#天气追击[超话]#稍微看了下预报，一周之后冷空气活动有增强的趋势。
从各家数值预报来看，10天之后的时段，欧亚大陆中高纬总体以“-+-”分布为主，北方冷空气活动趋于频繁，气温有可能偏低，但南方还有较大不确定性。GFS对上海850hpa气温的预报中也没看出月底有大跳水过程，南方出现GFS报的“强寒潮天气”的概率很小。

﹝MOSFET 测试参数解释﹞

直流参数(静态):
①崩溃电压BVDSS：
此为汲极端–源极端所能承受电压值，主要受制内部逆向二极管的耐压。

②通道漏电流IDSS：
即所谓的泄漏电流通常很小，但是有时为了确保耐压，在芯片周围的设计，多少会有泄漏电流成分存在，此最大可能达到标准值10倍以上。该特性与温度成正比。

③闸极氧化层耐压BVGSS：
此为闸极端(Gate)–源极端(Source)的绝缘层所能承受电压值，主要受制闸极氧化层BVGSS的耐压。

④闸极漏电流IGSS：
此为在闸极周围所介入的氧化膜的泄极电流，此值愈小愈好，标准值约为10nA。当所加入的电压，超过氧化膜的耐压能力时，往往会使组件遭受破坏。

⑤组件导通阻值(RDSON)：
导通电阻值为低压MOSFET最受瞩目之参数。
RDS(on)=RSOURCE+RCHANNEL+RACCUMULATION+RJFET+RDRIFT(EPI)+RSUBSTRATE
低压POWER MOSFET 导通电阻是由不同区域的电阻所组成，大部分存在于RCHANNEL，RJFET及REPI，在高压MOS则集中于REPI。为了降低导通电阻值，Mosfet芯片技术上朝高集积度迈进，在制程演进上，TRENCH DMOS以其较高的集积密度，逐渐取代PLANAR DMOS成为MOSFET制程技术主流。该特性与温度成正比。

⑥临界电压
VTH：
使MOSFET开始导通的输入电压称为临界电压。由于电压在临界电压以下，MOSFET处于截止状态，因此临界电压也可以看成耐噪声能力的一项参数。临界电压愈高，代表耐噪声能力愈强，但是，如此要使组件完全导通，所需要的电压也会增大，必须做适当的调整，一般约为 2~4V，与双载子接面晶体管导通电压 VBE=0.6V比较，其耐噪声能力相当良好。该特性与温度成反比。

⑦顺向转导、二极管顺向电压
Gfs顺向转导：
代表输入与输出的关系，即闸极电压变化，汲极电流变化值，单位为S。当汲极电流愈大，顺向转导也会增大，在切换动作的电路中，顺向转导值愈高愈好。

⑧VFSD:
此为二极管为顺方向电流流通时的电压降。

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【后期冷空气展望——不确定性大】从最新的GFS数值预报看，本月底，在萨颜岭-贝加尔湖和蒙古国一带有大量冷空气堆积，槽后地面冷高压将达到1070百帕以上，属于寒潮标准！随着横槽下摆转竖（或小槽不稳定性发展），环流经向度加大，元旦左右，这股寒潮将会东移南下影响我国大部分地区！并且从GFS给出的积雪深度预报看（图6），南下寒潮结合南支槽将给我国制造大范围降雪天气！

以上的预报仅是GFS的预报，和其它模式相比，分歧巨大！目前主流趋势是，下旬后期，冷空气势力逐渐增强，但冷空气究竟会有多强？什么时候东移南下？目前都是未知数，谁也不知道，并且超过10天以上的数值预报可信度不高（趋势可信），因此朋友们还不必激动，未来继续追踪！