓解负面情绪带来的愤怒，就要找一个合理的渠道去转化它，或者将愤怒转化成另一种力量，这种渠道可以是把愤怒写下来。
比如说，男友今天没有给你打电话，你非常愤怒以致于想要打电话过去质问对方。
这个时候，带有强烈坏情绪的你打电话给对方，势必会以战斗的架势通话，结果必定是争吵。
对对方来说，如果他正在忙，就会觉得你在无理取闹，如果他没在忙，也会被你的坏情绪所影响。
所以这时，你先试试前两种方法，用数颜色或者心理暗示的方法缓解愤怒，如果情绪平息了你再想要不要打电话，如果还是很生气，就可以使用合理转化法来解决。
你可以拿一枝笔，拿一个本子，把你刚才想要质问对方、责骂对方的话都写下来，也可以写一下他会怎么样回答，然后你又会怎么样指责，只要是想到的就一一写出来。
当你写完之后，深呼一口气，看自己的情绪是否比刚开始恢复了一些，如果你还是比较愤怒，就再写一遍。
如此，直到你的情绪好很多之后，你再想如何解决他没有给你打电话这件事。除此之外，你还可以通过写日记，听音乐，做运动来转移注意力，将自己的怒火冷却一段时间，待情绪稳定后，再与对方好好沟通。
如果你想你的恋爱关系健康甜蜜，就要合理控制自己的情绪，别让自己的坏情绪影响你自己，也别让愤怒影响你们的关系。
01
在看到这样一个问题：老对男友生气，一冲动还提分手，导致关系比较僵怎么办？
下面的回答中，很多人都把重点放在了“说分手”上，提到了随便说分手的严重后果。但我却觉得，这个问题的源头，不在于“说分手”，而是在于她“总忍不住发火”。
当一个人无法控制自己的情绪，抑制不住的愤怒，才会口不择言，伤害对方，进而破坏一段亲密关系。
02
那么我们为什么会情绪失控呢？是什么触动了我们的情绪，让我们抑制不住的发火呢？
我认为大体有这三种原因：
一：
情绪按钮
每个人的身上都会有一些情绪按钮，有时候可能是一句话，一个动作，一个物品就能够触动这个按钮。
比如说，一个人小时候总是被自己的母亲冷漠对待，在自己犯错误的时候，母亲总是骂她“没有一点用”，她当时的心情无疑是委屈的，愤怒的。于是长大后，每当她听到这样的一句话时，就会瞬间激起抵触，触发她的愤怒情绪。那么这就是她的“情绪按钮”。
每个人的情绪按钮，与她的生长环境和过往经历有关，当这个情绪按钮被触发的时候，她就容易陷入愤怒，情绪失控。
二：
生理变化引起情绪波动
女性在某些特殊时期，比如生理期、孕期、产褥期和更年期，因为身体的激素水平变化，从而引发情绪波动，变得暴躁易怒。
这个时候，她们常常会因为一个鸡毛蒜皮的小事，就大动肝火，大发雷霆，抑制不住的想发火。
三：
重大创伤事件
除此之外，有时候一些重大的创伤事件，也会给人心里留下阴影，导致情绪性的“不可根除”。
比如我之前有一个学员就是这样。她和男友在一起期间，男友有过一次出轨经历，这件事情给她的伤害很大，虽然最后的结果是以男友的悔过保证，跟对方彻底断清结束，她也选择了原谅，但这件事情在她心里一直都是一根刺。
在这件事情之后，虽然男友就再没犯过，但是她却一直耿耿于怀，只要对方在生活中跟自己有点小摩擦，有什么不顺她心意的地方，她就会再次想到他的背叛，想到他当初是多么的对不起自己，对对方破口大骂。
03
我们之所以频频情绪失控，肆意宣泄自己的愤怒情绪，除了这些原因之外，还因为有一些错误“情绪发泄”意识。
第一种：
发泄可以减轻愤怒
很多时候，我们都觉得情绪发泄可以减轻我们的愤怒。但实际上反复发泄愤怒情绪，只会导致对愤怒的耐受性不断增强，从而形成恶性循环。
也就是说，我们越是发泄愤怒，就越容易愤怒。因为当我们对别人或者环境表示不满而愤怒时，积聚的情绪得以宣泄，会获得一种超爽的体验。
这种快感会在潜意识中不断激起愤怒，仅是为了获得瞬间的快乐体验，这样有可能会造成“愤怒成瘾”。
第一种：
发泄就能得到想要的
很多人发泄的初衷，其实是想赢得对方的妥协，通过自己强硬的态度，去压制住对方。
但实际上，这种用发脾气的方式让别人顺从你，尊重你，是一种非常低级的控制，一旦超过对方所能够承担的负荷，或是对方形成了耐受，这种方式就会形成反效果。
由此可见，肆意的情绪宣泄和无法控制的情绪爆发，对于一段长期关系的维护和一段亲密关系的建立，毫无益处，弊端百出。
04
那么该如何避免这种行为，稳定自己的情绪呢？给大家提供三个方法：
一：
生理训练
很多专家建议用“数数法”来控制易暴的脾气，就是让快要发怒的人，在开口前先在心中默数，从一数到十，以平息和缓解自己的怒气，进而保持冷静，恢复理智，但也有人数到一百二十几，自己的情绪仍然没有得到缓解。
一位美国心理学家费尔德提出一种对控制脾气更有效的方法，叫“数颜色法”。
当你对某个人或者某件事感到怒不可遏时，停下手边的事，找个没人的地方，或者环顾四周的景物，然后开始默念：那是个白色的桌子，那是个红色的领带，那是个蓝色的手表，那是个镀金的钢笔······
然后数到十二个左右，开始辨识周围的颜色，这就是数颜色法。
它是用生理反应来控制心理反应，因为一个人发怒的时候，肾上腺素加速分泌会使我们的肌肉拉紧，血流加速，从而在心理上失去理智。
所以当你在气头上的时候，先不要忙着对恋人发脾气，而是下意识的用这种方法缓解情绪，强迫自己再度恢复灵敏的视觉功能，使大脑回归到理性状态。
当你数完之后，就会发现自己会恢复冷静，这个时候再去解决问题。
二：
心理暗示
记得有这样一个故事，大概意思是说一位家庭主妇在家门口挂了一个木牌，写着“进门前，请脱去烦恼，回家时，带快乐回来”，因为这个木牌的提示，她的家庭充满幸福和快乐。
这种提醒就是心理暗示，暗示自己时刻保持着快乐的姿态，带给家人正面情绪而不是负面情绪。即使心有不悦，也要用合适的方式向爱人倾诉，而不是用争吵来解决问题。
人是一种很容易接受心理暗示的动物，所以在情绪反应出现的时候，尽量做一些正向暗示。
比如说男友约会迟到了，你的心理动态是这样的：“怎么这样啊，约会迟到，一点儿也不重视，真是气死我了········”
你可以这样暗示自己：“Oh，My God，我的上帝来考验我的耐心了”，“不生气，生气就不漂亮了”。
如果这样还不能缓解情绪，就试试第一种方式，如果你还是觉得不行，那就用下面这种方式缓解。
三：
合理转化
在一段亲密关系中，想要缓解负面情绪带来的愤怒，就要找一个合理的渠道去转化它，或者将愤怒转化成另一种力量，这种渠道可以是把愤怒写下来。
比如说，男友今天没有给你打电话，你非常愤怒以致于想要打电话过去质问对方。
这个时候，带有强烈坏情绪的你打电话给对方，势必会以战斗的架势通话，结果必定是争吵。
对对方来说，如果他正在忙，就会觉得你在无理取闹，如果他没在忙，也会被你的坏情绪所影响。
所以这时，你先试试前两种方法，用数颜色或者心理暗示的方法缓解愤怒，如果情绪平息了你再想要不要打电话，如果还是很生气，就可以使用合理转化法来解决。
你可以拿一枝笔，拿一个本子，把你刚才想要质问对方、责骂对方的话都写下来，也可以写一下他会怎么样回答，然后你又会怎么样指责，只要是想到的就一一写出来。
当你写完之后，深呼一口气，看自己的情绪是否比刚开始恢复了一些，如果你还是比较愤怒，就再写一遍。
如此，直到你的情绪好很多之后，你再想如何解决他没有给你打电话这件事。除此之外，你还可以通过写日记，听音乐，做运动来转移注意力，将自己的怒火冷却一段时间，待情绪稳定后，再与对方好好沟通。
如果你想你的恋爱关系健康甜蜜，就要合理控制自己的情绪，别让自己的坏情绪影响你自己，也别让愤怒影响你们的关系。
隆鼻闭坑指南，你必须要知道的6个审美知识
1、山根起点
一般来说，山根起点在两眼瞳孔的连线附近会比较好看。但是这个也不，山根起点高低要结合额头眉骨，眼窝，中庭的情况综合判定。低眉骨+浅眼窝+中庭长的话，适当降低三根起点会更加协调，走温柔日系风的女孩子就比较适合这样的。高眉骨+深眼窝+饱满额头的话，抬高山根也会比较好看，走欧美混血风比较适合高山根，周扬青的鼻部就比较合适。
2、鼻额角
鼻额角是鼻子于额头的夹角，按照美学标准来说，鼻额角在115-135°左右是比较自然美观的，如果隆鼻让山根变得太高的话，鼻额角就会变得挺大，看起来挺假。
3、双C线
双C线是指一个好看的鼻梁，从正面看鼻梁呈现的线条状态，从眉心—山根—鼻头，满足一个宽—窄—宽的关系，在眉心三角区形成两个C的形态。一般来说高挺鼻梁的女孩子，没有双C线的话，就会跟阿凡达的鼻子撞上同款！
4、鼻梁侧面线条
鼻部侧面线条应该是起伏有弧度的，山根的起点和鼻背要有着清晰的转角，不然也会显得挺假。另外就是发育自然又好看的鼻子，一般鼻梁和鼻尖衔接处会有轻微凹陷，这样鼻尖可以更明显。小凹陷也可以通过手素达到，就是比较考验老师技术了！
5、鼻尖表现点
鼻尖表现点并不是真正的一个点，而是鼻尖的一个表现区域，把鼻尖想象成一个尖尖的山峰，而鼻尖表现点就是山顶，当有光打在鼻尖表现点的时候，鼻头就会自带高光，鼻尖看起来精致立体，如果鼻尖区域平坦，那就不要想啦！所以在隆鼻的时候做一个鼻尖表现点还是挺有必要的。
6、海鸥线
海鸥线是鼻翼到鼻尖衔接处的连线，形状挺像海鸥，所以得此名，几乎好看的鼻子海鸥线也会挺好看。海鸥线的审美标准是不能太平，否则就会看着像猪鼻子，如果太突也不行，否则就会像巫婆鼻。
温馨提示:上面图片中有具体部位展示。##夕夕的变美课堂#
1、山根起点
一般来说，山根起点在两眼瞳孔的连线附近会比较好看。但是这个也不，山根起点高低要结合额头眉骨，眼窝，中庭的情况综合判定。低眉骨+浅眼窝+中庭长的话，适当降低三根起点会更加协调，走温柔日系风的女孩子就比较适合这样的。高眉骨+深眼窝+饱满额头的话，抬高山根也会比较好看，走欧美混血风比较适合高山根，周扬青的鼻部就比较合适。
2、鼻额角
鼻额角是鼻子于额头的夹角，按照美学标准来说，鼻额角在115-135°左右是比较自然美观的，如果隆鼻让山根变得太高的话，鼻额角就会变得挺大，看起来挺假。
3、双C线
双C线是指一个好看的鼻梁，从正面看鼻梁呈现的线条状态，从眉心—山根—鼻头，满足一个宽—窄—宽的关系，在眉心三角区形成两个C的形态。一般来说高挺鼻梁的女孩子，没有双C线的话，就会跟阿凡达的鼻子撞上同款！
4、鼻梁侧面线条
鼻部侧面线条应该是起伏有弧度的，山根的起点和鼻背要有着清晰的转角，不然也会显得挺假。另外就是发育自然又好看的鼻子，一般鼻梁和鼻尖衔接处会有轻微凹陷，这样鼻尖可以更明显。小凹陷也可以通过手素达到，就是比较考验老师技术了！
5、鼻尖表现点
鼻尖表现点并不是真正的一个点，而是鼻尖的一个表现区域，把鼻尖想象成一个尖尖的山峰，而鼻尖表现点就是山顶，当有光打在鼻尖表现点的时候，鼻头就会自带高光，鼻尖看起来精致立体，如果鼻尖区域平坦，那就不要想啦！所以在隆鼻的时候做一个鼻尖表现点还是挺有必要的。
6、海鸥线
海鸥线是鼻翼到鼻尖衔接处的连线，形状挺像海鸥，所以得此名，几乎好看的鼻子海鸥线也会挺好看。海鸥线的审美标准是不能太平，否则就会看着像猪鼻子，如果太突也不行，否则就会像巫婆鼻。
温馨提示:上面图片中有具体部位展示。##夕夕的变美课堂#
蚀刻掩模及蚀刻溶液对InP微加工形成V 型槽的影响
引言
p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，以获得最大响应并进行固定。因此，需要开发无源自对准技术，其时间消耗更少、成本更低，并且同时可靠且合理有效。众所周知，半导体材料的微机械加工是精确的，具有极好的尺寸控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的，所以这些器件必须通过倒装芯片技术安装在微机械加工的硅晶片上以进行光纤对准。
为了使光电子器件更容易单片集成，在像InP本身这样的衬底材料中实现精密微结构更方便。在过去的几年里，人们一直在积极研究开发各种技术，用于在InP(100)晶片中制造高度精确的对准沟槽。然而，InP的蚀刻在底切和由此产生的侧壁轮廓方面带来了许多问题。闪锌矿晶体如InP和GaAs具有两种不同类型的{111}面，它们可能在蚀刻时出现。其中，{111}A表面终止于III族原子，而{111}B表面终止于V族原子。{111}B表面具有更高的反应性，因为在该表面上每个原子有五个成键电子，相比之下，在{ 111 } B表面上每个原子有三个成键电子{ 111 }一个曲面。在蚀刻时，当掩模边缘沿[01-1]方向取向时，预期会出现具有{111}A刻面的V形槽。在[0-1-1]方向上，应该形成几乎垂直的侧壁。已经尝试了多种蚀刻掩模和蚀刻溶液实验证实这一点。2-5在一些情况下，然而，而不是当在HCl:H3PO4溶液中使用SiO2或Ti作为蚀刻掩模时，会出现{111}面、{211}面和{311}面。2-4此外，据报道，在HCl:H3PO4 (5:1)溶液中使用光刻胶掩模时会出现严重的底切。5另一方面，使用SiO2和Ti掩模的HBr基蚀刻系统会产生具有{ 111 }面的V形槽。
如上所述，有许多关于在InP中实现V形槽的公开文献。然而，大多数实验数据都是针对蚀刻深度小于25 m的情况公布的。Klocken- brink等人2讨论了蚀刻深度为120 m的V形槽，但他们的工作仅限于HCl:H3PO4蚀刻剂。在目前的工作中
V-针对要求蚀刻深度大于350 μm的特定应用进行凹槽蚀刻。这要求蚀刻更长的时间。蚀刻掩模现在起着更重要的作用，因为蚀刻剂与掩模材料的相互作用可能导致严重的底切。为了优化工艺，因此必须选择适合于这种长时间蚀刻的蚀刻剂和蚀刻掩模的最佳组合。为此，我们使用Ti、Cr和等离子体沉积的氮化硅蚀刻掩模对InP(100)衬底进行了湿法化学取向相关蚀刻(ODE)。还研究了这些掩模材料对底切程度的影响。HCl:H3PO4以及HBr:CH3COOH蚀刻系统已经用于研究蚀刻后的侧壁角度以及表面光洁度。然后根据底切的程度、表面光滑度和V形槽的角度来确定蚀刻剂和蚀刻掩模的最佳组合。
适当调整窗口尺寸，可以实现U形槽而不是V形槽(如图1所示)。当在暴露平面相遇之前遇到蚀刻停止层时，会发生这种情况。之后，InGaAs层必须通过选择性蚀刻剂去除，否则它将部分吸收来自光纤的光。这将导致凹槽的平滑底面，然后可以用抗反射涂层涂覆该底面，以最小化光纤的反射损失。还有n+层(p-i-n结构的)
厚度已经增加到大约2 μm，使得当
插入凹槽，不会刺穿和损坏探测器。根
V形槽的成功实现是(I)衬底的结晶据这一思想，在InP(100)上制作V形槽
衬底已被执行。的四个重要方面
完美，(ii)掩模图案在特定方向上的精确对准，(iii)掩模材料的良好粘附
和(iv)用于蚀刻InP的特定蚀刻溶液。这些因素影响V形槽的实际形状、蚀刻时底切的程度以及暴露面的表面光滑度，所有这些因素对于光纤与探测器的实际对准都是至关重要的。在目前的工作中，不同的蚀刻掩模材料以及各种蚀刻溶液已经被用于优化V形槽的制造。
讨论
使用HCl:H3PO4 (5:1)蚀刻系统(编号1)蚀刻剖面。—钛作为蚀刻掩模。使用钛作为蚀刻掩模，在[01-1]方向上(沿着524 μm边缘)形成V形槽。在[0-1-1]方向，形成垂直壁。V形槽壁光滑，并以35.3°的角度倾斜于(100)面，如图2所示。
2.这表明暴露的小平面不是像
{111}面与{100}面所成的角度应为54.7°。据报道，在InP {111}A中，HCl的作用不会产生表面。4从表面的倾斜角度来看，暴露的平面被推断为{211}平面。2，6在蚀刻15分钟后，V形槽平面相交于185 m的深度，对应的蚀刻速率约为12 m/min。掩模边缘的底切小到可以忽略不计。
铬作为蚀刻掩模。—铬不能承受这种蚀刻溶液超过2分钟，因此不适合用作1号ES的掩模。
因此，窗口不再被很好地定义。蚀刻14分钟后，窗口的200米边变宽到375米(几乎是其尺寸的两倍)。这可能是由于铬与InP的粘附性差造成的。先前的研究人员已经观察到光致抗蚀剂掩模的底切现象，这通常是由于表面天然氧化物和蚀刻剂之间的反应导致涂覆的光致抗蚀剂和InP衬底之间的粘附力损失。6天然氧化物与HCl的反应速率比与HBr的反应速率快。这可能解释了为什么Cr不能耐受含有HCl的第一蚀刻剂(ES)。使用第二种蚀刻剂(ES no. 2)时，粘附力的损失没有完全去除掩模那么剧烈。然而，底切仍然是值得考虑的。在ES no. 2中，底切与使用Cr掩模的蚀刻深度之比约为0.6。不同蚀刻时间的底切程度如图6所示。
为了进一步研究HBr浓度对底切的影响，蚀刻溶液的组成改变为HBr:CH3COOHo1:1。由于该溶液中HBr的浓度较低，蚀刻速率降低至约7.5 m/min。然而，如图6所示，底切仍然相当高，并且几乎随蚀刻时间线性增加。在该溶液中蚀刻35分钟后，在[0-1-1]方向上每个掩模边缘处的底切为128 m。在该点处的蚀刻深度为260 m。在这种情况下，底切与蚀刻深度的比率降低至0.49。这证明了我们的论点
底切的程度与天然氧化物和蚀刻溶液的反应有关，因为发现降低蚀刻溶液中HBr的浓度会减少底切的程度。
结论
发展了一种简单的自动对准光纤和光电探测器的技术。三种不同的蚀刻掩模材料，即Ti、Cr和SiN用于在InP衬底中蚀刻V形槽，通过该槽可以插入光纤并精确定位。使用两种不同的蚀刻溶液来蚀刻InP。第一种蚀刻溶液(ES 1号)含有HCl∶h3po 4(5∶1)，另一种(ES 2号)含有HBr∶ch 3c ooh(3∶2)。已经发现，虽然蚀刻溶液的选择决定了V形槽的角度以及表面光洁度，但是掩模材料和沉积方法决定了底切的量。发现Ti作为掩模材料以最小的底切给出最好的结果。在两种蚀刻溶液中，编号为2的蚀刻溶液是优选的，因为V形槽与表面的倾斜角较大(54.7°)，因此，对于给定的窗口尺寸，可以蚀刻出相对较深的槽。暴露墙壁的表面光滑度通过以下方式得到改善。#如何看待割小麦做青贮饲料# #你期待周杰伦的新歌吗# #阴阳师神堕八岐大蛇#
引言
p-i-n光电探测器封装中最具挑战性的任务之一是将光纤耦合到探测器。由于探测器和光纤的尺寸都非常小，精确和准确的对准非常关键。如今，在大多数情况下，这是通过耗时且成本高昂的主动对准技术来实现的，该技术涉及在二极管工作时单独调整每根光纤，以获得最大响应并进行固定。因此，需要开发无源自对准技术，其时间消耗更少、成本更低，并且同时可靠且合理有效。众所周知，半导体材料的微机械加工是精确的，具有极好的尺寸控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的，所以这些器件必须通过倒装芯片技术安装在微机械加工的硅晶片上以进行光纤对准。
为了使光电子器件更容易单片集成，在像InP本身这样的衬底材料中实现精密微结构更方便。在过去的几年里，人们一直在积极研究开发各种技术，用于在InP(100)晶片中制造高度精确的对准沟槽。然而，InP的蚀刻在底切和由此产生的侧壁轮廓方面带来了许多问题。闪锌矿晶体如InP和GaAs具有两种不同类型的{111}面，它们可能在蚀刻时出现。其中，{111}A表面终止于III族原子，而{111}B表面终止于V族原子。{111}B表面具有更高的反应性，因为在该表面上每个原子有五个成键电子，相比之下，在{ 111 } B表面上每个原子有三个成键电子{ 111 }一个曲面。在蚀刻时，当掩模边缘沿[01-1]方向取向时，预期会出现具有{111}A刻面的V形槽。在[0-1-1]方向上，应该形成几乎垂直的侧壁。已经尝试了多种蚀刻掩模和蚀刻溶液实验证实这一点。2-5在一些情况下，然而，而不是当在HCl:H3PO4溶液中使用SiO2或Ti作为蚀刻掩模时，会出现{111}面、{211}面和{311}面。2-4此外，据报道，在HCl:H3PO4 (5:1)溶液中使用光刻胶掩模时会出现严重的底切。5另一方面，使用SiO2和Ti掩模的HBr基蚀刻系统会产生具有{ 111 }面的V形槽。
如上所述，有许多关于在InP中实现V形槽的公开文献。然而，大多数实验数据都是针对蚀刻深度小于25 m的情况公布的。Klocken- brink等人2讨论了蚀刻深度为120 m的V形槽，但他们的工作仅限于HCl:H3PO4蚀刻剂。在目前的工作中
V-针对要求蚀刻深度大于350 μm的特定应用进行凹槽蚀刻。这要求蚀刻更长的时间。蚀刻掩模现在起着更重要的作用，因为蚀刻剂与掩模材料的相互作用可能导致严重的底切。为了优化工艺，因此必须选择适合于这种长时间蚀刻的蚀刻剂和蚀刻掩模的最佳组合。为此，我们使用Ti、Cr和等离子体沉积的氮化硅蚀刻掩模对InP(100)衬底进行了湿法化学取向相关蚀刻(ODE)。还研究了这些掩模材料对底切程度的影响。HCl:H3PO4以及HBr:CH3COOH蚀刻系统已经用于研究蚀刻后的侧壁角度以及表面光洁度。然后根据底切的程度、表面光滑度和V形槽的角度来确定蚀刻剂和蚀刻掩模的最佳组合。
适当调整窗口尺寸，可以实现U形槽而不是V形槽(如图1所示)。当在暴露平面相遇之前遇到蚀刻停止层时，会发生这种情况。之后，InGaAs层必须通过选择性蚀刻剂去除，否则它将部分吸收来自光纤的光。这将导致凹槽的平滑底面，然后可以用抗反射涂层涂覆该底面，以最小化光纤的反射损失。还有n+层(p-i-n结构的)
厚度已经增加到大约2 μm，使得当
插入凹槽，不会刺穿和损坏探测器。根
V形槽的成功实现是(I)衬底的结晶据这一思想，在InP(100)上制作V形槽
衬底已被执行。的四个重要方面
完美，(ii)掩模图案在特定方向上的精确对准，(iii)掩模材料的良好粘附
和(iv)用于蚀刻InP的特定蚀刻溶液。这些因素影响V形槽的实际形状、蚀刻时底切的程度以及暴露面的表面光滑度，所有这些因素对于光纤与探测器的实际对准都是至关重要的。在目前的工作中，不同的蚀刻掩模材料以及各种蚀刻溶液已经被用于优化V形槽的制造。
讨论
使用HCl:H3PO4 (5:1)蚀刻系统(编号1)蚀刻剖面。—钛作为蚀刻掩模。使用钛作为蚀刻掩模，在[01-1]方向上(沿着524 μm边缘)形成V形槽。在[0-1-1]方向，形成垂直壁。V形槽壁光滑，并以35.3°的角度倾斜于(100)面，如图2所示。
2.这表明暴露的小平面不是像
{111}面与{100}面所成的角度应为54.7°。据报道，在InP {111}A中，HCl的作用不会产生表面。4从表面的倾斜角度来看，暴露的平面被推断为{211}平面。2，6在蚀刻15分钟后，V形槽平面相交于185 m的深度，对应的蚀刻速率约为12 m/min。掩模边缘的底切小到可以忽略不计。
铬作为蚀刻掩模。—铬不能承受这种蚀刻溶液超过2分钟，因此不适合用作1号ES的掩模。
因此，窗口不再被很好地定义。蚀刻14分钟后，窗口的200米边变宽到375米(几乎是其尺寸的两倍)。这可能是由于铬与InP的粘附性差造成的。先前的研究人员已经观察到光致抗蚀剂掩模的底切现象，这通常是由于表面天然氧化物和蚀刻剂之间的反应导致涂覆的光致抗蚀剂和InP衬底之间的粘附力损失。6天然氧化物与HCl的反应速率比与HBr的反应速率快。这可能解释了为什么Cr不能耐受含有HCl的第一蚀刻剂(ES)。使用第二种蚀刻剂(ES no. 2)时，粘附力的损失没有完全去除掩模那么剧烈。然而，底切仍然是值得考虑的。在ES no. 2中，底切与使用Cr掩模的蚀刻深度之比约为0.6。不同蚀刻时间的底切程度如图6所示。
为了进一步研究HBr浓度对底切的影响，蚀刻溶液的组成改变为HBr:CH3COOHo1:1。由于该溶液中HBr的浓度较低，蚀刻速率降低至约7.5 m/min。然而，如图6所示，底切仍然相当高，并且几乎随蚀刻时间线性增加。在该溶液中蚀刻35分钟后，在[0-1-1]方向上每个掩模边缘处的底切为128 m。在该点处的蚀刻深度为260 m。在这种情况下，底切与蚀刻深度的比率降低至0.49。这证明了我们的论点
底切的程度与天然氧化物和蚀刻溶液的反应有关，因为发现降低蚀刻溶液中HBr的浓度会减少底切的程度。
结论
发展了一种简单的自动对准光纤和光电探测器的技术。三种不同的蚀刻掩模材料，即Ti、Cr和SiN用于在InP衬底中蚀刻V形槽，通过该槽可以插入光纤并精确定位。使用两种不同的蚀刻溶液来蚀刻InP。第一种蚀刻溶液(ES 1号)含有HCl∶h3po 4(5∶1)，另一种(ES 2号)含有HBr∶ch 3c ooh(3∶2)。已经发现，虽然蚀刻溶液的选择决定了V形槽的角度以及表面光洁度，但是掩模材料和沉积方法决定了底切的量。发现Ti作为掩模材料以最小的底切给出最好的结果。在两种蚀刻溶液中，编号为2的蚀刻溶液是优选的，因为V形槽与表面的倾斜角较大(54.7°)，因此，对于给定的窗口尺寸，可以蚀刻出相对较深的槽。暴露墙壁的表面光滑度通过以下方式得到改善。#如何看待割小麦做青贮饲料# #你期待周杰伦的新歌吗# #阴阳师神堕八岐大蛇#
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