凌渡L：ID脸轿跑身无框门双联屏，大众变年轻真尽力了
凌渡L，是今年上半年上汽大众的重点新车（已于3月1日开启预售），也是对7年前首次面世的凌渡进行的一次款垂直换代。这次新车的设计颠覆感很强，从内到外，焕然一新，可能也是想再次唤起年轻人在审美层面上对它的喜爱和冲动。
显著的革新之处在于：
第一，外观内饰全部重新设计；
第二，平台进化为MQB EVO平台，且车身和轴距相比上代车型更具优势；
第三，凌渡L的“身份”依然是一款由大众全球设计力量主导、深度结合中国市场需求、并作为上汽大众独家生产和在国内销售的A+级轿车。
外观体验：“ID.脸”、轿跑身、无框门
凌渡L作为上汽大众主打年轻消费群体的一款车型，对于大众德系设计本身是有所突破的。
首先，在ID.系列电动车已经让大众设计大幅度年轻化后，凌渡L率先刷新了燃油车的设计语言。它有着一副具有深度ID.系列车型特征的前脸，斜趟在引擎盖前方的大众LOGO和横向饰条都可以发出银色白光，并且和前大灯组连接在一起。目前大众新车型前脸带有发光格栅条的不在少数，但凌渡L发光条的精致感在燃油车中目前是最好的，和ID.系列完全一致。
大灯的规格为IQ.Light全LED矩阵式前大灯，IQ.Light字符的镌刻意味着它是一套全功能的灯组，包括远光遮蔽对向来车等功能都是有提供的。车头下半部分采用了面积非常大的进气格栅，细节也是ID.系列率先采用的参数化点阵排布。尽管年轻消费者对参数化设计褒贬不一，但进气面积的开阔对于提升车型运动氛围立竿见影。
我们把视线稍微移至侧面，首先可以注意到引擎盖造型非常独特，通常引擎盖边缘是在正上方和侧斜面交界的位置，但凌渡L却有所创新，它拥有一个硕大的“蚌式”引擎盖，边缘一直延伸到侧面中央位置，而让传统的折痕点消失了。这个设计对大众的制造工程技术来说是有所突破的，是一个“一体式”设计。这一冲压件创新的好处在于呈现出了一个轿跑感强烈的车头。
机盖打开，首先能够发现凌度L采用了双液压顶杆，这一规格在合资A级、A+级产品中都是罕见的，且顶杆后面还出现了强壮的支架，机盖下方的隔音棉也实诚的出现在该出现的地方。而车身内部构件的扎实，相信也能够大大提升消费者对凌渡L作为中国专属销售车型的品质信心。
车身长宽高数据分别为4784/1831/1469mm，轴距2731mm。其中车长比上代车型增加了170mm，轴距增加了75mm。车身比例修长，轿跑车的大掀背特征成为凌渡L外观上的最大亮点。在A+级车型上做轿跑造型，使凌渡L的定位超然，这是一个真正的轿跑造型，具有类似奥迪A5 Sportback的大斜角尾箱，使尾箱对大件物品的装载便利性提升明显。
并且它的车顶线条下滑点尽量靠后，而在后窗后座上方是比较高的，甚至于凌渡L相比上代车型车高也有所增加，所以新一代车型的后排头部空间让我非常惊讶，和上代车型的表现形成了巨大的反差，也感慨轿跑的后排头部空间居然和普通车型相比完全不输。
凌渡L外观设计的第二大亮点也出现在车身侧面——车门车窗采用无框式设计，目前在同级车型里是唯一一例。凌渡L上市后将成为消费者所能买到的“入手门槛最低”的无框式轿跑车型。如果我记漏了哪一款，请在评论区告诉我。
从实车来看，无窗框设计让轿跑风格更浓更正。密封压条设计据上汽大众信息是和上汽奥迪A7L采用同一设计。在防尘防雨等标准上则是要做到和有框车门一致。现场体验时，手贴在门把手内侧时车窗就会自动从压条中释放，开门过程很是顺滑。
凌渡L的尾部设计则是比较挺、比较翘，结合了贯穿式尾灯组和小鸭尾设计，亦是轿跑车的典型审美。凌渡L也如预期那样采用了新鲜感比较强的车漆颜色，类似于纯黑这样的传统颜色的确没有出现在配置单里。
内饰：大众首款双联屏、后排腿部空间提升明显
凌渡L在大众车历史上第一次采用双联屏设计。这个设计放在今天来看本身并不算惊艳，毕竟现在采用这种设计的厂牌太多了。但对大众这一传统稳重的品牌来说，还是让人觉得这个内饰“不是很大众啊”。对年轻人来说这当然很重要，毕竟如果家族化设计过于强烈的话就毫无个性感可言了。
全液晶仪表的尺寸为10英寸，显示细腻，界面信息呈现合理。中控屏尺寸为12英寸，采用和ID.系列最新车型一致的3.0代系统，导航、音乐、无线CarPlay都有提供。每块屏的界面颜色都可以和车内保持氛围灯一致，穿搭感不错。
凌渡L还提供了W-HUD系统，这在合资A+级车里并不多见。MOS3.2智慧车联系统可以和手机远程互联，“再加”一块屏。所以，凌渡L的MQB EVO数字化架构，在数字化上的表现是到位的，而这背后是通信速度提升4倍等数据架构档次的跃升。得益于此，L2驾驶辅助系统在性能的深度和广度上也有升级，如stop&go的表现相比前几年的ACC自适应巡航系统提升幅度就很大。
新款车型的中央扶手区域比较简洁，电子换挡机构尺寸比较小，精致感突出。实际上大小不重要，重要的是手感要好，要好看并且要中用，新挡把未必被男性消费者喜欢，但一定可以让女性消费者有握住它的冲动。
储物格和手机无线充电面板结合，在简洁的中控扶手设计下拿取手机很顺手，没有传统挡把的物理阻挡。
最后是空间体验的部分。轴距加长75mm后，腿部空间得到了革命性的提升。上代车型最让我受不了的一点就是腿部空间实在太狭窄了，如果坐在后排，让人宁愿去乘坐朗逸，这也成为第一代凌渡销量上最大的羁绊——毕竟年轻人也怕家人偶尔做后排的时候唠叨自己吧。
尾门打开，同样是很扎实的两根液压挺杆，行李箱常规容积在523L，第二排放倒后可拓展至1446L，两档数据都有提升。
动力部分是消费者所熟悉的大众1.4T+7速双离合的组合。短期内大概率不会有新发动机以及新能源方面的惊喜，但我认为并不远了。“黄金动力组合”的优势在于成熟、好用、油耗低，尤其是近期油价又高起来了。
驾仕结语>>>
凌渡L作为中国市场专属的车型，此次呈现，相比于大众其它车型的确突破感更为强烈。我认为上汽大众的车型规划是有魄力的，就是年轻人喜欢什么就要往上堆什么——把无框车门、大溜背造型和双联屏堆上去，前脸也像ID.系列那样酷炫。而更长的轴距将有助于提升它的家用属性，补齐了之前的短板。而唯一的潜在难题在于，非常多高规格的配置，将让它的高配车型成本高企，年轻人是否接受，就要看未来的市场表现了。
毫无疑问，凌渡L将继续坚定卡位30岁以下消费群体市场，未来的营销也将是大众车型中最年轻化的。目前国内大众车主的平均年龄是37岁，而第一代凌渡是唯一一款车主平均年龄低于30岁的车型。现在年轻女性消费群体则将是凌度L新的机会，据统计第一代凌渡女性车主只占28%，而全新一代车型颜值这么能打，相信会带来新的增量。
文 | 密斯特张
图 | 作者实拍
凌渡L，是今年上半年上汽大众的重点新车（已于3月1日开启预售），也是对7年前首次面世的凌渡进行的一次款垂直换代。这次新车的设计颠覆感很强，从内到外，焕然一新，可能也是想再次唤起年轻人在审美层面上对它的喜爱和冲动。
显著的革新之处在于：
第一，外观内饰全部重新设计；
第二，平台进化为MQB EVO平台，且车身和轴距相比上代车型更具优势；
第三，凌渡L的“身份”依然是一款由大众全球设计力量主导、深度结合中国市场需求、并作为上汽大众独家生产和在国内销售的A+级轿车。
外观体验：“ID.脸”、轿跑身、无框门
凌渡L作为上汽大众主打年轻消费群体的一款车型，对于大众德系设计本身是有所突破的。
首先，在ID.系列电动车已经让大众设计大幅度年轻化后，凌渡L率先刷新了燃油车的设计语言。它有着一副具有深度ID.系列车型特征的前脸，斜趟在引擎盖前方的大众LOGO和横向饰条都可以发出银色白光，并且和前大灯组连接在一起。目前大众新车型前脸带有发光格栅条的不在少数，但凌渡L发光条的精致感在燃油车中目前是最好的，和ID.系列完全一致。
大灯的规格为IQ.Light全LED矩阵式前大灯，IQ.Light字符的镌刻意味着它是一套全功能的灯组，包括远光遮蔽对向来车等功能都是有提供的。车头下半部分采用了面积非常大的进气格栅，细节也是ID.系列率先采用的参数化点阵排布。尽管年轻消费者对参数化设计褒贬不一，但进气面积的开阔对于提升车型运动氛围立竿见影。
我们把视线稍微移至侧面，首先可以注意到引擎盖造型非常独特，通常引擎盖边缘是在正上方和侧斜面交界的位置，但凌渡L却有所创新，它拥有一个硕大的“蚌式”引擎盖，边缘一直延伸到侧面中央位置，而让传统的折痕点消失了。这个设计对大众的制造工程技术来说是有所突破的，是一个“一体式”设计。这一冲压件创新的好处在于呈现出了一个轿跑感强烈的车头。
机盖打开，首先能够发现凌度L采用了双液压顶杆，这一规格在合资A级、A+级产品中都是罕见的，且顶杆后面还出现了强壮的支架，机盖下方的隔音棉也实诚的出现在该出现的地方。而车身内部构件的扎实，相信也能够大大提升消费者对凌渡L作为中国专属销售车型的品质信心。
车身长宽高数据分别为4784/1831/1469mm，轴距2731mm。其中车长比上代车型增加了170mm，轴距增加了75mm。车身比例修长，轿跑车的大掀背特征成为凌渡L外观上的最大亮点。在A+级车型上做轿跑造型，使凌渡L的定位超然，这是一个真正的轿跑造型，具有类似奥迪A5 Sportback的大斜角尾箱，使尾箱对大件物品的装载便利性提升明显。
并且它的车顶线条下滑点尽量靠后，而在后窗后座上方是比较高的，甚至于凌渡L相比上代车型车高也有所增加，所以新一代车型的后排头部空间让我非常惊讶，和上代车型的表现形成了巨大的反差，也感慨轿跑的后排头部空间居然和普通车型相比完全不输。
凌渡L外观设计的第二大亮点也出现在车身侧面——车门车窗采用无框式设计，目前在同级车型里是唯一一例。凌渡L上市后将成为消费者所能买到的“入手门槛最低”的无框式轿跑车型。如果我记漏了哪一款，请在评论区告诉我。
从实车来看，无窗框设计让轿跑风格更浓更正。密封压条设计据上汽大众信息是和上汽奥迪A7L采用同一设计。在防尘防雨等标准上则是要做到和有框车门一致。现场体验时，手贴在门把手内侧时车窗就会自动从压条中释放，开门过程很是顺滑。
凌渡L的尾部设计则是比较挺、比较翘，结合了贯穿式尾灯组和小鸭尾设计，亦是轿跑车的典型审美。凌渡L也如预期那样采用了新鲜感比较强的车漆颜色，类似于纯黑这样的传统颜色的确没有出现在配置单里。
内饰：大众首款双联屏、后排腿部空间提升明显
凌渡L在大众车历史上第一次采用双联屏设计。这个设计放在今天来看本身并不算惊艳，毕竟现在采用这种设计的厂牌太多了。但对大众这一传统稳重的品牌来说，还是让人觉得这个内饰“不是很大众啊”。对年轻人来说这当然很重要，毕竟如果家族化设计过于强烈的话就毫无个性感可言了。
全液晶仪表的尺寸为10英寸，显示细腻，界面信息呈现合理。中控屏尺寸为12英寸，采用和ID.系列最新车型一致的3.0代系统，导航、音乐、无线CarPlay都有提供。每块屏的界面颜色都可以和车内保持氛围灯一致，穿搭感不错。
凌渡L还提供了W-HUD系统，这在合资A+级车里并不多见。MOS3.2智慧车联系统可以和手机远程互联，“再加”一块屏。所以，凌渡L的MQB EVO数字化架构，在数字化上的表现是到位的，而这背后是通信速度提升4倍等数据架构档次的跃升。得益于此，L2驾驶辅助系统在性能的深度和广度上也有升级，如stop&go的表现相比前几年的ACC自适应巡航系统提升幅度就很大。
新款车型的中央扶手区域比较简洁，电子换挡机构尺寸比较小，精致感突出。实际上大小不重要，重要的是手感要好，要好看并且要中用，新挡把未必被男性消费者喜欢，但一定可以让女性消费者有握住它的冲动。
储物格和手机无线充电面板结合，在简洁的中控扶手设计下拿取手机很顺手，没有传统挡把的物理阻挡。
最后是空间体验的部分。轴距加长75mm后，腿部空间得到了革命性的提升。上代车型最让我受不了的一点就是腿部空间实在太狭窄了，如果坐在后排，让人宁愿去乘坐朗逸，这也成为第一代凌渡销量上最大的羁绊——毕竟年轻人也怕家人偶尔做后排的时候唠叨自己吧。
尾门打开，同样是很扎实的两根液压挺杆，行李箱常规容积在523L，第二排放倒后可拓展至1446L，两档数据都有提升。
动力部分是消费者所熟悉的大众1.4T+7速双离合的组合。短期内大概率不会有新发动机以及新能源方面的惊喜，但我认为并不远了。“黄金动力组合”的优势在于成熟、好用、油耗低，尤其是近期油价又高起来了。
驾仕结语>>>
凌渡L作为中国市场专属的车型，此次呈现，相比于大众其它车型的确突破感更为强烈。我认为上汽大众的车型规划是有魄力的，就是年轻人喜欢什么就要往上堆什么——把无框车门、大溜背造型和双联屏堆上去，前脸也像ID.系列那样酷炫。而更长的轴距将有助于提升它的家用属性，补齐了之前的短板。而唯一的潜在难题在于，非常多高规格的配置，将让它的高配车型成本高企，年轻人是否接受，就要看未来的市场表现了。
毫无疑问，凌渡L将继续坚定卡位30岁以下消费群体市场，未来的营销也将是大众车型中最年轻化的。目前国内大众车主的平均年龄是37岁，而第一代凌渡是唯一一款车主平均年龄低于30岁的车型。现在年轻女性消费群体则将是凌度L新的机会，据统计第一代凌渡女性车主只占28%，而全新一代车型颜值这么能打，相信会带来新的增量。
文 | 密斯特张
图 | 作者实拍
景气度高企！芯片代工龙头宣布涨价，13家业绩高增的概念股请收好
提到半导体材料，大家可能最先想到的就是光刻胶，事实上，在半导体材料市场中市场规模最大的细分领域是硅晶圆，其占半导体材料成本的37%，是制造芯片不可或缺的材料。
芯片代工厂涨价潮继续！
消息面上：晶圆代工产能供不应求态势延续，联电将启动新一波长约涨价措施，主要针对营收占比高达三成以上的三大美系客户，涨幅约8%至12%不等，2022年元月起生效。
联电目前美系主要客户包含超微、高通、德仪、辉达等大厂，并握有英飞凌、意法半导体等欧洲大厂订单。
针对调升长约报价，联电强调，此次确实将对部分客户所签订新年度长约，在反映现在市场情况的基础上，进行价格调整。
晶圆代工产能吃紧将延续至明年！
此前，台积电总裁魏哲家表示，出于供应链安全考虑，台积电预计供应链将在较长时间内维持高库存状态，产能紧张状态将持续至 2022 全年，台积电截至目前为止，晶圆代工产能仍供不应求。
国内最大的晶圆代工厂中芯国际也表示：即使产能利用率超过100%，仍不能满足客户需求，北京、深圳厂都在积极扩产。
由于下游需求持续高涨，各大晶圆厂纷纷扩产，产能利用率、晶圆出货量不断走高。
梳理A股市场业绩高增的晶圆纪鬼片概念股，经梳理，三季报净利润增幅超过50%的概念股有13股，其中，沪硅产业和士兰微三季报净利增幅超过10倍。
此外，三季报业绩增幅靠前的还有$中环股份、$神工股份 sh688233$ 、$华润微 sh688396$ 、$中芯国际 hk00981$ 等。
三季报业绩高增的晶圆及硅片概念股！
沪硅产业：2021年三季度净利润同比增长5895.22%；
国产大硅片龙头，公司的主营业务为从事半导体硅片及其他材料的研发,生产和销售。
在半年报中显示：沪硅产业子公司上海新昇300mm半导体硅片产能已达到25万片/月。
此外，沪硅产业子公司新傲科技和Okmetic200mm及以下抛光片、外延片合计产能超过40万片/月，子公司新傲科技和Okmetic200mm及以下SOI硅片合计产能超过5万片/月。
$士兰微 sh600460$ ：2021年三季度净利润同比增长1543.39%；
国内罕有的IDM龙头企业，集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试多个产业链于一身。
公司扩产较快，目前8寸线6.5万片/月，今年可达8万片/月；12寸线12月通线，规划4万片/月，今年可以达产1万片/月。公司规划全部满产同时效率提升，产能折合8寸线可达20万片/月。
$中环股份 sz002129$ ：2021年三季度净利润同比增长226.29%；
半导体硅片国产化龙头，公司主营业务为半导体硅片、半导体功率和整流器件、导体光伏单晶硅片、光伏电池及组件的研发、生产和销售。
中环股份表示：目前公司半导体产能8英寸60万片/月，12英寸7万片/月，，达产后，实现年产能8英寸105万片/月，12英寸62万片/月。项目持续推进，产能逐步提升。
$神工股份 sh688233$ ：2021年三季度净利润同比增长192.30%；
公司的主营业务为单晶硅材材料、硅零部件、半导体级大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售。
目前已完成5 万片/月的产能建设，并暂以每月8000 片的规模进行生产，公司募资8.7 亿元用于建设8 英寸抛光片生产项目，达产后预计实现每年180 万片抛光片与36 万片陪片产能。
$华润微 sh688396$ ：2021年三季度净利润同比增长145.20%；
公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业。
公司拥有2条8英寸产线，产能合计11.1万片/月，并且正在规划一条产能为5万片/月的8英寸产线，公司还拥有三条6英寸产线，产能合计20.6万片/月；另有一条12英寸产线正在规划中。
$中芯国际 hk00981$ ：2021年三季度净利润同比增长137.59%；
国产晶圆制造龙头，公司在中国上海、北京、天津和深圳拥有3个8英寸和4个12英寸生产基地。
其中，成熟制程共拥有3个8英寸晶圆生产基地、2个12英寸晶圆生产基地，产能规模合计近50万片/月。
$至纯科技 sh603690$ ：2021年三季度净利润同比增长127.96%；
国内高纯工艺龙头，参与中芯8寸及12寸产线建设；
至纯科技在新站区落地的晶圆再生项目拟成为国内第一条投产的十二英寸晶圆再生专业工艺服务，该项目以14纳米晶圆厂需求为设计基础，将服务于中国半导体高阶市场。
晶圆再生项目投资总额为21,000.00万元，建设内容主要包括生产车间建设及设备购置。项目建成后，主要开展再生晶圆的加工服务，本项目达产后，将实现年产12英寸硅再生晶圆84万片的产出能力。
$立昂微 sh605358$ ：2021年三季度净利润同比增长119.67%；
国内半导体硅片及分立器件领域领先企业，公司的主营业务是半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售
公司表示，之前较早布局且完成了6英寸、8英寸硅片新产线建设，实施了功率器件芯片制造产线的产能技改提升，较为充分地满足了目前不断趋热的市场需求，主要产品产销量大幅提升。
$扬杰科技 sz300373$ ：2021年三季度净利润同比增长115.17%；
公司是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、封装测试等产业链为一体的IDM企业，在光伏二极管、电源用二极管等细分领域已经取得较高的市场占有率。
晶圆制造环节，拥用4寸、6寸，其中4寸晶圆产能全球第一，为100万片，主要生产常规二极管芯片，包括GPP芯片、车用大功率二极管芯片、防护类芯片；
6寸晶圆产能超过5万片/月，以平面行肖特基二极管为主，并推出多款高压MOSFET；公司亦积极布局8寸产线，以高端MOS和IGBT为主。
$晶盛机电 sz300316$ ：2021年三季度净利润同比增长111.97%；
硅片环节的设备龙头，公司半导体业务覆盖长晶、切片、抛光、外延四大硅片生产装备，目前8英寸半导体长晶设备及加工设备已实现批量销售；12英寸长晶设备、研磨和抛光设备已通过客户验证并实现销售。
21年10月拟定增加码SiC衬底晶片、 12英寸集成电路大硅片设备试验线、半导体材料抛光及减薄设备。
$北方华创 sz002371$ ：2021年三季度净利润同比增长101.57%；
国内半导体设备龙头，主营业务包括电子工艺装备和电子元器件两大块，电子工艺装备覆盖IC、光伏、LED和面板四大泛半导体领域以及真空设备和锂电新能源设备，是目前国内唯一一家具有8英寸立式扩散炉和清洗设备生产能力的公司。
$捷捷微电 sz300623$ ：2021年三季度净利润同比增长100.80%；
国内主要的功率半导体器件供应商，专注于半导体分立器件、电力电子元器件的设计、制造和销售。
公司原有4英寸晶圆年产能160万片，通过募投项目规划新增90万片/年，截至2019年底募投项目拟投入资金投入完毕，其中半导体防护器件建设项目已达预计效益，新建产线产能持续提升中。
此外，公司通过定增项目规划新建4英寸晶圆年产能150万片，6英寸晶圆年产能60万片，建成后公司晶圆生产能力将达到国内先进水平。
$中晶科技 sz003026$ ：2021年三季度净利润同比增长83.62%；
高品质半导体硅材料制造商，主要产品为半导体硅片及半导体硅棒，在我国半导体分立器件用硅单晶材料的硅研磨片细分领域占据领先的市场地位。@趋势猎手--程哥 #股票##A股##财经#
提到半导体材料，大家可能最先想到的就是光刻胶，事实上，在半导体材料市场中市场规模最大的细分领域是硅晶圆，其占半导体材料成本的37%，是制造芯片不可或缺的材料。
芯片代工厂涨价潮继续！
消息面上：晶圆代工产能供不应求态势延续，联电将启动新一波长约涨价措施，主要针对营收占比高达三成以上的三大美系客户，涨幅约8%至12%不等，2022年元月起生效。
联电目前美系主要客户包含超微、高通、德仪、辉达等大厂，并握有英飞凌、意法半导体等欧洲大厂订单。
针对调升长约报价，联电强调，此次确实将对部分客户所签订新年度长约，在反映现在市场情况的基础上，进行价格调整。
晶圆代工产能吃紧将延续至明年！
此前，台积电总裁魏哲家表示，出于供应链安全考虑，台积电预计供应链将在较长时间内维持高库存状态，产能紧张状态将持续至 2022 全年，台积电截至目前为止，晶圆代工产能仍供不应求。
国内最大的晶圆代工厂中芯国际也表示：即使产能利用率超过100%，仍不能满足客户需求，北京、深圳厂都在积极扩产。
由于下游需求持续高涨，各大晶圆厂纷纷扩产，产能利用率、晶圆出货量不断走高。
梳理A股市场业绩高增的晶圆纪鬼片概念股，经梳理，三季报净利润增幅超过50%的概念股有13股，其中，沪硅产业和士兰微三季报净利增幅超过10倍。
此外，三季报业绩增幅靠前的还有$中环股份、$神工股份 sh688233$ 、$华润微 sh688396$ 、$中芯国际 hk00981$ 等。
三季报业绩高增的晶圆及硅片概念股！
沪硅产业：2021年三季度净利润同比增长5895.22%；
国产大硅片龙头，公司的主营业务为从事半导体硅片及其他材料的研发,生产和销售。
在半年报中显示：沪硅产业子公司上海新昇300mm半导体硅片产能已达到25万片/月。
此外，沪硅产业子公司新傲科技和Okmetic200mm及以下抛光片、外延片合计产能超过40万片/月，子公司新傲科技和Okmetic200mm及以下SOI硅片合计产能超过5万片/月。
$士兰微 sh600460$ ：2021年三季度净利润同比增长1543.39%；
国内罕有的IDM龙头企业，集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试多个产业链于一身。
公司扩产较快，目前8寸线6.5万片/月，今年可达8万片/月；12寸线12月通线，规划4万片/月，今年可以达产1万片/月。公司规划全部满产同时效率提升，产能折合8寸线可达20万片/月。
$中环股份 sz002129$ ：2021年三季度净利润同比增长226.29%；
半导体硅片国产化龙头，公司主营业务为半导体硅片、半导体功率和整流器件、导体光伏单晶硅片、光伏电池及组件的研发、生产和销售。
中环股份表示：目前公司半导体产能8英寸60万片/月，12英寸7万片/月，，达产后，实现年产能8英寸105万片/月，12英寸62万片/月。项目持续推进，产能逐步提升。
$神工股份 sh688233$ ：2021年三季度净利润同比增长192.30%；
公司的主营业务为单晶硅材材料、硅零部件、半导体级大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和销售。
目前已完成5 万片/月的产能建设，并暂以每月8000 片的规模进行生产，公司募资8.7 亿元用于建设8 英寸抛光片生产项目，达产后预计实现每年180 万片抛光片与36 万片陪片产能。
$华润微 sh688396$ ：2021年三季度净利润同比增长145.20%；
公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业。
公司拥有2条8英寸产线，产能合计11.1万片/月，并且正在规划一条产能为5万片/月的8英寸产线，公司还拥有三条6英寸产线，产能合计20.6万片/月；另有一条12英寸产线正在规划中。
$中芯国际 hk00981$ ：2021年三季度净利润同比增长137.59%；
国产晶圆制造龙头，公司在中国上海、北京、天津和深圳拥有3个8英寸和4个12英寸生产基地。
其中，成熟制程共拥有3个8英寸晶圆生产基地、2个12英寸晶圆生产基地，产能规模合计近50万片/月。
$至纯科技 sh603690$ ：2021年三季度净利润同比增长127.96%；
国内高纯工艺龙头，参与中芯8寸及12寸产线建设；
至纯科技在新站区落地的晶圆再生项目拟成为国内第一条投产的十二英寸晶圆再生专业工艺服务，该项目以14纳米晶圆厂需求为设计基础，将服务于中国半导体高阶市场。
晶圆再生项目投资总额为21,000.00万元，建设内容主要包括生产车间建设及设备购置。项目建成后，主要开展再生晶圆的加工服务，本项目达产后，将实现年产12英寸硅再生晶圆84万片的产出能力。
$立昂微 sh605358$ ：2021年三季度净利润同比增长119.67%；
国内半导体硅片及分立器件领域领先企业，公司的主营业务是半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售
公司表示，之前较早布局且完成了6英寸、8英寸硅片新产线建设，实施了功率器件芯片制造产线的产能技改提升，较为充分地满足了目前不断趋热的市场需求，主要产品产销量大幅提升。
$扬杰科技 sz300373$ ：2021年三季度净利润同比增长115.17%；
公司是国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、封装测试等产业链为一体的IDM企业，在光伏二极管、电源用二极管等细分领域已经取得较高的市场占有率。
晶圆制造环节，拥用4寸、6寸，其中4寸晶圆产能全球第一，为100万片，主要生产常规二极管芯片，包括GPP芯片、车用大功率二极管芯片、防护类芯片；
6寸晶圆产能超过5万片/月，以平面行肖特基二极管为主，并推出多款高压MOSFET；公司亦积极布局8寸产线，以高端MOS和IGBT为主。
$晶盛机电 sz300316$ ：2021年三季度净利润同比增长111.97%；
硅片环节的设备龙头，公司半导体业务覆盖长晶、切片、抛光、外延四大硅片生产装备，目前8英寸半导体长晶设备及加工设备已实现批量销售；12英寸长晶设备、研磨和抛光设备已通过客户验证并实现销售。
21年10月拟定增加码SiC衬底晶片、 12英寸集成电路大硅片设备试验线、半导体材料抛光及减薄设备。
$北方华创 sz002371$ ：2021年三季度净利润同比增长101.57%；
国内半导体设备龙头，主营业务包括电子工艺装备和电子元器件两大块，电子工艺装备覆盖IC、光伏、LED和面板四大泛半导体领域以及真空设备和锂电新能源设备，是目前国内唯一一家具有8英寸立式扩散炉和清洗设备生产能力的公司。
$捷捷微电 sz300623$ ：2021年三季度净利润同比增长100.80%；
国内主要的功率半导体器件供应商，专注于半导体分立器件、电力电子元器件的设计、制造和销售。
公司原有4英寸晶圆年产能160万片，通过募投项目规划新增90万片/年，截至2019年底募投项目拟投入资金投入完毕，其中半导体防护器件建设项目已达预计效益，新建产线产能持续提升中。
此外，公司通过定增项目规划新建4英寸晶圆年产能150万片，6英寸晶圆年产能60万片，建成后公司晶圆生产能力将达到国内先进水平。
$中晶科技 sz003026$ ：2021年三季度净利润同比增长83.62%；
高品质半导体硅材料制造商，主要产品为半导体硅片及半导体硅棒，在我国半导体分立器件用硅单晶材料的硅研磨片细分领域占据领先的市场地位。@趋势猎手--程哥 #股票##A股##财经#
第三代半导体专题研究报告：
1、第三代半导体大势所趋
1.1、什么是第三代半导体
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体（碳化硅等）禁带宽度大，电导率高、热导率高。硅基因为结 构简单，自然界储备量大，制备相对容易，被广泛应用半导体的各个领域，其中以处理信息的集成电路最为 主要。在高压、高功率、高频的分立器件领域，硅因其窄带隙，较低热导率和较低击穿电压限制了其在该领 域的应用，因而发展出宽禁带、耐高压、高热导率、高频的第二/三代半导体。
三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。
现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论，能带理 论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不导电。当晶体受 到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器件失效，禁带宽度代表了 器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、 高功率能力。
第三代半导体材料能量密度更高。
以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5-8W/mm， 远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的功率和电压，在承受 相同的功率和电压时，器件体积可变得更小。
碳化硅更适合作为衬底材料。
半导体芯片结构分为衬底、外延和器件结构。衬底通常起支撑作用，外延为器件所需的特定薄膜，器件结构 即利用光刻刻蚀等工序加工出具有一定电路图形的拓扑结构。
碳化硅热导率高于氮化镓。第三代半导体的应用场景通常为高温、高压、高功率场景，器件需要具有较好的 耐高温和散热能力，以保证器件的工作寿命。碳化硅的热导率是氮化镓热导率的约3倍，具有更强的导热能力， 器件寿命更长，可靠性更高，系统所需的散热系统更小。
氮化镓单晶生长困难。氮化镓因为生长速率慢，反应副产物多，生产工艺复杂，大尺寸单晶生长困难，目前 氮化镓单晶生长尺寸在2英寸和4英寸，相比碳化硅难度更高。因此第三代半导体目前普遍采用碳化硅作为衬 底材料，在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延，在高频领域选择氮化镓外延。
1.2、碳化硅
碳化硅衬底器件体积小。由于碳化硅具有较高的禁带宽度，碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率，其 器件体积可变得更小，约为硅基器件的1/10。• 碳化硅器件电阻更小。同样由于碳化硅较高的禁带宽度，碳化硅器件可进行重掺杂，碳化硅器件的电阻将变 得更低，约为硅基器件的1/100。
碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损 失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量 损失的30%-50%之间。
碳化硅器件的能量损失更小。相较于硅基IGBT，碳化硅MOSFET电动车的续航里程更长。对于EPA 城市路况，碳化硅MOSFET相较于硅基 IGBT，将节省77%的能量损耗；对于EPA 高速路况，碳化硅MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能量损耗的节省导致车辆续航里程的增加，使用碳化硅MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5- 10%的续航里程。
碳化硅基器件应用空间广阔。第三代半导体目前主流器件形式为碳化硅基-碳化硅外延功率器件、碳化硅基-氮化镓外延射频器件，用以实现 AC->AC(变压器)、AC->DC(整流器)、DC->AC(逆变器)、DC->DC(升降压变换器)，碳化硅器件更适合高压和高 可靠性情景，应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件更适合高频情况，应用在5G基站等领域。
1.3、产业规模持续上涨
目前第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G 基站、PD 快充等应用领域，碳化硅主要 应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020 年我国第三代半导体产业电力 电子和射频电子总产值超过 100 亿元，同比增长 69.5%。其中，SiC、GaN 电力电子产值规模达 44.7 亿元， 同比增长 54%；GaN 微波射频产值达到 60.8亿元，同比增长 80.3%。
碳化硅功率器件市场增速快。碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电 桩等，光伏、风电等领域。受益新能源汽车的放量，碳化硅功率器件市场将快速增长。根据Yole数据，2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美金，复合增速约51%，按照该 复合增速，2027年碳化硅功率器件市场规模约172亿美金。
碳化硅衬底材料市场增速快。受益新能源汽车的放量和5G建设应用的推广，碳化硅衬底材料市场规模有望实现快速增长。根据Yole统计，碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，复合增速达 44%。按照该复合增速，2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美金。
2、碳化硅和氮化镓产业链环节梳理
2.1、碳化硅产业链主要厂商
碳化硅产业链环节分为设备、衬底片、外延片和器件环节。从事衬底片的国内厂商主要有露笑科技、三安光电、 天科合达、山东天岳等；从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和东莞天域等；从事碳化硅功率器件的厂 商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。
2.2、氮化镓产业链主要厂商
氮化镓产业链分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有 从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂 商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器件的厂商主要 有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
3、中国第三代半导体群雄并起
3.1、CREE：全球碳化硅市场龙头
CREE是全球碳化硅市场龙头企业，子公司Wolfspeed从事碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、功率器件、射 频器件等产品的技术研究与生产制造。
CREE占据导电型SiC衬底市场62%的份额，其碳化硅衬底产品包括4英寸至6英寸导电型和半绝缘型，8英寸产品 且已成功研发并开始建设生产线。2017-2019年Wolfspeed营收持续增长，分别为2.21、3.29、5.38亿美元，2020年受疫情影响收入有所下降，为 4.71亿美元。
3.2、三安光电：化合物半导体全产业链布局
子公司三安集成承接化合物半导体业务，布局砷化镓、氮化镓、碳化硅、光通讯和滤波器五大板块。三安集成 2018-2020年收入分别为1.71、2.41、9.73亿元。公司碳化硅业务布局衬底、外延、器件全产业链，主要应用 在光伏和储能等领域，应用包括服务器电源、矿机电源、新能源汽车等。
碳化硅衬底布局情况：湖南三安收购北电新材，北电新材2019年拟在福建投资建设碳化硅衬底生产项目，规 划年产能3.6万片。公司在长沙投资建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，是国内首条碳 化硅垂直整合产业链，月产3万片（6英寸），预计将实现年销售额120亿元。
3.3、山东天岳：国内半绝缘型SiC衬底龙头
2018-2020年，公司收入逐年增长， 2020年实现营收4.25亿元；净利润水平下降系公司实施股权激励所致。2019年公司确认股份支付费用2.36亿元，2020年确认6.58亿元。• 扣除股份支付费用后，2019年公司实现净利润3561万元，2020年实现净利润1680万元。
报告节选：…
1、第三代半导体大势所趋
1.1、什么是第三代半导体
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体（碳化硅等）禁带宽度大，电导率高、热导率高。硅基因为结 构简单，自然界储备量大，制备相对容易，被广泛应用半导体的各个领域，其中以处理信息的集成电路最为 主要。在高压、高功率、高频的分立器件领域，硅因其窄带隙，较低热导率和较低击穿电压限制了其在该领 域的应用，因而发展出宽禁带、耐高压、高热导率、高频的第二/三代半导体。
三代半导体材料之间的主要区别是禁带宽度。
现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论，能带理 论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不导电。当晶体受 到外界能量激发（如高压），电子被激发到导带，晶体导电，此时晶体被击穿，器件失效，禁带宽度代表了 器件的耐高压能力。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、 高功率能力。
第三代半导体材料能量密度更高。
以氮化镓为例，其形成的HEMT器件结构中，其能量密度约为5-8W/mm， 远高于硅基MOS器件和砷化镓射频器件的0.5-1W/mm的能量密度，器件可承受更高的功率和电压，在承受 相同的功率和电压时，器件体积可变得更小。
碳化硅更适合作为衬底材料。
半导体芯片结构分为衬底、外延和器件结构。衬底通常起支撑作用，外延为器件所需的特定薄膜，器件结构 即利用光刻刻蚀等工序加工出具有一定电路图形的拓扑结构。
碳化硅热导率高于氮化镓。第三代半导体的应用场景通常为高温、高压、高功率场景，器件需要具有较好的 耐高温和散热能力，以保证器件的工作寿命。碳化硅的热导率是氮化镓热导率的约3倍，具有更强的导热能力， 器件寿命更长，可靠性更高，系统所需的散热系统更小。
氮化镓单晶生长困难。氮化镓因为生长速率慢，反应副产物多，生产工艺复杂，大尺寸单晶生长困难，目前 氮化镓单晶生长尺寸在2英寸和4英寸，相比碳化硅难度更高。因此第三代半导体目前普遍采用碳化硅作为衬 底材料，在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延，在高频领域选择氮化镓外延。
1.2、碳化硅
碳化硅衬底器件体积小。由于碳化硅具有较高的禁带宽度，碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率，其 器件体积可变得更小，约为硅基器件的1/10。• 碳化硅器件电阻更小。同样由于碳化硅较高的禁带宽度，碳化硅器件可进行重掺杂，碳化硅器件的电阻将变 得更低，约为硅基器件的1/100。
碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损 失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间；800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量 损失的30%-50%之间。
碳化硅器件的能量损失更小。相较于硅基IGBT，碳化硅MOSFET电动车的续航里程更长。对于EPA 城市路况，碳化硅MOSFET相较于硅基 IGBT，将节省77%的能量损耗；对于EPA 高速路况，碳化硅MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能量损耗的节省导致车辆续航里程的增加，使用碳化硅MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5- 10%的续航里程。
碳化硅基器件应用空间广阔。第三代半导体目前主流器件形式为碳化硅基-碳化硅外延功率器件、碳化硅基-氮化镓外延射频器件，用以实现 AC->AC(变压器)、AC->DC(整流器)、DC->AC(逆变器)、DC->DC(升降压变换器)，碳化硅器件更适合高压和高 可靠性情景，应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件更适合高频情况，应用在5G基站等领域。
1.3、产业规模持续上涨
目前第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G 基站、PD 快充等应用领域，碳化硅主要 应用在新能源汽车和工控等领域，氮化镓器件主要应用在5G基站等领域。2020 年我国第三代半导体产业电力 电子和射频电子总产值超过 100 亿元，同比增长 69.5%。其中，SiC、GaN 电力电子产值规模达 44.7 亿元， 同比增长 54%；GaN 微波射频产值达到 60.8亿元，同比增长 80.3%。
碳化硅功率器件市场增速快。碳化硅功率器件被广泛应用于新能源汽车中的主驱逆变器、DC/DC转换器、充电系统中的车载充电机和充电 桩等，光伏、风电等领域。受益新能源汽车的放量，碳化硅功率器件市场将快速增长。根据Yole数据，2018年和2024年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和50亿美金，复合增速约51%，按照该 复合增速，2027年碳化硅功率器件市场规模约172亿美金。
碳化硅衬底材料市场增速快。受益新能源汽车的放量和5G建设应用的推广，碳化硅衬底材料市场规模有望实现快速增长。根据Yole统计，碳化硅衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美金增长到2024年的11亿美金，复合增速达 44%。按照该复合增速，2027年碳化硅衬底材料市场规模将达到约33亿美金。
2、碳化硅和氮化镓产业链环节梳理
2.1、碳化硅产业链主要厂商
碳化硅产业链环节分为设备、衬底片、外延片和器件环节。从事衬底片的国内厂商主要有露笑科技、三安光电、 天科合达、山东天岳等；从事碳化硅外延生长的厂商主要有瀚天天成和东莞天域等；从事碳化硅功率器件的厂 商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。
2.2、氮化镓产业链主要厂商
氮化镓产业链分为衬底、外延片和器件环节。尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有 从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；从事氮化镓外延片的国内厂 商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等；从事氮化镓器件的厂商主要 有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
3、中国第三代半导体群雄并起
3.1、CREE：全球碳化硅市场龙头
CREE是全球碳化硅市场龙头企业，子公司Wolfspeed从事碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、功率器件、射 频器件等产品的技术研究与生产制造。
CREE占据导电型SiC衬底市场62%的份额，其碳化硅衬底产品包括4英寸至6英寸导电型和半绝缘型，8英寸产品 且已成功研发并开始建设生产线。2017-2019年Wolfspeed营收持续增长，分别为2.21、3.29、5.38亿美元，2020年受疫情影响收入有所下降，为 4.71亿美元。
3.2、三安光电：化合物半导体全产业链布局
子公司三安集成承接化合物半导体业务，布局砷化镓、氮化镓、碳化硅、光通讯和滤波器五大板块。三安集成 2018-2020年收入分别为1.71、2.41、9.73亿元。公司碳化硅业务布局衬底、外延、器件全产业链，主要应用 在光伏和储能等领域，应用包括服务器电源、矿机电源、新能源汽车等。
碳化硅衬底布局情况：湖南三安收购北电新材，北电新材2019年拟在福建投资建设碳化硅衬底生产项目，规 划年产能3.6万片。公司在长沙投资建设碳化硅等化合物第三代半导体等的研发及产业化项目，是国内首条碳 化硅垂直整合产业链，月产3万片（6英寸），预计将实现年销售额120亿元。
3.3、山东天岳：国内半绝缘型SiC衬底龙头
2018-2020年，公司收入逐年增长， 2020年实现营收4.25亿元；净利润水平下降系公司实施股权激励所致。2019年公司确认股份支付费用2.36亿元，2020年确认6.58亿元。• 扣除股份支付费用后，2019年公司实现净利润3561万元，2020年实现净利润1680万元。
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