孚能的电池，经历了大规模量产的调教，不知道后面表现如何
1）长寿命：25℃ 1C充放电循环1600次，容量保持率接近80%
2）低温性能：高低温性能优异，-20至55℃的环境下可正常使用，高温条件下容量保持率在95%以上，-20℃条件下容量保持率接近90%
3）高倍率：硅含量的增加提升了电池倍率性能，在2.75V条件下，3C放电容量保持率大于98%，快充10%-80%时间少于15分钟。
1）长寿命：25℃ 1C充放电循环1600次，容量保持率接近80%
2）低温性能：高低温性能优异，-20至55℃的环境下可正常使用，高温条件下容量保持率在95%以上，-20℃条件下容量保持率接近90%
3）高倍率：硅含量的增加提升了电池倍率性能，在2.75V条件下，3C放电容量保持率大于98%，快充10%-80%时间少于15分钟。
TVS管被称为ESD静电的"克星"？
电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。
工作中遇到的一些问题，作简要总结。TVS管
TVS管保护是靠击穿，击穿后相当于短路，一般承受电流能力大。
TVS管主要是防雷击浪涌，特点是吸收能量大，反应速度较慢。 ESD管
ESD是电容放电加嵌位，过流能力不强。
ESD主要是防静电，特点是吸收能量小，但反应速度快。
TVS瞬态抑制二极管和ESD静电二极管，这两者工作原理是一样，只是在功率、应用场合、封装形式等方面截然不同，具体表现在：
1）ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1–3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。
2）ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级保护。
3）再选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C；而选用TVS二极管时，看的是功率和封装形式；
在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！更多关于电路保护器件产品详情和解决方案设计问题，可咨询专业的技术人员。
ESD静电放电（Electro-Static discharge）
TVS瞬变电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressors）
TVS瞬态电压抑制
这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
ESD静电放电保护
这里的ES主要是三种模型所表述.
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.
典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us
原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.
ESD和TVS比较的话,要看用在那些用途上,像ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低,一般是1--3.5PF之间为最好.而TVS就做不到这一点,TVS的电容值比较高.
通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.
压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS是采用的半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身并无影响.
他们应用的场合不同,TVS一般用于处级和次级保护,而ESD主要用于板级保护．
选择TVS一般是看器件的功率和封装,ESD器件一般看中的是它的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL,高速的USB和I/O很重视它的C
为了防止这种破坏,TVS管得到了广泛的应用，TVS管是一种在稳压管工艺基础上发展起来的一高效能的电路保护器件，其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度（最高达1*10-12秒）使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
我们在一些精密电子设备中经常可以看到TVS管作为ESD防护的主要手段之一。
作为二者的共同点，它们都可以用来稳压，并且都工作在反向截止状态下。但是TVS管齐纳击穿电流更小，大于10V的稳压只有1mA，相对来说齐纳二极管击穿电流要大不少，但是齐纳二极管稳压精度可以做的比较高。而且TVS管强调的是瞬态响应，所以其时间参数就很重要了，也就是说稳压二极管的响应时间通常要比TVS管的慢。
同时TVS管的功率较大，而稳压管的功率较小。其次，从概念上理解，TVS管主要是防止瞬间大电压的影响，最终可以达到稳压的目的，这与稳压管的作用是有区别的。
电子系统的应用当中，电压及电流的瞬态干扰会经常造成电子设备的损坏，瞬态干扰的显著特点是作用时间极短，但电压幅度高、瞬态能量大，所以破坏性很大。
工作中遇到的一些问题，作简要总结。TVS管
TVS管保护是靠击穿，击穿后相当于短路，一般承受电流能力大。
TVS管主要是防雷击浪涌，特点是吸收能量大，反应速度较慢。 ESD管
ESD是电容放电加嵌位，过流能力不强。
ESD主要是防静电，特点是吸收能量小，但反应速度快。
TVS瞬态抑制二极管和ESD静电二极管，这两者工作原理是一样，只是在功率、应用场合、封装形式等方面截然不同，具体表现在：
1）ESD静电二极管，主要功能是防静电，然而防静电要求电容值低，一般在1–3.5PF之间最好；而TVS二极管的电容值却比较高。
2）ESD保护二极管，主要应用于板级保护；TVS二极管用于初级和次级保护。
3）再选用ESD静电二极管时，更多看的是ESD二极管的的ESD rating (HBM/MM)和IEC61000-4-2的LEVEL，高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C；而选用TVS二极管时，看的是功率和封装形式；
在实际应用中，二者通常相辅相成，紧密相连，各自发挥优势，更有效地为电路安全保驾护航！更多关于电路保护器件产品详情和解决方案设计问题，可咨询专业的技术人员。
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TVS瞬变电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressors）
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这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
ESD静电放电保护
这里的ES主要是三种模型所表述.
其中主要应用是HBM 和 MM,简单说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.
典型的HBM CLASS 1C模型规定 一个充电1000V-2000V的100pF的电容通过一个1500欧姆的电阻对器件放电.
MM模型要比人体模型能量大一些.电容是200pF,电压大概在200-400之间,不过没有串联电阻了.
典型的人体模型放电,峰值电流小于0.75A,时间150ns
典型的机器模型放电,峰值电流小于8A,时间5ns
典型的雷击浪涌(电力线入线处使用的TVS)峰值电流3000A,时间20us
原理是一样的,但根据功率和封装来分就不一样.
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通过分别对其进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电,分析捕获的IEC应波型可以得知,TVS保护性能强过贴片压敏很多倍.
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