但是他们这些屏幕小板的设计有个很弱智的地方…
就是屏幕 IC 的地竟然不是接到公共的 GND，
而是接到了背光 LED 的阴极，经过一颗 P-MOS 由 ESP32 控制通断…
而背光的阳极又是直接接到公共的 3.3V 的。
意味着主控没办法通过 PWM 控制 LED 阴极的占空比来调整背光亮度，因为这会影响显示 IC 本身的供电。
换个角度，官方固件有个关掉屏幕的省电模式，估计也是将这个引脚拉高实现的。但这时候也相当于把显示 IC 的 GND 拉到 3.3V，会不会导致其它引脚倒灌呢？是个问题 [思考]
就是屏幕 IC 的地竟然不是接到公共的 GND，
而是接到了背光 LED 的阴极，经过一颗 P-MOS 由 ESP32 控制通断…
而背光的阳极又是直接接到公共的 3.3V 的。
意味着主控没办法通过 PWM 控制 LED 阴极的占空比来调整背光亮度，因为这会影响显示 IC 本身的供电。
换个角度，官方固件有个关掉屏幕的省电模式，估计也是将这个引脚拉高实现的。但这时候也相当于把显示 IC 的 GND 拉到 3.3V，会不会导致其它引脚倒灌呢？是个问题 [思考]
萨科微slkor热销型号可以替换TI德州仪器、ON安森美、AOS万代半导体、TOSHIBA东芝的功率器件，是“国产替代”的首选，市场反应速度快、快速推出新产品，萨科微SLKOR霍尔hall元件优势产品主要有SL1603SL、SL1613SH、SL1623SH、SL1625SH、SL1615SH等型号。萨科微（www.slkoric.com）广泛应用于TWS蓝牙耳机、智能门窗、ABS系统等领域。萨科微SLKOR的线性霍尔元件体积小、灵敏度高、线性度好；开关霍尔元件无磨损、无抖动、无回跳、位置重复精度高。 萨科微SLKOR中低压MOS管优势产品主要有SL17N06DN1、SL11P06DN1等。广泛应用于智能扫地机器人、洗碗机、果汁机等产品。萨科微SLKOR有全系列的MOSFET产品，TO220/TO247多种封装外形，自主晶圆设计能力。产品已经应用在普森斯、科沃斯、松下等品牌的产品上。 萨科微SLKOR高压MOS管优势产品主要有SL13N50F、SL18N50F、SL20N50F等型号。广泛应用于户外电源、显示屏电源、工业变频器等领域。萨科微SLKOR拥有自主晶圆设计能力及制造能力、产品有更优的性能及抗雪崩能力。
黄经理 M：13148710083V：1099529189Q：750798683
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N沟道MOS管开关电路-N沟道开关电路损失及发现问题详解
MOS管的分类
场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道MOS管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按资料可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，而且大多选用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管简直不用。场效应晶体管简称场效应管.由大都载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它归于电压操控型半导体器材. 场效应管是使用大都载流子导电,所以称之为单极型器材,而晶体管是即有大都载流子,也使用少量载流子导电,被称之为双极型器材. 有些场效应管的源极和漏极能够交换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
MOS管开关电路
电路说明：其中，PWM信号为50HZ方波信号，占空比0.5.HV电压值为406.5V，负载接40W灯泡。
N沟道MOS管开关电路发现问题
现在测试负载两端的波形，理想情况下是高电平400V左右，考虑到MOS管内阻 1.5欧姆左右（这款的VDS电压较大，mos管内阻也较大，一般mos管是毫欧级别），低电平为0。但是实际测出来有偏差。
最高值只有256V，而且一直在跳动。
查了电路应该没问题，后来继续翻看P5NK60Z 芯片的技术参数PDF文档。
横坐标是VGS电压 纵坐标是ID电流大小 。此图反映的是在施加25V 漏源极电压时候的技术参数图。显然可以看出，此时如果VGS为5V时， ID并没有达到最大状态 也就是不能实现mos管的饱和导通状态，如果没有饱和导通，则MOS管的内阻会相对较大（可以理解为D、S两点之间的阻值），由于分压的作用 D、S间的电压。 如图箭头所示，这两点之间的电压会增大，这就会直接导致负载两端电压被拉低。
所以总结起原因，就是，光耦控制电压，直接输送到门极的电压 5V驱动电压实在是给得太低了，MOS没有饱和导通，根据P5NK60Z芯片资料，这里应该将5V改为10才能保证mos管饱和导通，满足负载电压要求。
N沟道MOS管开关电路损失
不管是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
N沟道MOS管驱动
N沟道MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的N沟道MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管#半导体[超话]##电子元器件[超话]##集成电路[超话]#
MOS管的分类
场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道MOS管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按资料可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，而且大多选用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管简直不用。场效应晶体管简称场效应管.由大都载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它归于电压操控型半导体器材. 场效应管是使用大都载流子导电,所以称之为单极型器材,而晶体管是即有大都载流子,也使用少量载流子导电,被称之为双极型器材. 有些场效应管的源极和漏极能够交换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
MOS管开关电路
电路说明：其中，PWM信号为50HZ方波信号，占空比0.5.HV电压值为406.5V，负载接40W灯泡。
N沟道MOS管开关电路发现问题
现在测试负载两端的波形，理想情况下是高电平400V左右，考虑到MOS管内阻 1.5欧姆左右（这款的VDS电压较大，mos管内阻也较大，一般mos管是毫欧级别），低电平为0。但是实际测出来有偏差。
最高值只有256V，而且一直在跳动。
查了电路应该没问题，后来继续翻看P5NK60Z 芯片的技术参数PDF文档。
横坐标是VGS电压 纵坐标是ID电流大小 。此图反映的是在施加25V 漏源极电压时候的技术参数图。显然可以看出，此时如果VGS为5V时， ID并没有达到最大状态 也就是不能实现mos管的饱和导通状态，如果没有饱和导通，则MOS管的内阻会相对较大（可以理解为D、S两点之间的阻值），由于分压的作用 D、S间的电压。 如图箭头所示，这两点之间的电压会增大，这就会直接导致负载两端电压被拉低。
所以总结起原因，就是，光耦控制电压，直接输送到门极的电压 5V驱动电压实在是给得太低了，MOS没有饱和导通，根据P5NK60Z芯片资料，这里应该将5V改为10才能保证mos管饱和导通，满足负载电压要求。
N沟道MOS管开关电路损失
不管是N沟道MOS管还是P沟道MOS管，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
N沟道MOS管驱动
N沟道MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的N沟道MOS管，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管#半导体[超话]##电子元器件[超话]##集成电路[超话]#
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