. 独居生活
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一个人生活的美妙之处在于，一个人可以尽情的享受 自己给自己的仪式感生活。
不委屈自己，也不委屈自己的胃，每一天都很用心经营自己的生活。
不喜欢被别人打乱自己的生活节奏，喜欢用自己的节奏来过自己的小生活。
一个人最幸福的事情，就是可以用自己喜欢的节奏过好这一生。
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一个人生活的美妙之处在于，一个人可以尽情的享受 自己给自己的仪式感生活。
不委屈自己，也不委屈自己的胃，每一天都很用心经营自己的生活。
不喜欢被别人打乱自己的生活节奏，喜欢用自己的节奏来过自己的小生活。
一个人最幸福的事情，就是可以用自己喜欢的节奏过好这一生。
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
【#历史冷知识# 没有导航的古代，孤军深入的霍去病为何没在沙漠草原中迷路呢】
在汉武帝反击匈奴的卫国战争中，霍去病作为汉武帝皇后卫子夫的娘家人，也作为汉帝国的军事统帅出征匈奴，立下了赫赫战功，打出了中华民族对外武功的巅峰之作——封狼居胥。
霍去病打仗为何能连连胜利？原因有很多，但其中一条重要原因在于：霍去病打仗堪称为“活地图”，纵观霍去病每次对外战争就会发现，在古代没有卫星电话的年代里，霍去病都喜欢带领大军孤军深入却不迷路，精准找到匈奴军队的阵营或驻扎点，对匈奴以精确打击。
霍去病的孤军深入具体有以下战例：
公元前123年，霍去病率领800名汉军将士孤军深入，寻找机会打击匈奴军队，斩获敌军2028人，被汉武帝封为“冠军侯”。这是一代民族英雄霍去病的“开挂之战”。
公元前121年河西之战，霍去病两次深入今天的甘肃宁夏一带地区。在河西之战的春季攻势中，霍去病带领1万人孤军深入，出陇西越过焉支山，行军一千多里，在兰州一带和匈奴决战，歼敌8960人。缴获匈奴祭天金人。
公元前121年河西之战夏季攻势，霍去病再次出击，越过居延海，斩杀匈奴3万多人。
公元前119年漠北大战，霍去病率领大军千里迂回，与匈奴左贤王部交战，歼敌7万人。随后又乘胜追杀到狼居胥山，最后攻克瀚海方才扬威而还。封狼居胥由此而来。
每一次打仗，霍去病就像巡航导弹一样，精准地斩杀匈奴。那么，在古代没有卫星电话的年代，霍去病是如何做到精准斩杀匈奴呢？
第一，霍去病的军队中有匈奴人，霍去病的汉军为匈奴人和中原人组成的联军。
这个是有史料为证明的，公元前119年漠北大战结束后，汉武帝下了一道诏书：
“骠骑将军去病率师，躬将所获荤粥之士，约轻赍，绝大幕，涉获章渠……取食于敌，行殊远而粮不绝，以五千八百户益封骠骑将军。”
这句话当中有一个关键词：荤粥之士。荤粥是什么意思呢？晋灼等人认为，荤粥一词语是匈奴在古代的称呼，而三国时期的历史学家韦昭认为，荤粥一词语为匈奴的别称。
这就说明，汉军将士存在匈奴的士兵，匈奴人打匈奴人，相当于“自己人”打“自己人”。一旦投入战场，这些投降汉朝的匈奴人会对自己曾经居住的草原沙漠，地形地貌非常熟悉，汉军中的“匈奴人”会在汉军作战中起到向导的作用，帮助汉军的中原将士在茫茫沙漠和戈壁滩中找到匈奴军队的地点。
汉文帝时期，当时的汉朝“智囊”贾谊向汉文帝提建议，希望汉军中补入投降的匈奴人，“以夷制夷”。到了河西之战夏季战役结束的时候，霍去病俘虏了匈奴、亲王和贵族，军官2500多人。河西受降的时候，匈奴的王爷——浑邪王带领4万匈奴人投降汉朝。而霍去病的汉军中很有可能就有这些投降或被汉军俘虏的匈奴人，他们在汉军对外战争中发挥了向导的作用，引领汉军直接攻击匈奴军队的阵地。
在公元前119年的漠北大战中，霍去病部5万多人以秋风扫落叶的势头斩杀匈奴军队7万多人，这些投降的匈奴人就在汉军中，很可能为霍去病歼灭匈奴左贤王军团发挥了向导的作用。左贤王直至战败都想不到，他的失败，其实是被汉军的“自己人”打败的。
第二，汉军中有向导。
当时的汉军中配备向导，这一点在其舅舅卫青统辖的军队中有史料证明。
《史记·李将军列传》记载：军亡导，或失道，后大将军。大将军（卫青）与单于接战，单于遁走。
“导”为向导的含义，军亡导，为汉军中没有向导。那汉军中为何没有向导呢？史料中没有进一步说明，结合卫青进攻汉军匈奴本部的战况来看，向导可能逃跑了，也可能丧命了。不管是逃跑还是丧命，李广这一路的汉军没有了向导，导致李广迷路，卫青在消灭匈奴本部军队的对手就始终无法全歼匈奴本部，导致匈奴单于死里逃生。
张骞也做过汉军的向导，《史记》记载：张骞从大将军，以尝使大夏，留匈奴中久，导军，知善水草处，军得以无饥渴，因前使绝国功，封骞博望侯。
张骞出使西域，对匈奴人情况相当熟悉。张骞引导军队“知善水草处，军得以无饥渴。”在张骞的带领下，汉军到达匈奴盘踞地区的有水草的地方补给吃饭喝水，军队中没有饥饿口渴的情况。从“知善水草处，军得以无饥渴。”判断，张骞应该对匈奴地盘的情况是相当熟悉的。
结合李广军队因失去向导而迷路，张骞给汉军当向导等资料就能证明，军队向导很可能成为汉军中的一个制度，帮助汉军在对匈奴的作战中不迷路，精准打击匈奴。公元前123年，霍去病第一次就敢孤军深入匈奴驻地，斩杀匈奴人2028人。公元前121年，霍去病两次出入河西，消灭匈奴军队近4万人，向导在其中发挥巨大作用。
而且，这个向导很可能是熟悉匈奴内部情况的官员，或者是已经投降汉朝的匈奴人。在古代没有电话，没有GPS和北斗导航的时代里，霍去病的军队打仗敢孤军深入，没有熟悉匈奴情况的向导是很难做到的。
第三，记里鼓车和指南车。
汉代刘歆的《西京杂记》记载：汉朝舆驾祠甘泉汾阳······记道车，驾四，中道。
在西汉时期就出现了记录历程的记里鼓车。行进一里地，车上敲一下鼓，保证汉军打仗的时候知道自己走了多少里的路。
指南车相传诞生于黄帝时期，黄帝曾用指南车指引方向讨伐蚩尤。而刘仙洲在《中国机械工程发明史》当中根据《西京杂记》等史料考证，西汉就有了指南车。指南车可能也会用于汉军对匈奴的战争，霍去病的军队可能有指南车，发挥出指引方向不迷路的作用。
在汉武帝反击匈奴的卫国战争中，霍去病作为汉武帝皇后卫子夫的娘家人，也作为汉帝国的军事统帅出征匈奴，立下了赫赫战功，打出了中华民族对外武功的巅峰之作——封狼居胥。
霍去病打仗为何能连连胜利？原因有很多，但其中一条重要原因在于：霍去病打仗堪称为“活地图”，纵观霍去病每次对外战争就会发现，在古代没有卫星电话的年代里，霍去病都喜欢带领大军孤军深入却不迷路，精准找到匈奴军队的阵营或驻扎点，对匈奴以精确打击。
霍去病的孤军深入具体有以下战例：
公元前123年，霍去病率领800名汉军将士孤军深入，寻找机会打击匈奴军队，斩获敌军2028人，被汉武帝封为“冠军侯”。这是一代民族英雄霍去病的“开挂之战”。
公元前121年河西之战，霍去病两次深入今天的甘肃宁夏一带地区。在河西之战的春季攻势中，霍去病带领1万人孤军深入，出陇西越过焉支山，行军一千多里，在兰州一带和匈奴决战，歼敌8960人。缴获匈奴祭天金人。
公元前121年河西之战夏季攻势，霍去病再次出击，越过居延海，斩杀匈奴3万多人。
公元前119年漠北大战，霍去病率领大军千里迂回，与匈奴左贤王部交战，歼敌7万人。随后又乘胜追杀到狼居胥山，最后攻克瀚海方才扬威而还。封狼居胥由此而来。
每一次打仗，霍去病就像巡航导弹一样，精准地斩杀匈奴。那么，在古代没有卫星电话的年代，霍去病是如何做到精准斩杀匈奴呢？
第一，霍去病的军队中有匈奴人，霍去病的汉军为匈奴人和中原人组成的联军。
这个是有史料为证明的，公元前119年漠北大战结束后，汉武帝下了一道诏书：
“骠骑将军去病率师，躬将所获荤粥之士，约轻赍，绝大幕，涉获章渠……取食于敌，行殊远而粮不绝，以五千八百户益封骠骑将军。”
这句话当中有一个关键词：荤粥之士。荤粥是什么意思呢？晋灼等人认为，荤粥一词语是匈奴在古代的称呼，而三国时期的历史学家韦昭认为，荤粥一词语为匈奴的别称。
这就说明，汉军将士存在匈奴的士兵，匈奴人打匈奴人，相当于“自己人”打“自己人”。一旦投入战场，这些投降汉朝的匈奴人会对自己曾经居住的草原沙漠，地形地貌非常熟悉，汉军中的“匈奴人”会在汉军作战中起到向导的作用，帮助汉军的中原将士在茫茫沙漠和戈壁滩中找到匈奴军队的地点。
汉文帝时期，当时的汉朝“智囊”贾谊向汉文帝提建议，希望汉军中补入投降的匈奴人，“以夷制夷”。到了河西之战夏季战役结束的时候，霍去病俘虏了匈奴、亲王和贵族，军官2500多人。河西受降的时候，匈奴的王爷——浑邪王带领4万匈奴人投降汉朝。而霍去病的汉军中很有可能就有这些投降或被汉军俘虏的匈奴人，他们在汉军对外战争中发挥了向导的作用，引领汉军直接攻击匈奴军队的阵地。
在公元前119年的漠北大战中，霍去病部5万多人以秋风扫落叶的势头斩杀匈奴军队7万多人，这些投降的匈奴人就在汉军中，很可能为霍去病歼灭匈奴左贤王军团发挥了向导的作用。左贤王直至战败都想不到，他的失败，其实是被汉军的“自己人”打败的。
第二，汉军中有向导。
当时的汉军中配备向导，这一点在其舅舅卫青统辖的军队中有史料证明。
《史记·李将军列传》记载：军亡导，或失道，后大将军。大将军（卫青）与单于接战，单于遁走。
“导”为向导的含义，军亡导，为汉军中没有向导。那汉军中为何没有向导呢？史料中没有进一步说明，结合卫青进攻汉军匈奴本部的战况来看，向导可能逃跑了，也可能丧命了。不管是逃跑还是丧命，李广这一路的汉军没有了向导，导致李广迷路，卫青在消灭匈奴本部军队的对手就始终无法全歼匈奴本部，导致匈奴单于死里逃生。
张骞也做过汉军的向导，《史记》记载：张骞从大将军，以尝使大夏，留匈奴中久，导军，知善水草处，军得以无饥渴，因前使绝国功，封骞博望侯。
张骞出使西域，对匈奴人情况相当熟悉。张骞引导军队“知善水草处，军得以无饥渴。”在张骞的带领下，汉军到达匈奴盘踞地区的有水草的地方补给吃饭喝水，军队中没有饥饿口渴的情况。从“知善水草处，军得以无饥渴。”判断，张骞应该对匈奴地盘的情况是相当熟悉的。
结合李广军队因失去向导而迷路，张骞给汉军当向导等资料就能证明，军队向导很可能成为汉军中的一个制度，帮助汉军在对匈奴的作战中不迷路，精准打击匈奴。公元前123年，霍去病第一次就敢孤军深入匈奴驻地，斩杀匈奴人2028人。公元前121年，霍去病两次出入河西，消灭匈奴军队近4万人，向导在其中发挥巨大作用。
而且，这个向导很可能是熟悉匈奴内部情况的官员，或者是已经投降汉朝的匈奴人。在古代没有电话，没有GPS和北斗导航的时代里，霍去病的军队打仗敢孤军深入，没有熟悉匈奴情况的向导是很难做到的。
第三，记里鼓车和指南车。
汉代刘歆的《西京杂记》记载：汉朝舆驾祠甘泉汾阳······记道车，驾四，中道。
在西汉时期就出现了记录历程的记里鼓车。行进一里地，车上敲一下鼓，保证汉军打仗的时候知道自己走了多少里的路。
指南车相传诞生于黄帝时期，黄帝曾用指南车指引方向讨伐蚩尤。而刘仙洲在《中国机械工程发明史》当中根据《西京杂记》等史料考证，西汉就有了指南车。指南车可能也会用于汉军对匈奴的战争，霍去病的军队可能有指南车，发挥出指引方向不迷路的作用。
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