【台北展讯 | Giant Mango Selection vol.8】
展览日期：2022/4/30 (六)~2022/5/29(日) 周一公休
开幕时间：2022/4/30(六) 3pm-9pm
地点：靠边走艺术空间(台北市忠孝东路2段68号)2F
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<展览内容>
2022，我们再次邀请到来自日本的Giant Mango艺廊与七位现代艺术家，以各种平面以及立体複合媒材的创作，与艺术爱好者共度五月份。
自2009年开始，Giant Mango创办人Jun Kurazume就致力于推广以及介绍日本的现代艺术，多年来已经在世界各地参加过超过五十场的艺术展览。
这次在“靠边走艺术空间”的联展为期30天，特别邀请近年来活跃于日本的艺术家们联合展出，希望带给大家更多不同形式的日式风格艺术，所以喜欢的人，可别错过这次的展览喔！！
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艺术家名单：（※名字以ABC及笔划顺序排列。）
AYAKO KISHI
Aya Sakamoto
Hanaki Kaneda　
Reiko Kamano　カマノレイコ
SHIMI /
Yuji Hasegawa
2Sentimental

据外国媒体 Tech Explorist 报导，南韩 UNIST 能源与化学工程学院教授 Jun Hee Lee 与研究团队发现了一种新的物理现象，研究团队正致力将此物理现象用于铁电随机内存（FRAM）。FRAM 透过所谓的极化现象（Polarization）储存讯息，优点在于速度更快、功耗更低，关闭电源后仍能保留储存的数据；因铁电域形成（发生自发极化的微小区域）至少需要成千上万个原子。透过添加一滴电荷到称为铁电氧化 Ha（HfO2）的半导体材料，可控制 4 个单独的原子储存 1 位数据，内存储存容量可达每平方公分 500Tbit，是目前闪存的 1,000 倍。

据外国媒体 Tech Explorist 报导，南韩 UNIST 能源与化学工程学院教授 Jun Hee Lee 与研究团队发现了一种新的物理现象，研究团队正致力将此物理现象用于铁电随机内存（FRAM）。FRAM 透过所谓的极化现象（Polarization）储存讯息，优点在于速度更快、功耗更低，关闭电源后仍能保留储存的数据；因铁电域形成（发生自发极化的微小区域）至少需要成千上万个原子。透过添加一滴电荷到称为铁电氧化 Ha（HfO2）的半导体材料，可控制 4 个单独的原子储存 1 位数据，内存储存容量可达每平方公分 500Tbit，是目前闪存的 1,000 倍。 https://t.cn/8kF2lIZ