日月两盏灯，春秋一场梦。记忆中，总有一盏灯，在黑暗的时候，给我以光、以暖、以灵，为我照亮远行的路。有些走过的路，同样会迷失，而一些不曾走过的路，却有似曾相识之感。当一个人的心清澈明净，步履也会随之淡定从容。记忆无言，会收存着曾经走过的足迹，而每一段路程，都镌刻着过往的身影。其实并不孤独，每一程，都有山水为伴，清风相随……。#八月你好##盛夏光影#
存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器一般断电后仍然能保存数据。常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。
而简单来说，DRAM就是我们一般在用的内存，而NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。
内存的处理速度比硬盘更快，但断电之后数据会消失，且价格也比硬盘贵。
速度来讲，就是：CPU里面的Register > Cache > 内存 > 硬盘。越上层（越靠近 CPU），速度就越快、价格越高、容量越低。
存储器的分类
电的存储器是指电写电读的存储器，主要分为两大类：
易失性存储器（Volatile Memory，VM）：电源开启时资料存在，电源关闭则资料立刻流失（资料挥发掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。
非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM）：电源开启时资料存在，电源关闭资料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。
存储器的单元
存储器的“单元”（Cell）是指用来存取资料的最小结构，如果含有一个晶体管（Transistor）与一个电容（Capacitor）则称为“1T1C”；如果含有一个晶体管（Transistor）与一个电阻（Resistor）则称为“1T1R”；如果含有一个二极体（Diode）与一个电阻（Resistor）则称为“1D1R”。
存储器的每个“单元”不一定只能储存 1 个位的资料，由于我们对存储器容量的要求越来越高，每个“单元”能储存的资料越来越多，依照每个“单元”能储存的资料位数又分为：单层单元（Single-Level Cell，SLC）、多层单元（Multi-Level Cell，MLC）、三层单元（Triple-Level Cell，TLC）、四层单元（Quad-Level Cell，QLC）等。
存储器阶层：由上而下依序为暂存器、快取存储器、主存储器、辅助存储器：
暂存器（Register，也译为寄存器）：在处理器内，用来设定处理器的功能，主要是“暂时储存”设定值的地方。
快取存储器（Cache memory，翻译版本有缓存，快取缓存区，快取存储器；台湾翻译为快取。）：在处理器内，执行程序时“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 SRAM 制作。
主存储器（Main memory）：在处理器外，“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 DRAM 制作，目前已经改良成 SDRAM 或 DDR。
辅助存储器（Assistant memory）：在处理器外，“永久储存”程序与资料的地方，包括：快闪存储器、磁盘机、光盘机、磁带机等。
不同种类的存储器分别有不同的储存容量、工作速度、单位价格：
早期辅助存储器使用磁盘机、光盘机、磁带机等，由于半导体制程的进步，目前大多使用快闪存储器（Flash ROM），或所谓的固态硬盘（Solid State Disk，SSD），固态硬盘其实也是使快闪存储器制作。
储存容量：辅助存储器（GB）> 主存储器（MB）> 快取存储器（KB）> 暂存器（B）。
工作速度：辅助存储器（1ms）< 主存储器（10ns）< 快取存储器（1ns）< 暂存器（1ns）。
单位价格：辅助存储器 < 主存储器 < 快取存储器 < 暂存器。
可以记住一个简单的结论：SRAM 比较快、 DRAM 比较慢；SRAM 比较贵、DRAM 比较便宜。（SRAM 的价格比起 DRMA 要高达 1000 倍以上。比如 2010 年世代––—SRAM 的每单位储存价格是 $60/MB，DRAM 则是 $0.06/MB。）
NAND Flash 又是什么呢？
Flash（闪存）由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点，被应用在各类电子产品的硬盘上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。
NOR Flash 比 NAND Flash 更早导入市场。读取的速度较快，但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。
目前用来储存操作系统的程序代码或重要数据，比如拿来做 ROM。像是生产 NOR Flash 的台厂旺宏就是因为打入任天堂 Switch 主机的 ROM 供应链，今年营收上看攀升。
NAND Flash 写入的速度快、价格较低，故目前以 NAND Flash 最为普遍。现在的 USB 硬盘和手机储存空间，就是用 NAND Flash 为主流技术。
另外，固态硬盘（Solid State Drive, SSD）也是以 NAND 型 Flash 为基础所建构的储存装置。SSD 不像传统硬盘（HDD）中有马达、读写臂等零件。速度慢、功耗高，对震动又相当敏感，很难用在小型行动装置中。
SSD 在读写数据时不会有噪音，耐震、传输速度快、重量又能缩减到 HDD 十分之一以上，现在已经成为个人计算机和笔记本电脑的主流储存设备。
总结：
依照停止供应电源的话、是否还能保留数据，分成”易失性”与”非易失性”存储。
易失性存储分成 DRAM 和 SRAM。
SRAM 更快但价格更贵，所以主存储器多用 DRAM、快取多用 SRAM。
非易失性存储分成 ROM 和 Flash。主要用来作为硬盘。
Flash 又分成 NOR Flash 与 NAND Flash，现在硬盘多以 NAND Flash 构成的 SSD 为主。
而简单来说，DRAM就是我们一般在用的内存，而NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。
内存的处理速度比硬盘更快，但断电之后数据会消失，且价格也比硬盘贵。
速度来讲，就是：CPU里面的Register > Cache > 内存 > 硬盘。越上层（越靠近 CPU），速度就越快、价格越高、容量越低。
存储器的分类
电的存储器是指电写电读的存储器，主要分为两大类：
易失性存储器（Volatile Memory，VM）：电源开启时资料存在，电源关闭则资料立刻流失（资料挥发掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。
非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM）：电源开启时资料存在，电源关闭资料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。
存储器的单元
存储器的“单元”（Cell）是指用来存取资料的最小结构，如果含有一个晶体管（Transistor）与一个电容（Capacitor）则称为“1T1C”；如果含有一个晶体管（Transistor）与一个电阻（Resistor）则称为“1T1R”；如果含有一个二极体（Diode）与一个电阻（Resistor）则称为“1D1R”。
存储器的每个“单元”不一定只能储存 1 个位的资料，由于我们对存储器容量的要求越来越高，每个“单元”能储存的资料越来越多，依照每个“单元”能储存的资料位数又分为：单层单元（Single-Level Cell，SLC）、多层单元（Multi-Level Cell，MLC）、三层单元（Triple-Level Cell，TLC）、四层单元（Quad-Level Cell，QLC）等。
存储器阶层：由上而下依序为暂存器、快取存储器、主存储器、辅助存储器：
暂存器（Register，也译为寄存器）：在处理器内，用来设定处理器的功能，主要是“暂时储存”设定值的地方。
快取存储器（Cache memory，翻译版本有缓存，快取缓存区，快取存储器；台湾翻译为快取。）：在处理器内，执行程序时“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 SRAM 制作。
主存储器（Main memory）：在处理器外，“暂时储存”程序与资料的地方，通常以 DRAM 制作，目前已经改良成 SDRAM 或 DDR。
辅助存储器（Assistant memory）：在处理器外，“永久储存”程序与资料的地方，包括：快闪存储器、磁盘机、光盘机、磁带机等。
不同种类的存储器分别有不同的储存容量、工作速度、单位价格：
早期辅助存储器使用磁盘机、光盘机、磁带机等，由于半导体制程的进步，目前大多使用快闪存储器（Flash ROM），或所谓的固态硬盘（Solid State Disk，SSD），固态硬盘其实也是使快闪存储器制作。
储存容量：辅助存储器（GB）> 主存储器（MB）> 快取存储器（KB）> 暂存器（B）。
工作速度：辅助存储器（1ms）< 主存储器（10ns）< 快取存储器（1ns）< 暂存器（1ns）。
单位价格：辅助存储器 < 主存储器 < 快取存储器 < 暂存器。
可以记住一个简单的结论：SRAM 比较快、 DRAM 比较慢；SRAM 比较贵、DRAM 比较便宜。（SRAM 的价格比起 DRMA 要高达 1000 倍以上。比如 2010 年世代––—SRAM 的每单位储存价格是 $60/MB，DRAM 则是 $0.06/MB。）
NAND Flash 又是什么呢？
Flash（闪存）由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点，被应用在各类电子产品的硬盘上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。
NOR Flash 比 NAND Flash 更早导入市场。读取的速度较快，但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。
目前用来储存操作系统的程序代码或重要数据，比如拿来做 ROM。像是生产 NOR Flash 的台厂旺宏就是因为打入任天堂 Switch 主机的 ROM 供应链，今年营收上看攀升。
NAND Flash 写入的速度快、价格较低，故目前以 NAND Flash 最为普遍。现在的 USB 硬盘和手机储存空间，就是用 NAND Flash 为主流技术。
另外，固态硬盘（Solid State Drive, SSD）也是以 NAND 型 Flash 为基础所建构的储存装置。SSD 不像传统硬盘（HDD）中有马达、读写臂等零件。速度慢、功耗高，对震动又相当敏感，很难用在小型行动装置中。
SSD 在读写数据时不会有噪音，耐震、传输速度快、重量又能缩减到 HDD 十分之一以上，现在已经成为个人计算机和笔记本电脑的主流储存设备。
总结：
依照停止供应电源的话、是否还能保留数据，分成”易失性”与”非易失性”存储。
易失性存储分成 DRAM 和 SRAM。
SRAM 更快但价格更贵，所以主存储器多用 DRAM、快取多用 SRAM。
非易失性存储分成 ROM 和 Flash。主要用来作为硬盘。
Flash 又分成 NOR Flash 与 NAND Flash，现在硬盘多以 NAND Flash 构成的 SSD 为主。
#养心治愈[超话]#
有些走过的路，同样会迷失方向，而一些不曾走过的路，却会有似曾相识之感。当一个人的心清澈明净，步履也会随之淡定从容。记忆无言，会收存着曾经走过的足迹，而每一段路程，都镌刻着过往的身影。其实并不孤独，每一程，都有山水为伴，清风相随。—— 白落梅《世间所有相遇都是久别重逢》
有些走过的路，同样会迷失方向，而一些不曾走过的路，却会有似曾相识之感。当一个人的心清澈明净，步履也会随之淡定从容。记忆无言，会收存着曾经走过的足迹，而每一段路程，都镌刻着过往的身影。其实并不孤独，每一程，都有山水为伴，清风相随。—— 白落梅《世间所有相遇都是久别重逢》
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