网红模拟器?《Youtubers Life 2》上线steam褒贬不一

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【#喜迎党代会# |砥砺奋进的五年①:中国科技城建设迈向更高水平】
开栏语
  五年披荆斩棘,五年风雨兼程。市第七次党代会以来,绵阳全面落实党中央大政方针和省委决策部署,统筹推进“五位一体”总体布局,协调推进“四个全面”战略布局,全面建成小康社会,圆满完成了市第七次党代会确定的各项目标任务。在全市上下喜迎市第八次党代会召开之际,《绵阳观察》即日起开设“辉煌五年喜迎绵阳市第八次党代会”专题,敬请关注。

  在第九届科博会前夕,绵阳南郊机场内,国家两用技术交易中心负责人丁爱华与同事会合一处,他们正在等待几位从河北省石家庄市鹿泉区来的客人。科博会期间,国家两用技术交易中心迎来接待“旺季”。

  这与近年来国家两用技术交易中心如连锁超市般在全国各地建立分中心、工作站“揽活”分不开。“作为一名科技从业者,我相信未来科技城的‘磁场’会更强。”丁爱华说,平台将在全国范围内寻找技术的供给方和需求方。

  信心,来自绵阳这片科技热土。作为党中央、国务院批准建设的我国唯一的科技城,绵阳全力破除制约科技城建设方面的体制机制障碍,革除创新链存在的诸多症结,攻克科技成果转化不利不畅的顽瘴痼疾,不断提升创新环境的吸引力、创新资源的聚合力、创新成果的转化力,充分挖掘创新潜力、释放创新活力。

机遇与政策叠加

科技城“磁场效应”加速释放

  2020年12月23日科技城新区批准设立。不久前,经省委、省政府同意,省政府办公厅正式印发《关于支持绵阳科技城新区发展的政策措施》,明确“培育高质量发展新的动力源,提升区域中心城市发展能级,建设具有全国影响力的科技创新示范区”。

  看好绵阳科技城新区富集的创新资源,已有一批来自全国各地的创新企业选择落户,不仅善于“入地”,同样也能“上天”。绵阳天仪空间科技研究院有限公司的卫星超级工厂便是其中之一,建成后可具备年产50颗新型遥感卫星的生产能力,填补省内卫星制造产业的空白。

  随着一批新的利好政策的完善,中国(绵阳)科技城的“磁场效应”正在放大。9月26日,涪城区科技创新产业项目集中签约仪式在绵阳·中关村信息谷创新中心举行,聚焦前沿领域的55个项目纷至沓来,主要包括长虹智能控制MCU芯片、传化智联特种物流总部基地等重点项目4个,中科(绵阳)创新园、创业黑马西部科创基地等平台招引入驻的5G、人工智能、科技服务等领域科技创新企业51个。

  这是绵阳在创新发展上的使命担当。近年来,中国(绵阳)科技城在全国、全省发展大局中的地位更加凸显,中央赋予建设国家科技创新先行示范区的时代使命,省委省政府专门出台政策措施全力支持,让科技创新的动能在这里积蓄奔涌。

  这依托于绵阳雄厚的科技资源。中国(绵阳)科技城建设始终瞄准源头创新,坚持“科技立市、创新强市”,加强系统谋划和前瞻布局,引导和组织优势力量下大力气攻克了一批“卡脖子”技术。“十三五”期间,绵阳累计实施省级关键核心技术攻关项目650余项,填补了一批国内空白。

  这源自绵阳找准了科技创新的切入点和突破口。近年来,绵阳深入开展全面创新改革试验,聚焦主攻方向,探索开展系统性、整体性、协同性改革,已探索出两用技术市场化再研发机制、大型国防科研仪器设备整合共享、银行与企业风险共担的仪器设备信用贷等一批可复制可推广的“绵阳经验”。

创新链与产业链深度融合

创新创造活力竞相迸发

  9月5日,虽然是星期日,但中国(绵阳)科技城核医疗健康产业园项目现场一片忙碌。在项目施工负责人眼里,现场的钢筋水泥和之前所有负责的场地都不一样:“高科技!质子医疗、同位素医疗。”

  3年来“日拱一卒”,当初设想的核医学产业园已初具规模。更关键的是,经过长期研发,绵阳在我国核医学高端装备领域取得新的进展——今年4月,首台国产医用回旋加速器正电子药物制备中心在绵阳诞生。

  从一个想法,到一套设备,再到一个产业园区……在绵阳,随着以促进创新链产业链“两链”深度融合为抓手,正加速科技成果向现实生产力转化。目前,绵阳正加快推进核医疗健康产业园、激光产业园等重大产业项目建设,发挥核技术应用、北斗卫星应用、空管系统等领域的优势,努力将创新资源优势进一步转化为高质量发展优势。

  从高校到企业,从实验室到生产线,科技成果转化正为我市高质量发展“转”出源源不断的新动能。这源于绵阳对创新主体的清晰认知:高校和科研院所是创新的基础力量,在创新源头供给和人才供给方面起着重要作用;而企业是科技与经济紧密结合的重要力量。

  为此,绵阳不断优化政策,一方面提升绵阳对科研院所、高校、企业的招引培育力度,一方面打通各创新主体间的“壁垒”——组建由龙头企业牵头、科研院所和高校支撑、各创新主体相互协同的创新联合体。

  除了给政策,我市在优化创新环境上还持续“加码”。为给广大科技型企业清除“拦路虎”,搬开“绊脚石”,我市打通“堵点”“难点”,不断畅通科技成果转化渠道,丰富完善科技金融服务,推进科技与金融高效结合,开通科技成果落地生金“直通车”。

  自2012年设立以来,绵阳市科技金融风险补偿基金规模从最初的2000万元增加到现在的7000万元,合作银行也由当时的1家增加到现在的5家。截至今年6月末,5家合作银行累计为绵阳市1027家科技型中小企业发放贷款,贷款金额突破80亿元,基金放大12.26倍。

  科管委办公室相关负责人表示,过去五年,科技城建设部际协调小组“直通车”工作机制更加完善巩固,科技城“十三五”发展规划的各项部署落地见效,更多创新资源布局科技城,更多重大政策落地科技城,更多重大机遇在科技城交汇叠加。高水平建设中国(绵阳)科技城,我们还将深入践行新发展理念和高质量发展要求,大力实施创新驱动发展战略,抢抓国家推动成渝地区双城经济圈建设重大机遇,充分发挥绵阳科技城在全省区域创新发展中的“主引擎”作用,围绕建设国家科技创新先行示范区,不断提升科技城创新能级,以服务国防建设为基础,以推动科技自立自强为核心,以体制机制改革和开放合作为动力,统筹协调服务全局和地方发展、科技创新和制度创新、激活存量和做优增量、政府引导和市场主体,着力壮大国家战略科技力量、优化创新创业生态、激发创新创造活力,以绵阳科技城高质量发展之力服务国家高水平科技自立自强,进一步擦亮科技城“金字招牌”。

科技城建设数据直击
科技城范围内GDP情况

  2016年1289亿元、增长9.2%

  2017年1476.88亿元、增长9.9%

  2018年1658.31亿元,增长9.7%

  2019年2011.61亿元、增长8.6%

  2020年2075.94亿元、增长4.3%

高新技术企业情况

  2016年204家,2020年446家。

  R&D投入强度:

  2016年投入研究与试验发展(R&D)经费128.14亿元,投入强度为7%。

  2020年投入研究与试验发展(R&D)经费215.04亿元,投入强度为7.14%。

技术合同登记额情况

  2016年8.3亿元,2020年14亿元。

万人有效发明专利拥有量情况

  2016年6.2件,2020年14.3件。

  (绵阳日报社融媒体记者 郭若雪/文 视觉绵阳资料图)

下一代半导体:一路向宽,一路向窄

随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段,对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物,以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等,都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看,锑化物属于窄带半导体,而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。新一代半导体材料,将一路向宽,还是一路向窄?

超宽禁带半导体:

“上天入海”,适用范围广泛

禁带的宽度决定了电子跃迁的难度,是半导体的导电性的决定因素之一。禁带越宽,半导体材料越接近绝缘体,器件稳定性越强,因而超宽禁带半导体能应用于高温、高功率、高频率以及较耐辐照等特殊环境。

“硅器件工作温度范围相对有限,而超宽禁带半导体可谓‘上天下海’,适应范围非常宽广。”中国科学院半导体研究所研究员闫建昌向《中国电子报》记者表示。

在光电子领域,超宽禁带半导体在紫外发光、紫外探测有着广阔的应用空间。基于氮化铝镓等超宽禁带半导体的紫外发光二极管和紫外激光二极管应用于杀菌消毒等医疗卫生领域,特定波长的紫外线能帮助人体补钙。在工业上,超宽禁带可用于制造大功率的紫外光源。

在超宽禁带半导体中,氮化铝镓(氮化铝和氮化镓的合金材料)、氧化镓、金刚石是较有代表性的几个方向。

与氧化镓、金刚石等禁带宽度相对固定的材料不同,氮化铝镓的禁带宽度可以在一定范围内调节,是一种灵活的半导体材料。

“通过调节铝的组份,氮化铝镓可以实现不同的禁带宽度,范围在氮化镓的3.4 eV到氮化铝的6 eV之间。通过合适的比例,可以获得特定的禁带宽度,发射相应波长的紫外线,这是一个有趣也有用的属性。”闫建昌表示。

在制备技术方面,氮化铝镓已经具备了一定的积累。

“氮化镓和氮化铝外延制备的主流方法是MOCVD(金属有机物化学气相沉积),在工艺、设备等产业环节已经有了二三十年的积累。氮化铝镓作为氮化镓、氮化铝的合金材料,在外延制备上与两者有很多相通之处,产业化已经开始起步,预计在接下来的3—5年,会具备规模化量产的水准。”闫建昌向记者指出。

氧化镓相比宽禁带半导体具有更高的能量转换效率。目前,氧化镓材料制备水平进展较快,但是外延、器件方面还有很多工作要做。

“氧化镓的禁带宽度比氮化镓、碳化硅等更宽,功率可以做得更高,也更加省电。氧化镓的制备条件比较苛刻,目前外延材料以2-3寸的小尺寸为主,量产和应用还有一段路要走。” 西安电子科技大学郭辉副教授向《中国电子报》记者表示。

闫建昌指出,散热能力不足是氧化镓的弊端,如何绕开这个弊端的话,去充分发挥它在功率器件的优势,是值得关注的发展方向。

金刚石被视为“终极半导体”材料,具有超宽禁带、高导热系数、高硬度的特点。但也由于硬度最高,实现半导体级别的高纯净度也最为困难,与产品化、产业化还有相当的距离。

“金刚石难以实现半导体级别的制备和掺杂,但我们可以利用类金刚石或者金刚石颗粒去改善半导体器件的散热,把金刚石自身的优势和长处先发挥出来。”闫建昌说。

窄禁带半导体:

继续拓展光谱范围,集中应用在红外光

与超宽禁带半导体相反,锑化物等窄禁带半导体具有高迁移率、导电性强的特点,应用领域也集中在红外线,与超宽禁带应用的紫外线正好分布在光谱两端。可以说,超宽禁带和窄禁带半导体拓展了人类对光谱的利用范围。

在光电子领域,锑化物材料体系有希望成为未来红外成像系统的主要材料体系。据中科院半导体研究所教授牛智川介绍,传统红外光电材料由于均匀性不足、基片面积小、良率极低等瓶颈,难以实现大阵列、双色、多色焦平面以及甚远红外焦平面的制造。

“锑化物在具有高性能的前提下,带隙调控适用范围更广、成本更低、制造规模更大,锑化镓基半导体外延材料技术已经成长为红外光电器件制造的主流。”牛智川向《中国电子报》记者表示。

在微电子领域,锑化物半导体具有超过前三代半导体体系的超高速迁移率,在发展超低功耗超高速微电子集成电路器件方面潜力重大。

在热电器件领域,含锑元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应,是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向,具有广阔的应用前景。

在制备方面,锑化物窄带隙半导体与砷化镓、磷化铟等III-V族体系的结构特性、制备工艺类似或兼容,因此不存在量产技术的障碍,其制备成本主要受单晶衬底晶圆面积、外延材料量产容量、工艺集成技术良率的制约。

“随着功能器件需求放大,基于锑化物的激光器和探测器制造已经在量产方面获得了充分的验证,在光电子功能的各类应用领域制造规模逐步扩大,已经具备量产条件。”牛智川指出。

下一代半导体:

越走越“宽”还是越“窄”?

新一代半导体材料是产业变革的基石。从以硅为代表的第一代半导体材料,以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体材料,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料,半导体器件的工作范围和适用场景不断拓展,为信息社会的发展提供有力支撑。

半导体代表性材料进阶图 下图

那么,真正具有技术前景的新一代半导体材料,应该具备哪些要素?

牛智川表示,评估半导体材料的发展前景时,应注重两个指标。

一是能否发展出高可控性的量产制备技术,这是判断新体系材料是否具有长期发展前景的必要前提。在面向实际应用发展的初期阶段,必须评估规模化生产平台的可行性,包括大型制造设备等,并通过小试和中试工程化考验,检验产品良率和器件性能的稳定性。

其次是技术迭代链条是否完善,这是市场化成败的必要考量。半导体技术迭代链条包括所有技术环节所需的相关支撑条件是否具备可靠来源,市场周期的波动率,用户对产品需求性价比,以及对比竞品材料的优劣等。

在具备产业化前景的基础上,该如何发挥材料自身的性质,使之转化为产业发展的动力并释放市场价值?

闫建昌表示,每一种材料都有自身的优势和局限性,要充分发挥或者挖掘其有利因素,以扬长避短。曾经业界认为氮化镓材料缺陷密度太高,不可能用来发光,但氮化镓的一些特殊机制能够绕开缺陷密度的问题,并基于自身的硬度和化学稳定性等优势弥补纯净度的不足,赢得了发展空间。

“无论氮化铝镓、氧化镓还是金刚石,在器件和产业发展上还有很大的空间。发展的基础取决于材料本身和材料制备水平,要实现更低的缺陷密度,把材料的优势和潜力充分发掘出来,这是未来超宽禁带技术和产业发展的基础。”闫建昌说。

郭辉表示,新材料的上量有一个过程,要考虑综合效益,找寻市场地位。

“在微电子领域,超宽禁带半导体主要用于功率半导体,既要考虑材料本身的制备成本和功率器件本身的成本,也要考虑器件用在系统内的成本。通过综合效益寻找市场空间,形成市场竞争力。”郭辉说。

牛智川表示,要在扎实做好实验室技术开发研究基础上,深入理解材料物性优化的基本技术方法、路径,全方位建立基础物理化学性质数据,形成从设计到器件功能实现的最佳迭代模式。在此基础上,建设中试平台,集中考验实现高良率工程化制造的技术流程、方案和规范。后续增加用户定制要求,逐步完善器件的特定功能的量产制造技术、提高迭代效率,与市场深度融合。#财经##微博股票##今日看盘##财经头条##投资##财经头条文章#


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