辅修成绩能用于留学申请吗?
辅修成绩能用于留学申请吗？就此问题我们询问了宇青留学规划师邵老师，邵老师给我们分享了他的看法。
邵老师认为在申请大学的时候，无论是你的主修成绩还是辅修成绩都是要提交的。不同国家的院校对于你的主修成绩和复修成绩的认可是不一样的。
如果我们申请的是加拿大的大学，它是以你最后一半学期的成绩来进行认定的，也就是如果你上了4年的大学，你从大三到大四这两年的成绩是被大学所审核的，无论你这两年的成绩是主修为主还是辅修为主都不重要，只是看时间。
如果申请的是美国的大学，是会看4年的成绩，但是会主要看和你申请专业有关的课程。申请英国或澳大利亚的大学，也是会看所有的成绩，但是会侧重于看相关联的课程。所以如果要申请硕士的时候，你的成绩总分还不错，然后辅修和你要申请的专业关联度比较大，那样是不会影响到你的申请的，但是如果你的储修成绩比较好，而主修成绩不是特别优秀，是会影响到你的申请的。
总之邵老师认为辅修是一个加分项，并不是一个减分项，学校并不会因为你是主修还是辅修，而特别的区分对待，主要还是要看课程的关联度。
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从去年到现在，断断续续有人说我像张雨剑、屈楚萧、邓伦、宋威龙……其实只是拍照角度不同而已[失望]最让我开心的是我们班有两个男生说如果他们长我这张脸，不愁找不到女朋友……另外还有学长夸我长得帅，而且还是很真诚地[感冒][awsl][awsl][打call][打call][举手][举手][举手]我真的很开心，他们给了我很多勇气
我们班女生说我像邓伦，高中同学也这么说[嘻嘻][嘻嘻][嘻嘻]其实我最像我爹，因为他和邓伦也长得特别像

台积电计划2025年实现N2环栅场效应晶体管芯片量产
台积电刚刚在 2022 技术研讨会期间披露了 N2 工艺的一些技术细节，预计可在 2025 年的某个时候投入 2nm 级全栅场效应晶体管（GAAFET）的生产。届时新节点将使得芯片设计人员能够显著降低其芯片功耗，但频率和晶体管密度的改进似乎不太明显。
作为一个全新的平台，台积电 N2 节点将结合 GAAFET 纳米片晶体管和背面供电工艺、并运用广泛的极紫外光刻（EUV）技术。
● 新型环栅晶体管（GAAFET）结构具有广为人知的诸多优势，比如极大地改善漏电（当前栅极围绕沟道的所有四条边），并可通过调节沟道宽度以提升性能、或降低芯片功耗。 ● 至于背面供电，其能够为晶体管带来更好的能量输送（提升性能 / 降低功耗），是应对 BEOL 后端电阻增加问题的一个出色解决方案。
（截图 via AnandTech）
功能特性方面，台积电 N2 看起来也是一项非常有前途的技术。官方宣称可让芯片设计人员在相同功率 / 晶体管数量下，将性能提升 10~15% 。
或在相同频率 / 复杂度下，将功耗降低 25~30% 。同时与 N3E 节点相比，N2 节点可让芯片密度增加 1.1 倍以上。
不过需要指出的是，台积电公布的“芯片密度”参数，综合考虑了 50% 的逻辑、30% 的 SRAM、以及 20% 的模拟组件。
遗憾的是，N2 相较于 N3E 的芯片密度提升（反映晶体管密度的增益）仅为 10% 。不过从 N3 到 N3E 的演进来看，那时的晶体管密度提升就已经不太鼓舞人心了。
换言之，现如今的 SRAM 和模拟电路已经遇到了发展瓶颈。对于 GPU 等严重依赖晶体管数量快速增长的应用场景来说，三年大约 10% 的密度提升，也绝对不是个好消息。
此外在 N2 投产的同时，台积电也会同时拥有密度优化的 N3S 节点。看到这家代工巨头在两种不同类型的工艺上齐头并进，这样的情景也是相当罕见的。
如果一切顺利，台积电有望于 2024 下半年开启 N2 工艺的风险试产，并于 2025 下半年投入商用芯片的量产。
然后考虑到半导体的生产周期，预计首批搭载 N2 芯片的终端设备，要到 2025 年末、甚至 2026 年才会上市。