据报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA（Gate-all-around）据悉，GAA是下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前FinFET工艺的三面，GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。

根据TrendForce的数据，在2021年第四季度，台积电占全球代工市场的52.1%，远远超过三星电子的18.3%。

三星电子正押注于将GAA技术应用于3纳米工艺，以追赶台积电。据报道，6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时与5纳米工艺相比，芯片面积减少了35%。

【三星3nm芯片首秀，抢先台积电】三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆，不过目前还不清楚是哪款芯片，这也是三星抢先台积电，完成的3nm芯片全球首秀。3nm工艺是三星超越台积电的杀手锏，台积电在3nm节点仍然会采用之前的FinFET工艺，而三星则选择了GAA工艺。三星表示，与7nm相比，3nm GAA工艺的逻辑面积效率提高超过45%，功耗降低超过50%，性能提高约35%，优于台积电的3nm FinFET工艺。#芯片##三星##台积电#

三星之前制定计划在 2030 年成为全球最先进的半导体制造公司之一，3nm 节点是他们的一个杀手锏，之前一直被良率不行等负面传闻困扰，日前三星公司终于亮出首个 3nm 晶圆，按计划将在今年 Q2 季度量产，比台积电还要早一些。

根据三星的说法，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

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