【三星宣布量产3纳米GAA芯片 时隔8年再建半导体研发中心[威武]】三星电子30日正式宣布，该公司已开始在其位于京畿道华城的第三工厂量产基于3纳米全环绕栅极（Gate-All-Around，简称GAA）制程工艺节点的芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的制造商。#三星宣布已量产3纳米芯片#
3纳米工艺是目前已有半导体制程中最先进的技术，与传统的5纳米芯片相比，3纳米工艺可降低45%的功耗，性能提高23%，芯片面积减少16%。三星电子在全球率先采用的GAA技术打破了现有FinFET（鳍式场效应晶体管）的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流提高芯片性能。三星电子称，预计于明年起采用的第二代3纳米工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积缩小35%。
三星电子计划先将3纳米制程应用于高性能计算领域（HPC, High-Performance Computing）的系统半导体芯片，并逐步扩大至处理器领域。
三星电子希望借此次率先量产3纳米芯片缩小与全球最大芯片代工商台积电的距离。截至今年第一季度，台积电占据全球53.6%的代工市场，三星电子虽排名第二，但市场份额仅为16.3%。
另据半导体业界消息，三星电子在京畿道龙仁市器兴区将新建一座研发中心，由三星物产负责项目施工。这是三星电子继2014年在华城成立设备解决方案研究中心（DSR）后，时隔8年再成立研发基地。已故三星会长李秉喆于上世纪80年代在器兴开始研究半导体，象征意义重大。
三星电子此间一直以华城DSR研究中心、半导体研究所（SRD）等为中心研发半导体技术，但现有设备、工作空间已无法满足日益增长的研究需求。新研发中心预计主要用于进行晶圆代工、内存芯片等尖端技术的研究，三星电子有望借此强化半导体产业基础，吸引更多的技术人才。
三星电子副会长李在镕日前出访欧洲时，实地考察了荷兰阿斯麦尔、比利时imec的半导体研究基地，切身感受到技术创新的重要性。在新一轮技术大战中，三星的竞争对手争先恐后进行科研创新，台积电日前在日本成立研发中心，科研基础设施遍布全球多地。英特尔、中芯国际等也在积极上马科研投资项目。
在被视为未来半导体技术的3D DRAM、High·NA光刻机、6亿像素传感器等领域，全球尚未出现绝对的霸主，三星电子将借器兴科研中心的成立吸引高端人才抢占先机。
3纳米工艺是目前已有半导体制程中最先进的技术，与传统的5纳米芯片相比，3纳米工艺可降低45%的功耗，性能提高23%，芯片面积减少16%。三星电子在全球率先采用的GAA技术打破了现有FinFET（鳍式场效应晶体管）的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时通过增加驱动电流提高芯片性能。三星电子称，预计于明年起采用的第二代3纳米工艺将使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积缩小35%。
三星电子计划先将3纳米制程应用于高性能计算领域（HPC, High-Performance Computing）的系统半导体芯片，并逐步扩大至处理器领域。
三星电子希望借此次率先量产3纳米芯片缩小与全球最大芯片代工商台积电的距离。截至今年第一季度，台积电占据全球53.6%的代工市场，三星电子虽排名第二，但市场份额仅为16.3%。
另据半导体业界消息，三星电子在京畿道龙仁市器兴区将新建一座研发中心，由三星物产负责项目施工。这是三星电子继2014年在华城成立设备解决方案研究中心（DSR）后，时隔8年再成立研发基地。已故三星会长李秉喆于上世纪80年代在器兴开始研究半导体，象征意义重大。
三星电子此间一直以华城DSR研究中心、半导体研究所（SRD）等为中心研发半导体技术，但现有设备、工作空间已无法满足日益增长的研究需求。新研发中心预计主要用于进行晶圆代工、内存芯片等尖端技术的研究，三星电子有望借此强化半导体产业基础，吸引更多的技术人才。
三星电子副会长李在镕日前出访欧洲时，实地考察了荷兰阿斯麦尔、比利时imec的半导体研究基地，切身感受到技术创新的重要性。在新一轮技术大战中，三星的竞争对手争先恐后进行科研创新，台积电日前在日本成立研发中心，科研基础设施遍布全球多地。英特尔、中芯国际等也在积极上马科研投资项目。
在被视为未来半导体技术的3D DRAM、High·NA光刻机、6亿像素传感器等领域，全球尚未出现绝对的霸主，三星电子将借器兴科研中心的成立吸引高端人才抢占先机。
三星宣布量产3纳米芯片，全球首家
三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm芯片。
三星电子称，其3nm制程正在使用MBCFET（Multi-Bridge-Channel，多桥通道晶体管）技术，这是基于GAA晶体管结构的一种技术。该技术通过降低供应电源水平，提升了芯片电流和功率，首次突破了FinFET晶体管（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）的性能限制。三星称比传统 5 纳米芯片降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。而第二代3nm制程将有进一步的优化，将降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面积。
外媒报道，中国矿机芯片公司将成为三星电子3nm制程的首位客户，高通也预定了三星电子的3nm制程。
三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm芯片。
三星电子称，其3nm制程正在使用MBCFET（Multi-Bridge-Channel，多桥通道晶体管）技术，这是基于GAA晶体管结构的一种技术。该技术通过降低供应电源水平，提升了芯片电流和功率，首次突破了FinFET晶体管（Fin Field-Effect Transistor，鳍式场效应晶体管）的性能限制。三星称比传统 5 纳米芯片降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。而第二代3nm制程将有进一步的优化，将降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面积。
外媒报道，中国矿机芯片公司将成为三星电子3nm制程的首位客户，高通也预定了三星电子的3nm制程。
#三星宣布已量产3纳米芯片#
据相关消息显示，三星已开始大规模生产3nm半导体芯片，这将令其成为全球首家量产3nm芯片的公司。信息表明，与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构可大幅度改善功率效率。而在该公司的一份声明中，其表示此次量产的3nm芯片在与传统5nm芯片相比时，功耗方面可降低45%，性能则提高23%，并同时减少了16%的面积。
据相关消息显示，三星已开始大规模生产3nm半导体芯片，这将令其成为全球首家量产3nm芯片的公司。信息表明，与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构可大幅度改善功率效率。而在该公司的一份声明中，其表示此次量产的3nm芯片在与传统5nm芯片相比时，功耗方面可降低45%，性能则提高23%，并同时减少了16%的面积。
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