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客人来忏悔，当年自己迷信变美能走运，去做了假体鼻子，还动了身体其他地方。
我：您好，您是自己发心想要把一些事情忏悔出来是嘛？
答：是的。
我：请说说，您想忏悔什么事情？
答：老师，我是二十年前去整容过的人。当年感情不顺利，看电视广告，想要变成美女之后，感情就能顺，结果就被做美容的带去整鼻子了。
我：恩。您说，我记。
答：我想把整个手术的过程，以后手术以后发生的事情，详细的讲出来。老师希望您帮我，不要透露我的姓名，因为朋友都认识您，好吗？
我：照您的意思办，一定做到。
答：我个人比较爱美，也比较喜欢打扮。一直看韩剧觉得变漂亮，就能改变一切。所以产生这种错误想法以后，就去电视打广告的医院做了鼻子。哎，其实手术非常的血腥，不堪回首，老师。流了很多血，那个医生把假体塞鼻子的时候，一直流血，非常的害怕。但是没有回头路，就像一个被宰杀的动物一样躺在手术台上，第二天，第三天肿得像猪头，其实当时根本不知道手术这么残忍血腥，自己也很痛。当天就后悔了。根本也没有告诉我们，这种手术相当的恐怖，还是父母原装的好，但是我当年就是那么傻，那么蠢，当时整容了之后，感觉变漂亮了一点，但是其实也发现了一个问题，就是走在街上所有整过的，都能看出来，是整过的。哎，也没有什么感觉特别好的。
整容之后，还遇见了渣男。
我：遇见渣男？
答：本以为变美就能变得幸福，其实没有。忽然变得漂亮之后，交了一个男朋友，以为漂亮就会万事大吉，结果很快发现对方脚踏两只船，分了。
我：姻缘是前世所修，并不是换一张脸，就能变得顺利，在背后支持的都是命中的福报以及德行。您要求姻缘，应该多多念《地藏经》以及《无量寿经》常常发心积德为善，而不是去做让自己手伤的事情。
答：当时我们那知道这些，就是简单简单粗暴的想法。
我：那您感觉到整容有什么不好嘛？
答：老师，最大的不好感觉就是心脏功能变差了很多，呼吸不顺畅已经有二十多年，而且睡眠不好，夜晚的时间基本上睡不好觉。当时开心变美，但慢慢很害怕自己因此得癌症，而且做鼻子的时候医生根本没有说明，再好的假体只能用八年到十年，而这种要反复做手术才能维持，而且脸周围的皮肤会变得很差。做过几次美容修复，但是帮助力量不大，而且其他部位也觉得没整好，鼻子经常有点歪，正面都能看出来。后来听到您说，有整容地狱，自己那个后悔啊。
我：您整容之后，发现财运好吗
答：没有。就自己做一点小的生意，偶尔遇见一两个男客户对我还行，但是对方都有一点不好的心思，炒股还亏了很多钱，投资方面也算顺利。长时间忧愁没有钱赚怎么生活。结婚之后，家里经济也不好，十来年也买不起房子。他们说整容之后，财运就会改变，其实还是靠自己，没有感受到什么改变。
我：命中有时终须有，命中无时莫强求。如果真想求财运，一定要多布施，救济孤贫，常常孝顺父母。踏实一些工作，并且，注重积极的提升自己的能力。经常做善事，供养三宝，诸恶莫作，众善奉行，就能改善财运。
答：谢谢老师，我也是看您的文章才明白了。
我：谢谢您来讲出心声。
答：老师，我以前是没有勇气来忏悔讲出来的，生怕别人认出我身体哪里整容，但是现在到处是这些广告。希望您把我说的真实的心路历程讲出来，帮到那些小姑娘。我也是那时候愚昧无知，给人家骗去做这些了，除了当时那两三年感觉到变美一点，其实后来也没有感觉到方便到哪里去，长期担心会病变，而自然且对身体伤害比较大。我去检查身体，心脏功能比正常人的要弱。而且皮肤需要很注意保湿保养，并且整晚因为假体压迫神经系统，根本睡不好，人比同龄人还要显得老，如果不化妆出去，就根本看不得，现在已经去恢复过来，再不整了，也不搞这些东西了。
我：身体健康最为重要，您可多试试锻炼身体，养成一个好的健康作息时间，会对身体有益的。
答:女孩子千万不要去隆胸，做鼻子，确实伤害很大。不要有这些想法，也不要迷信这些东西会改变福气。我就是现实的例子，做了这些非但没好，而且现在长期感受到身体不行，这两年查出了很多慢性病，医生也说不要再做这些手术了，对自己的身体伤害很大。因为有些创伤你是看不出来的，尤其是暗伤，对身体血液循环也很不好的。我为了保自己的命，几个地方都想办法恢复，再不弄这些东西了，前后也花了好多钱，自己回向起来真傻，花钱让人家把自己来整成残疾，花钱让人家来在自己身上开刀流血，我当年自己真是傻到家了。姐妹们，还是别想一劳永逸。多锻炼身体，才能养好自己的状态，真不是靠整容。现在去锻炼身体，健身，跑步打球，排汗排毒，感觉是真的比整容有效果，也健康很多。
我：在面相上来说，不要去动自己的相，五官以及身体，任何一种破相，其实都会破坏运气，手术流血本是血光，地府真有整容地狱，将来介绍整容，给人动手术的整容医生，以及无故整容的患者，都要下到这个地方去受苦，受苦的时间又以整容医生最长，还有推荐人家整容的人，必然消耗掉自己的很多的福寿，并且来世投胎的时候，会多病，甚至很难得人身。恶业受罪的时间，要等所有的受罪的人从地狱出来之后，自己最后一个才能出来，所以，一定要忏悔，远离这些恶业，希望有缘的福友明白这些事情，种恶因，必有恶果，种善因，果有善果。是一样的道理。
答：再也不敢了，老师。也劝姐妹们，吃好喝好，学点化妆，多锻炼身体，身体原装比整容好。
我：谢谢您的分享。这边不会透露您的姓名，随喜您的功德。
答：感恩老师教我忏悔。
我：不要客气，忏悔能够灭罪，真诚忏悔，后不再造。能够消自己的业障。希望您能够在日后多帮助有这方面困惑的人，劝她们远离灾难，不要把自己的身体搞残。一切逆天而行的事情，都不吉祥。最后很难会有一个好报。所以人要自然去生活，保持内心的真善，诚恳，就是最美的。
答：一定的，老师。但是老师，有些人也说那些明星整容了，她们怎么能够比较好呢？
我：这个问题问得好。第一不是所有的明星都会去整容。第二，整容靠各种手段得到的东西，其实还是命中原有的东西，只是打折之后取到。她们能够好，毕竟还靠自己累世修了很多善业，才得到的目前的福报。并不是只靠着一个部位整了，就全部改变了。人家还有很多才艺。但是损伤到健康，也是得不偿失的事情，这后遗症出来的明星，您找找网上看看，还少吗？有不少的人脸都没有办法正常笑了。还是自然的好。人要有一个正常的心态，一个正确的价值观，也能看明白这些事情是什么原因。而世人往往简单的认为，人家的成功，就是因为做了一个什么事情，那是很片面的。至少我接触到的明星，或者主持人，人家在背后可是非常的努力，相当认真的面对人生，很少去选择整容改变的。他们都会健身，而且好好规范自己的饮食。在人家看不到的地方，相当努力的充电，提升实力，人脉，思维，也是踏踏实实的在过自己的每一天。
答：知道了，以后我也知道这么答复我的那些朋友。谢谢老师，真的有整容地狱吗？
我：都是因为众生福分缺乏，才因不良业力牵引，形成这种地狱。千万要多忏悔，多多帮助需要的人，脱离这种地狱，绝不要努力堕入这种地狱。
答：感恩师父教育。老师不跟我们说，我们是不知道，如果我劝别人不要整容，是不是也是好事？
我：是好事，而且能保护人家家里一个后人免去血光之灾，必有深厚的后福。
答：谢谢老师。老师，我前后整容花了很多钱，麻烦您转告那些小女孩子，这个钱，花得最冤，不要再做傻姑娘了。其实国家也应该对这一块进行监管。有很多私人没资格的也出来开，将来还不知道害多少人。
我：知错能改，善莫大焉。有时候只能先理好自己。您可随缘多帮助身边的人，把自己的亲身的感受讲给别人知道，也希望做这一块的人，能够看到，深深明白因果。众生是未来的佛，身体发肤受之父母，不要做整容这个行业，将来的恶业必然连累的到自己的健康。上次新加坡的一位整容师，恶报就十分的明显，他就是拿赚了很多钱，45岁就患癌症死掉。这是什么？莫不是被冤亲债主讨债报仇，如果这个职业给人动这种手术如果是有福气的，自然不至于这么早死去。这是很明显的，把自己的命，禄，寿都折去了。
有缘看到此文章的福友们，自己不要去整容，也不要把小孩子送去读整容这种专业。
命理提示：任何事情，都比不上自己的身体健康。要健康，尽量不要让自己去动刀子，动手术。美有很多种，爱美的男子，女子，要多多保持好的心念，多做善事。长远利益自己和家人。整容是把自己的运气提前拿出来挥霍掉，背后各种后遗症出来，是对自己的健康，有很大的杀伤力。末学也要忏悔自己过去也起过这种心念。其实去搞搞这些，对自己真没任何的好处。每一个人都有独一无二的美丽。去佛寺供花，恭敬三宝，常怀善心，也能够令到自己的容貌美丽。最为重要的，内心清净，灾难就少。到一定的年龄，一定要拥有健康，才能谈得上美丽。所以大家不要去做损伤自己健康的事情。
客人来忏悔，当年自己迷信变美能走运，去做了假体鼻子，还动了身体其他地方。
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答：是的。
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答：老师，我是二十年前去整容过的人。当年感情不顺利，看电视广告，想要变成美女之后，感情就能顺，结果就被做美容的带去整鼻子了。
我：恩。您说，我记。
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我：照您的意思办，一定做到。
答：我个人比较爱美，也比较喜欢打扮。一直看韩剧觉得变漂亮，就能改变一切。所以产生这种错误想法以后，就去电视打广告的医院做了鼻子。哎，其实手术非常的血腥，不堪回首，老师。流了很多血，那个医生把假体塞鼻子的时候，一直流血，非常的害怕。但是没有回头路，就像一个被宰杀的动物一样躺在手术台上，第二天，第三天肿得像猪头，其实当时根本不知道手术这么残忍血腥，自己也很痛。当天就后悔了。根本也没有告诉我们，这种手术相当的恐怖，还是父母原装的好，但是我当年就是那么傻，那么蠢，当时整容了之后，感觉变漂亮了一点，但是其实也发现了一个问题，就是走在街上所有整过的，都能看出来，是整过的。哎，也没有什么感觉特别好的。
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答：当时我们那知道这些，就是简单简单粗暴的想法。
我：那您感觉到整容有什么不好嘛？
答：老师，最大的不好感觉就是心脏功能变差了很多，呼吸不顺畅已经有二十多年，而且睡眠不好，夜晚的时间基本上睡不好觉。当时开心变美，但慢慢很害怕自己因此得癌症，而且做鼻子的时候医生根本没有说明，再好的假体只能用八年到十年，而这种要反复做手术才能维持，而且脸周围的皮肤会变得很差。做过几次美容修复，但是帮助力量不大，而且其他部位也觉得没整好，鼻子经常有点歪，正面都能看出来。后来听到您说，有整容地狱，自己那个后悔啊。
我：您整容之后，发现财运好吗
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我：命中有时终须有，命中无时莫强求。如果真想求财运，一定要多布施，救济孤贫，常常孝顺父母。踏实一些工作，并且，注重积极的提升自己的能力。经常做善事，供养三宝，诸恶莫作，众善奉行，就能改善财运。
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我：在面相上来说，不要去动自己的相，五官以及身体，任何一种破相，其实都会破坏运气，手术流血本是血光，地府真有整容地狱，将来介绍整容，给人动手术的整容医生，以及无故整容的患者，都要下到这个地方去受苦，受苦的时间又以整容医生最长，还有推荐人家整容的人，必然消耗掉自己的很多的福寿，并且来世投胎的时候，会多病，甚至很难得人身。恶业受罪的时间，要等所有的受罪的人从地狱出来之后，自己最后一个才能出来，所以，一定要忏悔，远离这些恶业，希望有缘的福友明白这些事情，种恶因，必有恶果，种善因，果有善果。是一样的道理。
答：再也不敢了，老师。也劝姐妹们，吃好喝好，学点化妆，多锻炼身体，身体原装比整容好。
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我：是好事，而且能保护人家家里一个后人免去血光之灾，必有深厚的后福。
答：谢谢老师。老师，我前后整容花了很多钱，麻烦您转告那些小女孩子，这个钱，花得最冤，不要再做傻姑娘了。其实国家也应该对这一块进行监管。有很多私人没资格的也出来开，将来还不知道害多少人。
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有缘看到此文章的福友们，自己不要去整容，也不要把小孩子送去读整容这种专业。
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【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
#美芯片法案对中国芯片产业意味着什么#【深度解读：美国“芯片法案”，对中国芯片产业究竟意味着什么？】当地时间9日，美国总统拜登正式签署《芯片和科学法案》（以下简称“芯片法案”），计划为美国半导体产业提供高达527亿美元的政府补贴。在美国白宫发布的相关说明书中，“芯片法案”的目的被概括为降低成本、创造就业、加强供应链以及对抗中国。
10日接受《环球时报》记者采访的业内人士表示，在美国已采取要求相关企业对中国禁售高端光刻机、向华为公司施加“芯片禁令”、组织“芯片四方联盟”围堵中国等措施后， “芯片法案”开启了美国“几十年来少有的产业政策支持”，在寻求重夺行业主导权的同时，限制和阻止半导体国际企业在中国大陆的既有制造能力和计划中的先进制造能力，进而将这些制造能力虹吸到美国，达到损人又利己的目的。
业内人士同时批评称，美国在“芯片法案”中加入“中国护栏”条款，让企业在中美产业政策中选边站队，制造了一国利用产业政策扰乱国际市场和全球供应链的危险先例。
法案说了什么？美政府豪掷527亿美元，大力补贴芯片研发制造
“美国发明了半导体。三十多年前，美国占全球芯片产量的 40%。后来，我们的经济支柱——制造业被掏空，半导体制造走向海外。”拜登9日在签署“芯片法案”时发表演讲称，“如今，这项法律将半导体（制造）带回了美国……在未来几十年中，我们将再次引领世界。”
正如拜登提到的，“芯片法案”的核心在于帮助美国重新获得在半导体制造领域的领先地位。行业数据显示，美国在全球半导体制造业中的份额从 1990 年的 37% 下降到 2020 年的 12%。同一时期，中国在该领域的份额从几乎为零上升到 15%。
《纽约时报》称，该法案融合了经济和国家安全政策的内容，主要包括两方面计划：一是向半导体行业提供约527亿美元的资金支持，并为企业提供价值240亿美元的投资税抵免，鼓励企业在美国研发和制造芯片；二是在未来几年提供约2000亿美元的科研经费支持，重点支持人工智能、机器人技术、量子计算等前沿科技。
根据美国国会发布的法案文件，“芯片法案”中对于2000多亿美元的投入有着详细的规划与时间表。根据法案规定，美国将成立四大基金，分享政府为半导体行业提供的527亿美元，其中500亿美元被拨给“美国芯片基金”，独占总金额的约95%份额。法案要求，“美国芯片基金”的资金将用于旨在发展美国国内制造能力的半导体激励计划以及研发和劳动力发展计划。
半导体激励计划是“美国芯片基金”在2022至2026财年的重中之重，该计划将花费390亿美元以支持芯片制造业的发展。2022财年，半导体激励计划投资190亿美元，此后每财年投入50亿美元。此外，法案还将为相关企业提供25%的投资税收抵免。同时，法案明确了在2022财年将20亿美元用于传统成熟制程芯片的生产。
除半导体激励计划外，研发和劳动力发展计划也将获得“美国芯片基金”110亿美元的支持，在未来五年内投向国家半导体技术中心(NSTC)、国家先进封装制造计划以及其他研发和劳动力发展项目。
在527亿美元的预算中，“美国国防芯片基金”将获得20亿美元；“美国芯片国际技术安全与创新基金”将获得5亿美元，用以加强与外国政府合作伙伴的协调沟通；“美国芯片劳动力和教育基金”将获得2亿美元，主要用于相关人才培养。
而约2000亿美元的科研经费支持则将分配给美国国家科学基金会（NSF）、美国国家标准与技术研究院（NIST）、商务部和能源部等机构。其中，商务部将获得分配100亿美元给州和地方区域的权力，以在美国各地建设多个“区域技术中心”。
为何值得中国警惕？用行政力量干扰国际半导体企业在华经营
“芯片法案”最值得关注的一项条款是，禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片，期限为10年。违反禁令或未能修正违规状况的公司或将需要全额退还联邦补助款。
华泰证券发布的一份研报称，目前在中美都设有半导体厂的企业包括台积电（南京）、三星（西安）、海力士（大连），这些企业如果接受“芯片法案”的补助，可能会被限制在中国建造或扩大先进制程晶圆厂。此外，英特尔和美光也在中国拥有芯片封装和测试工厂。
据英国广播公司（BBC）报道，在过去一段时间中，所有美国设备制造商都收到美国商务部的信函，通知他们不要向中国供应用于14纳米或以下芯片制造的设备。美国芯片设备厂商泛林半导体主席兼CEO蒂姆·阿切尔在7月27日的财报会上表示，美国对华技术出口管制范围将进一步扩大至生产14纳米以下芯片的代工厂。
芯谋研究首席分析师顾文军对《环球时报》记者表示，“芯片法案”的规定与美国政府近几年来对中国半导体企业的一系列制裁结合起来，再一次说明美国将中国半导体视为竞争对手，着意打压中国半导体产业在先进技术领域的发展。
一名不具名的业内人士在接受《环球时报》记者采访时批评称，近年来，美国已采取种种手段打造排挤中国的半导体“小圈子”，而“芯片法案”中的“中国护栏”条款对中国乃至整个产业界都具有严重危害性。这名资深半导体行业专家说，这一条款使美国除在本国生产半导体外，只会找所谓“信得过”的国家开展合作，这或将打破全球半导体行业的分工与格局。未来，美国还可能变本加厉，“让哪个国家生产什么就生产什么”。
对于“芯片法案”中的相关内容，中国贸促会、中国国际商会10日发文表示反对。中国贸促会、中国国际商会认为，法案中的条款歧视性对待部分外国企业，凸显美意在动用政府力量强行改变半导体领域的国际分工格局，损害了包括中美企业在内的世界各国企业的利益。一方面，这是典型的专向性产业补贴，不符合世贸组织的非歧视原则；另一方面，法案将部分国家确定为重点针对和打击目标，导致企业被迫调整全球发展战略和布局。尤其是法案对“任何受关注的国家”界定宽泛，无限扩大了执法的自由裁量权，具有典型的泛政治化色彩，各国企业经营活动面临的不确定性大大增加。
顾文军认为，在美国一系列组合拳下，半导体传统市场化竞争模式将发生改变。半导体产业将从全球化、合作化、分工化向多区域化、多生态化、竞争化发展。在“芯片法案”等一系列措施下，国际企业扩张和发展逻辑将更多考虑政治因素，其次才是市场、效率和成本。
在“芯片法案”签署前后，多家美国半导体企业已宣布将在本土扩大投资。美光公司9日宣布，其将在2030年前投资400 亿美元在美国制造芯片，而这一行动将得到“芯片法案”的支持。路透社8日报道称，高通公司已同意从芯片制造商格芯的纽约工厂额外购买价值42亿美元的半导体芯片，从而使其到2028年的采购总额达到74亿美元。
顾文军表示，“芯片法案”意在加速建设本土半导体制造，一方面扶持本土现有制造龙头，另一方面吸引更多国际企业加大在美投资。这会分散国际企业在中国市场的投资，影响资金、人才等诸多方面，进而影响中国获取国际资源的能力。此前，国际企业在中国布局是产业链布局，现在可能仅把中国作为终端市场，限制性地销售某些特定产品。当中国在国际半导体企业布局中由研发和制造转向售后和服务，中国半导体产业所发挥的价值将下降，在全球半导体产业中的话语权也将降低。
中国现代国际关系研究院美国所副研究员李峥认为，“芯片法案”为美国提供了更多国际合作与谈判的筹码。在通过“芯片法案”后，美国可能还将加速构建所谓“芯片四方联盟”，以产业补贴和市场准入为筹码拉拢韩国、日本、中国台湾地区等相关方，形成美国半导体产业的“后院”。
有多大影响？美国难以达到夺回产业主导权目的
李峥对《环球时报》记者表示，尽管“芯片法案”将发挥一定作用，但是否能真正改变全球半导体格局还有待观察。他认为，“芯片法案”存在若干局限性，例如低估了芯片产业转移、再造的难度。
李峥表示，美市场人士预计，芯片法案所提供的500多亿美元资金仅能基本满足英特尔、三星和台积电的工厂建设，无法支持从上游至下游的整体产业链。其中一些关键的中小企业无法得到美“芯片法案”支持，所以也不会转移其布局。同时，美国明显低估了半导体产业链转移所需的人才、劳动力、物流、能源等必要支撑因素，美国在上述领域均存在显著不足，面临供需失调的矛盾。
有研究指出，美国建立完全自给自足的本地半导体供应链需要至少1万亿美元的前期投资，而“芯片法案”直接投向半导体制造领域的500多亿美元预算对整个行业而言可谓杯水车薪。台积电前发言人孙又文日前参加一场线上讨论会时就曾表示，“为建设产能所花的钱真的不是那么有意义。520亿美元真的不是很多钱，你只需看看台积电在一年内花费的资本支出，那520亿美元有什么用呢？”
包括美国学者在内的各方人士也对“芯片法案”真正能起到的作用表示怀疑。美国印第安纳大学副教授丹兹曼日前在《华盛顿邮报》撰文称，“芯片法案”是“昂贵的笨蛋”还是有效的创新催化剂，取决于项目管理，但其本身不太可能阻止美国公司继续在中国进行生产。
美国CNBC网站评论称，建立芯片工厂是一个漫长的过程，吸引新工厂所需的人才不是一蹴而就的。美国制造业中常见的法规、劳动力成本和其他障碍可能会进一步减缓美国公司生产本土芯片的过程和时间表。
李峥同时指出，美国也低估了半导体产业国际竞争与利益绑定的基本事实。当今全球半导体产业已与20世纪90年代的美日争霸有显著不同。由于芯片制造工艺更加复杂，半导体企业普遍采用跨国合作的方式发挥比较优势，降低生产成本。美国的“芯片法案”或“芯片四方联盟”不足以改变全球半导体产业高度分散、相互依赖的现实局面，因此也无法达到夺回半导体产业主导权的目的。
美国智库战略国际研究中心也分析认为，在复杂和高度依存的全球价值链中，美国和中国的半导体企业早已深度融合，要使供应链完全本地化，将付出巨大的经济和技术成本。因此，全球半导体行业完全“脱钩”是非常不切实际的。
据波士顿咨询公司等机构估计，如果华盛顿采取对华“技术硬脱钩”政策，可能会损害一些美国半导体企业的利益，这或将使它们丧失18%的全球市场份额和37%的收入，并减少1.5万个至4万个高技能工作岗位。换言之，“芯片法案”提供的补贴很可能无法弥补半导体企业将工厂从中国迁往美国的成本。（环球时报-环球网报道 记者 赵觉珵）
10日接受《环球时报》记者采访的业内人士表示，在美国已采取要求相关企业对中国禁售高端光刻机、向华为公司施加“芯片禁令”、组织“芯片四方联盟”围堵中国等措施后， “芯片法案”开启了美国“几十年来少有的产业政策支持”，在寻求重夺行业主导权的同时，限制和阻止半导体国际企业在中国大陆的既有制造能力和计划中的先进制造能力，进而将这些制造能力虹吸到美国，达到损人又利己的目的。
业内人士同时批评称，美国在“芯片法案”中加入“中国护栏”条款，让企业在中美产业政策中选边站队，制造了一国利用产业政策扰乱国际市场和全球供应链的危险先例。
法案说了什么？美政府豪掷527亿美元，大力补贴芯片研发制造
“美国发明了半导体。三十多年前，美国占全球芯片产量的 40%。后来，我们的经济支柱——制造业被掏空，半导体制造走向海外。”拜登9日在签署“芯片法案”时发表演讲称，“如今，这项法律将半导体（制造）带回了美国……在未来几十年中，我们将再次引领世界。”
正如拜登提到的，“芯片法案”的核心在于帮助美国重新获得在半导体制造领域的领先地位。行业数据显示，美国在全球半导体制造业中的份额从 1990 年的 37% 下降到 2020 年的 12%。同一时期，中国在该领域的份额从几乎为零上升到 15%。
《纽约时报》称，该法案融合了经济和国家安全政策的内容，主要包括两方面计划：一是向半导体行业提供约527亿美元的资金支持，并为企业提供价值240亿美元的投资税抵免，鼓励企业在美国研发和制造芯片；二是在未来几年提供约2000亿美元的科研经费支持，重点支持人工智能、机器人技术、量子计算等前沿科技。
根据美国国会发布的法案文件，“芯片法案”中对于2000多亿美元的投入有着详细的规划与时间表。根据法案规定，美国将成立四大基金，分享政府为半导体行业提供的527亿美元，其中500亿美元被拨给“美国芯片基金”，独占总金额的约95%份额。法案要求，“美国芯片基金”的资金将用于旨在发展美国国内制造能力的半导体激励计划以及研发和劳动力发展计划。
半导体激励计划是“美国芯片基金”在2022至2026财年的重中之重，该计划将花费390亿美元以支持芯片制造业的发展。2022财年，半导体激励计划投资190亿美元，此后每财年投入50亿美元。此外，法案还将为相关企业提供25%的投资税收抵免。同时，法案明确了在2022财年将20亿美元用于传统成熟制程芯片的生产。
除半导体激励计划外，研发和劳动力发展计划也将获得“美国芯片基金”110亿美元的支持，在未来五年内投向国家半导体技术中心(NSTC)、国家先进封装制造计划以及其他研发和劳动力发展项目。
在527亿美元的预算中，“美国国防芯片基金”将获得20亿美元；“美国芯片国际技术安全与创新基金”将获得5亿美元，用以加强与外国政府合作伙伴的协调沟通；“美国芯片劳动力和教育基金”将获得2亿美元，主要用于相关人才培养。
而约2000亿美元的科研经费支持则将分配给美国国家科学基金会（NSF）、美国国家标准与技术研究院（NIST）、商务部和能源部等机构。其中，商务部将获得分配100亿美元给州和地方区域的权力，以在美国各地建设多个“区域技术中心”。
为何值得中国警惕？用行政力量干扰国际半导体企业在华经营
“芯片法案”最值得关注的一项条款是，禁止获得联邦资金的公司在中国大幅增产先进制程芯片，期限为10年。违反禁令或未能修正违规状况的公司或将需要全额退还联邦补助款。
华泰证券发布的一份研报称，目前在中美都设有半导体厂的企业包括台积电（南京）、三星（西安）、海力士（大连），这些企业如果接受“芯片法案”的补助，可能会被限制在中国建造或扩大先进制程晶圆厂。此外，英特尔和美光也在中国拥有芯片封装和测试工厂。
据英国广播公司（BBC）报道，在过去一段时间中，所有美国设备制造商都收到美国商务部的信函，通知他们不要向中国供应用于14纳米或以下芯片制造的设备。美国芯片设备厂商泛林半导体主席兼CEO蒂姆·阿切尔在7月27日的财报会上表示，美国对华技术出口管制范围将进一步扩大至生产14纳米以下芯片的代工厂。
芯谋研究首席分析师顾文军对《环球时报》记者表示，“芯片法案”的规定与美国政府近几年来对中国半导体企业的一系列制裁结合起来，再一次说明美国将中国半导体视为竞争对手，着意打压中国半导体产业在先进技术领域的发展。
一名不具名的业内人士在接受《环球时报》记者采访时批评称，近年来，美国已采取种种手段打造排挤中国的半导体“小圈子”，而“芯片法案”中的“中国护栏”条款对中国乃至整个产业界都具有严重危害性。这名资深半导体行业专家说，这一条款使美国除在本国生产半导体外，只会找所谓“信得过”的国家开展合作，这或将打破全球半导体行业的分工与格局。未来，美国还可能变本加厉，“让哪个国家生产什么就生产什么”。
对于“芯片法案”中的相关内容，中国贸促会、中国国际商会10日发文表示反对。中国贸促会、中国国际商会认为，法案中的条款歧视性对待部分外国企业，凸显美意在动用政府力量强行改变半导体领域的国际分工格局，损害了包括中美企业在内的世界各国企业的利益。一方面，这是典型的专向性产业补贴，不符合世贸组织的非歧视原则；另一方面，法案将部分国家确定为重点针对和打击目标，导致企业被迫调整全球发展战略和布局。尤其是法案对“任何受关注的国家”界定宽泛，无限扩大了执法的自由裁量权，具有典型的泛政治化色彩，各国企业经营活动面临的不确定性大大增加。
顾文军认为，在美国一系列组合拳下，半导体传统市场化竞争模式将发生改变。半导体产业将从全球化、合作化、分工化向多区域化、多生态化、竞争化发展。在“芯片法案”等一系列措施下，国际企业扩张和发展逻辑将更多考虑政治因素，其次才是市场、效率和成本。
在“芯片法案”签署前后，多家美国半导体企业已宣布将在本土扩大投资。美光公司9日宣布，其将在2030年前投资400 亿美元在美国制造芯片，而这一行动将得到“芯片法案”的支持。路透社8日报道称，高通公司已同意从芯片制造商格芯的纽约工厂额外购买价值42亿美元的半导体芯片，从而使其到2028年的采购总额达到74亿美元。
顾文军表示，“芯片法案”意在加速建设本土半导体制造，一方面扶持本土现有制造龙头，另一方面吸引更多国际企业加大在美投资。这会分散国际企业在中国市场的投资，影响资金、人才等诸多方面，进而影响中国获取国际资源的能力。此前，国际企业在中国布局是产业链布局，现在可能仅把中国作为终端市场，限制性地销售某些特定产品。当中国在国际半导体企业布局中由研发和制造转向售后和服务，中国半导体产业所发挥的价值将下降，在全球半导体产业中的话语权也将降低。
中国现代国际关系研究院美国所副研究员李峥认为，“芯片法案”为美国提供了更多国际合作与谈判的筹码。在通过“芯片法案”后，美国可能还将加速构建所谓“芯片四方联盟”，以产业补贴和市场准入为筹码拉拢韩国、日本、中国台湾地区等相关方，形成美国半导体产业的“后院”。
有多大影响？美国难以达到夺回产业主导权目的
李峥对《环球时报》记者表示，尽管“芯片法案”将发挥一定作用，但是否能真正改变全球半导体格局还有待观察。他认为，“芯片法案”存在若干局限性，例如低估了芯片产业转移、再造的难度。
李峥表示，美市场人士预计，芯片法案所提供的500多亿美元资金仅能基本满足英特尔、三星和台积电的工厂建设，无法支持从上游至下游的整体产业链。其中一些关键的中小企业无法得到美“芯片法案”支持，所以也不会转移其布局。同时，美国明显低估了半导体产业链转移所需的人才、劳动力、物流、能源等必要支撑因素，美国在上述领域均存在显著不足，面临供需失调的矛盾。
有研究指出，美国建立完全自给自足的本地半导体供应链需要至少1万亿美元的前期投资，而“芯片法案”直接投向半导体制造领域的500多亿美元预算对整个行业而言可谓杯水车薪。台积电前发言人孙又文日前参加一场线上讨论会时就曾表示，“为建设产能所花的钱真的不是那么有意义。520亿美元真的不是很多钱，你只需看看台积电在一年内花费的资本支出，那520亿美元有什么用呢？”
包括美国学者在内的各方人士也对“芯片法案”真正能起到的作用表示怀疑。美国印第安纳大学副教授丹兹曼日前在《华盛顿邮报》撰文称，“芯片法案”是“昂贵的笨蛋”还是有效的创新催化剂，取决于项目管理，但其本身不太可能阻止美国公司继续在中国进行生产。
美国CNBC网站评论称，建立芯片工厂是一个漫长的过程，吸引新工厂所需的人才不是一蹴而就的。美国制造业中常见的法规、劳动力成本和其他障碍可能会进一步减缓美国公司生产本土芯片的过程和时间表。
李峥同时指出，美国也低估了半导体产业国际竞争与利益绑定的基本事实。当今全球半导体产业已与20世纪90年代的美日争霸有显著不同。由于芯片制造工艺更加复杂，半导体企业普遍采用跨国合作的方式发挥比较优势，降低生产成本。美国的“芯片法案”或“芯片四方联盟”不足以改变全球半导体产业高度分散、相互依赖的现实局面，因此也无法达到夺回半导体产业主导权的目的。
美国智库战略国际研究中心也分析认为，在复杂和高度依存的全球价值链中，美国和中国的半导体企业早已深度融合，要使供应链完全本地化，将付出巨大的经济和技术成本。因此，全球半导体行业完全“脱钩”是非常不切实际的。
据波士顿咨询公司等机构估计，如果华盛顿采取对华“技术硬脱钩”政策，可能会损害一些美国半导体企业的利益，这或将使它们丧失18%的全球市场份额和37%的收入，并减少1.5万个至4万个高技能工作岗位。换言之，“芯片法案”提供的补贴很可能无法弥补半导体企业将工厂从中国迁往美国的成本。（环球时报-环球网报道 记者 赵觉珵）
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