#交大新闻# 【西安交大科研人员在超宽禁带半导体材料研究领域取得重要进展】近日，西安交大电子学院先进光电所云峰教授团队在六方氮化硼薄膜大面积制备及剥离方面取得了重要进展。研究团队通过磁控溅射法制备了晶圆级连续hBN厚膜，并对2英寸的完整薄膜进行了剥离和转移。团队成员通过旋涂PMMA辅助的液相剥离方法，使2英寸hBN薄膜完整剥离并转移，并系统分析了影响溅射生长薄膜剥离和转移过程的一些关键因素，包括不同的溶液、不同的溶液浓度和不同的薄膜厚度。对剥离前后hBN薄膜的形貌和性能进行了表征，转移薄膜的带边吸收峰为229 nm，相应的光学带隙为5.50 eV。这种转移的hBN薄膜已在ITO玻璃上制成透明电阻开关器件，即使在不同的外加电压下，也显示出~102的恒定电阻窗口。本研究成果为六方氮化硼材料在柔性及透明光电子器件中的进一步应用奠定了基础。https://t.cn/A6a0cmMS

【院士专家为霍尔果斯数字经济发展把脉】7月13日，由自治区科协组织的“院士新疆行”活动数字经济调研组的院士、专家们抵达伊犁哈萨克自治州考察。院士、专家们在参观了霍尔果斯市部分企业后，就当地如何用好优势发展数字经济给出了建议。院士、专家们先后来到霍尔果斯现代农业科技产业园、天翼国际云计算中心（霍尔果斯）、三优富信光电半导体产业园等地进行了参观调研。https://t.cn/A6apF4DP

【院士专家为霍尔果斯数字经济发展把脉】7月13日，由自治区科协组织的“院士新疆行”活动数字经济调研组的院士、专家们抵达伊犁哈萨克自治州考察。院士、专家们在参观了霍尔果斯市部分企业后，就当地如何用好优势发展数字经济给出了建议。院士、专家们先后来到霍尔果斯现代农业科技产业园、天翼国际云计算中心（霍尔果斯）、三优富信光电半导体产业园等地进行了参观调研。https://t.cn/A6apF4DP