【IWAPS】3D-NAND两次Memory Hole刻蚀工艺的OVL测量
来自YMTC 长江存储的Dean Wu 吴振国报告指出随着3D-NAND闪存芯片存储密度的不断增加，堆叠的层数和总高度也在不断增加；从而导致由于局部图形设计不同而产生的应力不匹配的问题更严重和同样也带来了更高深宽比刻蚀制程。局部应力不匹配将导致传统的切割道位置套刻误差(OVL)Mark不能再代表芯片内部的OVL，更高的深宽比蚀刻制程也将导致更严重的倾斜。3D-NAND最具挑战性的制程就是高深宽比Memory hole的刻蚀，在叠加高度增加的过程中Memory hole的刻蚀工艺可能会达到一些很难突破的瓶颈，因此在3D-DAND制程中引入了两次Memory hole刻蚀的工艺，对于两次Memory hole刻蚀的工艺，下层和上层连接处的OVL是最关键的也是最大的挑战。但不幸的是，应力和上层Memory hole的倾斜都会影响OVL测量。如何准确地测量连接位置的OVL是两次Memory hole刻蚀工艺的最关键的基本要求之一。这篇报告将介绍一种光学测量方法，它可以直接测量device pattern在连接位置处的OVL，其精度与SEM OVL相当，而且具有更快的量测速度。

2019。123Y7M17DAND3M圣诞快乐星期三， 三个小朋友希望您长大健康， 安全快乐。 QQ， 您今天醒来，跳了开门。 一打开它， 这让您感到委屈，并打电话给Baba说圣诞老人没有来。门口没有礼物[云贝]看来，如果您的老父亲说是下一秒钟， 他会崩溃然后再次哭泣。 哇， 在床边 然后在房间里兴奋地大喊，然后坐在地板上快乐地打开礼物当我从学校回来时， 我带了爸爸，一起玩了布鲁克街区。 我喜欢它，我很满意。 当我洗脸刷牙时， 我问圣诞老人是否会在晚上再次给您礼物。[允悲]

#考研# #考研复试#
1，西安交通大学，有同学收到信息要求线上确认复试科目。
2，郑州大学研招宣传员工作团: 「复试线在下周二、三公布，复试拟采用网络远程方式。」
3，山东自然资源部第一海洋研究所:复试要求准备电子版资料。
4，中共黑龙江省委dand校: 「2020年申请我校调剂的考生，一经录取，三年学费减半收取。调剂名额58个。」
https://t.cn/A6w0OEj0
5，浙江工商，计算机学院有扩招，拟采用钉钉复试。(消息不能保证，有在该群内的同学可以现身说法吗。[话筒])

最近准备调剂的同学，可以多留意一些研究院所和地方党校，名额也不少，难度也低一点点。