8月15日是抗日战争胜利纪念日，日本则将其成为二战战败日。这一天，日本首相岸田像历任首相一样发表演讲。他提到，日本将“坚持我们的决心，不再重演战争悲剧”。
但是，岸田并未提到日本对亚洲的侵略。这一做法，其实是继承了不久前遇刺的前首相安倍晋三开创的先例。
另一方面，岸田不断强调美国在广岛、长崎投放原子弹给日本民众造成的伤害。
岸田演讲内容的这些变化，引起了全球一些媒体的关注。美联社的报道中，以“粉饰日本的战争暴行”来描述日本政府这几年的变化。
岸田内阁在这一天的动作很多。比如，他以自民党总裁名义向靖国神社献上“玉串料”，经济安保相高市早苗当天参拜靖国神社。
其实，回顾安倍晋三以来一直鼓吹的“正常化”和强化防卫能力，就可以找到日本政府态度变化的自身逻辑。无论是参拜靖国神社，还是纪念日演讲词的修改，都是日本强化军事力量的铺垫。从美国等西方国家的反应来看，这种强化显然得到了默许和支持。
但是，岸田并未提到日本对亚洲的侵略。这一做法，其实是继承了不久前遇刺的前首相安倍晋三开创的先例。
另一方面，岸田不断强调美国在广岛、长崎投放原子弹给日本民众造成的伤害。
岸田演讲内容的这些变化，引起了全球一些媒体的关注。美联社的报道中，以“粉饰日本的战争暴行”来描述日本政府这几年的变化。
岸田内阁在这一天的动作很多。比如，他以自民党总裁名义向靖国神社献上“玉串料”，经济安保相高市早苗当天参拜靖国神社。
其实，回顾安倍晋三以来一直鼓吹的“正常化”和强化防卫能力，就可以找到日本政府态度变化的自身逻辑。无论是参拜靖国神社，还是纪念日演讲词的修改，都是日本强化军事力量的铺垫。从美国等西方国家的反应来看，这种强化显然得到了默许和支持。
这或许也是我不喜欢删聊天记录的原因，它承载了太多美好，虽然也夹杂了很多物是人非的撕裂感。
每当想翻看，总是会最先想起最甜的那部分
我相信在我们说出这些话的时候是真挚地，对未来充满热情、善意和期盼的，是什么消磨掉了这些热忱？可能没有答案。
或许仅仅只是：
你高估了你的的承受能力，我也低估了我的敏感程度。
我高估里你对我的耐心与包容，你也低估了我对你的依赖和期待。
你没有兑现你的承诺，而我变成了我以为永远不会变成的样子。
可能就是这些话都犹言在耳，让我一时迷了心智认了真，渐渐失去了平衡自我和共处的分寸感，不合时宜地动用了过分的期待，变得偏执，变的患得患失，像只困兽。
但是，你知道吗？我曾真心期待跟你有一个Happy Ending，也曾坚定相信过，就在那许许多多我至今回忆起来，仍觉得幸福到不真实的时刻。我想如数家珍地把它们藏进回忆里，也想把它们书写在文字里揉进时光↓
1.大家相约爬山，对于从小最不擅长的就是体力活动的我，爬山可能是我最厌恶的选项之一。可是在你的一再劝说下，我直视你的眼睛问你，你很想我去吗，你点了点头，我竟就鬼迷心窍就应允了下来。那天，你拿出水为我扭开瓶盖递到手里，我喝了一口扭上瓶盖，你又从我手里抢走，还顺便把我手机也揣进裤兜。我笑着说一个手机能消耗我多少体力？你沉默却也没把手机还我。在过马路时顺势牵我的手，又在马路边礼貌放开，我僵直的胳膊突然有点不知道往哪摆。
2.我在群里随口说了句想喝芒果西米露，你发来私信问我地址。我推辞马上要回家，玩笑话不用当真。我意外被失控的车惊吓，跟你吐槽了一嘴，你一惊一乍地询问了一路。日暮时分，我正准备下楼倒垃圾，却接了你的信息，跟我说你扶老奶奶过马路，得到的奖励是两碗芒果西米露。而下一刻，你说你在我们第一次单独相约的路口，我跑过去，发现你手里拿着那两碗西米露。
3.湖边的初吻，心跳如擂鼓。其实你不知道在你第一次突然靠近时我就已经心猿意马，只是因为害羞只好佯装不懂你的意图。为了缓解尴尬，我再看远处的招牌，你突然靠近，这次没有退回。睁开眼的时候我不知道怎么看你，只好学鸵鸟把头埋进你的颈窝，你问我会不会唐突，其实我心里开了花却不能跟你说。害羞是真的，但幸福也是真的。凌晨两点你把我送回家，一路上紧盯不放，最后自己独自打车离开。你不嫌夜色渐晚，我也不想念家里温暖的大床。那天你说欠我个仪式。但那天，我成为了你的女朋友。
4.我生理期时在公开场所不小心把坐垫染污，慌忙坐下向你求助，你二话不说卷起坐垫收好，我担心男孩子拿这种东西会让你尴尬，可你不置一语把袋子收在身后不让我拿走。回到房间，你毫不嫌弃拿起我的鞋，二话不说为我洗好弄脏的椅垫，我问你不会脏吗，我自己洗吧，你说这有啥，这不是应该的吗？
5.我向你袒露我过去的感情经历令我高度缺乏安全感，而现在这段关系突如其来的反转也让我有太多不真实感，但同时我觉得我因为过去的人而把这种防备心理加诸在你身上对你很不公，自责自己这样的心态很糟糕。你说叫我自我一点，拿回骄傲，不用小心翼翼，不用斟酌用词，你说你不会因为我的词不达意语无伦次而厌倦反感。你说，你陪我克服那些不好的回忆，你说，如果会让我有不真实感，不安全感，那一定是你的问题，是你做的还不够。所以在朋友向我提出姐弟恋的风险，叫我谨慎考虑时，我很坚定的表示你能接住并化解我所有负面情绪。
6.我们第一次约会，从认识以来就没有发过一条朋友圈的你主动晒出电影票根和场地。吃饭前因为一句话把我惹哭了，哄了一路，坐在饭桌前你一边帮我擦眼泪一边说：不哭了，生气也不能不吃饭呀，我错了，我们先存档，吃完饭再生气好不好。我当即被你无厘头却又很暖心的方案逗笑了。饭后走在路上，你牵着我耐心地询问我刚才怎么想的，我说你不是知道我生气的原因吗？你说你虽然知道原因但是不知道我的具体想法，你想知道我的心路历程，才能避免再次犯错。我当时在想，这谁听了还能气的起来可就太不识好歹了！
7.公园的长椅上，我躺在你腿上，你不停的往我身上喷花露水，生怕蚊子多咬我一口，腿麻了也不让我坐起来。你教我打你喜欢的游戏，耐心地告诉我页面怎么操作。当时我心里在想，如果能这么一直一起虚度光阴，好像也不错？
8.母亲节前夕，你让我陪你回家见奶奶。我很震惊，也确实没有准备，就拒绝了。包括后来端午的家庭聚餐，你也提出带我一起参加，虽然我仍然没答应。但是那些时刻，我真的有一种安定和踏实感。
好多好多这样的当下，我真的能真切的体会被人捧在手心的爱着的幸福感。也是这些瞬间，我坚信时光可以很长很长，我再也不想要什么顾虑和防备，我开始由被动变得主动，开始会索取敢要求，也会对他人炫耀你的存在。但是或许是我不断递增的需求感，和时间流逝后趋于平淡的日常相处质量没有能够同步，之间产生了关于期待值的巨大落差，我开始敏感焦虑患得患失，给你带来了无形的压力和不适感。也就是这个时候开始，我们慢慢走向岔路，在彼此的消耗中走向散场。
可能世界上没有一种感情能如初生般热烈，也没有人能守住每一个承诺。但是我们都少了点信心，少了点决心，少了点勇气。那些无用的骄傲，困住了两个人，输给了缘分，输给了“不适合”。
辜负了相遇，我真的很遗憾。但是茫茫人生，谁又能保证全然不遗憾呢？虽然千般不舍，万点不甘，我还是想祝福你能遇到，你勇敢奔赴，不惧付出的那位良人，哪怕那个人不再是我。
每当想翻看，总是会最先想起最甜的那部分
我相信在我们说出这些话的时候是真挚地，对未来充满热情、善意和期盼的，是什么消磨掉了这些热忱？可能没有答案。
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我高估里你对我的耐心与包容，你也低估了我对你的依赖和期待。
你没有兑现你的承诺，而我变成了我以为永远不会变成的样子。
可能就是这些话都犹言在耳，让我一时迷了心智认了真，渐渐失去了平衡自我和共处的分寸感，不合时宜地动用了过分的期待，变得偏执，变的患得患失，像只困兽。
但是，你知道吗？我曾真心期待跟你有一个Happy Ending，也曾坚定相信过，就在那许许多多我至今回忆起来，仍觉得幸福到不真实的时刻。我想如数家珍地把它们藏进回忆里，也想把它们书写在文字里揉进时光↓
1.大家相约爬山，对于从小最不擅长的就是体力活动的我，爬山可能是我最厌恶的选项之一。可是在你的一再劝说下，我直视你的眼睛问你，你很想我去吗，你点了点头，我竟就鬼迷心窍就应允了下来。那天，你拿出水为我扭开瓶盖递到手里，我喝了一口扭上瓶盖，你又从我手里抢走，还顺便把我手机也揣进裤兜。我笑着说一个手机能消耗我多少体力？你沉默却也没把手机还我。在过马路时顺势牵我的手，又在马路边礼貌放开，我僵直的胳膊突然有点不知道往哪摆。
2.我在群里随口说了句想喝芒果西米露，你发来私信问我地址。我推辞马上要回家，玩笑话不用当真。我意外被失控的车惊吓，跟你吐槽了一嘴，你一惊一乍地询问了一路。日暮时分，我正准备下楼倒垃圾，却接了你的信息，跟我说你扶老奶奶过马路，得到的奖励是两碗芒果西米露。而下一刻，你说你在我们第一次单独相约的路口，我跑过去，发现你手里拿着那两碗西米露。
3.湖边的初吻，心跳如擂鼓。其实你不知道在你第一次突然靠近时我就已经心猿意马，只是因为害羞只好佯装不懂你的意图。为了缓解尴尬，我再看远处的招牌，你突然靠近，这次没有退回。睁开眼的时候我不知道怎么看你，只好学鸵鸟把头埋进你的颈窝，你问我会不会唐突，其实我心里开了花却不能跟你说。害羞是真的，但幸福也是真的。凌晨两点你把我送回家，一路上紧盯不放，最后自己独自打车离开。你不嫌夜色渐晚，我也不想念家里温暖的大床。那天你说欠我个仪式。但那天，我成为了你的女朋友。
4.我生理期时在公开场所不小心把坐垫染污，慌忙坐下向你求助，你二话不说卷起坐垫收好，我担心男孩子拿这种东西会让你尴尬，可你不置一语把袋子收在身后不让我拿走。回到房间，你毫不嫌弃拿起我的鞋，二话不说为我洗好弄脏的椅垫，我问你不会脏吗，我自己洗吧，你说这有啥，这不是应该的吗？
5.我向你袒露我过去的感情经历令我高度缺乏安全感，而现在这段关系突如其来的反转也让我有太多不真实感，但同时我觉得我因为过去的人而把这种防备心理加诸在你身上对你很不公，自责自己这样的心态很糟糕。你说叫我自我一点，拿回骄傲，不用小心翼翼，不用斟酌用词，你说你不会因为我的词不达意语无伦次而厌倦反感。你说，你陪我克服那些不好的回忆，你说，如果会让我有不真实感，不安全感，那一定是你的问题，是你做的还不够。所以在朋友向我提出姐弟恋的风险，叫我谨慎考虑时，我很坚定的表示你能接住并化解我所有负面情绪。
6.我们第一次约会，从认识以来就没有发过一条朋友圈的你主动晒出电影票根和场地。吃饭前因为一句话把我惹哭了，哄了一路，坐在饭桌前你一边帮我擦眼泪一边说：不哭了，生气也不能不吃饭呀，我错了，我们先存档，吃完饭再生气好不好。我当即被你无厘头却又很暖心的方案逗笑了。饭后走在路上，你牵着我耐心地询问我刚才怎么想的，我说你不是知道我生气的原因吗？你说你虽然知道原因但是不知道我的具体想法，你想知道我的心路历程，才能避免再次犯错。我当时在想，这谁听了还能气的起来可就太不识好歹了！
7.公园的长椅上，我躺在你腿上，你不停的往我身上喷花露水，生怕蚊子多咬我一口，腿麻了也不让我坐起来。你教我打你喜欢的游戏，耐心地告诉我页面怎么操作。当时我心里在想，如果能这么一直一起虚度光阴，好像也不错？
8.母亲节前夕，你让我陪你回家见奶奶。我很震惊，也确实没有准备，就拒绝了。包括后来端午的家庭聚餐，你也提出带我一起参加，虽然我仍然没答应。但是那些时刻，我真的有一种安定和踏实感。
好多好多这样的当下，我真的能真切的体会被人捧在手心的爱着的幸福感。也是这些瞬间，我坚信时光可以很长很长，我再也不想要什么顾虑和防备，我开始由被动变得主动，开始会索取敢要求，也会对他人炫耀你的存在。但是或许是我不断递增的需求感，和时间流逝后趋于平淡的日常相处质量没有能够同步，之间产生了关于期待值的巨大落差，我开始敏感焦虑患得患失，给你带来了无形的压力和不适感。也就是这个时候开始，我们慢慢走向岔路，在彼此的消耗中走向散场。
可能世界上没有一种感情能如初生般热烈，也没有人能守住每一个承诺。但是我们都少了点信心，少了点决心，少了点勇气。那些无用的骄傲，困住了两个人，输给了缘分，输给了“不适合”。
辜负了相遇，我真的很遗憾。但是茫茫人生，谁又能保证全然不遗憾呢？虽然千般不舍，万点不甘，我还是想祝福你能遇到，你勇敢奔赴，不惧付出的那位良人，哪怕那个人不再是我。
【又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅 如何跑得更快更远 - 原创 ZeR0 芯东西 2022-7-04 发表于北京】
碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
这个被特斯拉带飞的第三代半导体材料，正迎来爆发式增长。国家政策也在大力扶持：“十四五”规划和二〇三五远景目标纲要，明确指出“支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”。
随着新能源汽车、人工智能、光伏风能发电、大数据、5G通信等一系列新应用领域的出现，以碳化硅为代表的第三代半导体正呈现蓬勃之势。
相比硅和砷化镓等半导体材料，在碳化硅等第三代半导体领域，我国与国际巨头之间的整体技术差距相对更小，更有希望实现换道超车，降低国际供应链的风险。
但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
第一个吃螃蟹的是马斯克的特斯拉。特斯拉Model 3率先将意法（ST）的碳化硅MOSFET功率模块应用到负责控制电动机的主逆变器中，证明了碳化硅技术足够成熟，并具有显著优势。
上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
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碳化硅SiC的春天，终于来了！
“双碳”战略开启了新能源转换黄金时代，也开启了功率半导体发展的黄金时代。这一趋势下，拥有优越性能的碳化硅，正成为功率器件的宠儿。用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，能极大提高能量转化效率，大概会降低75%以上的能量损耗。其经济效益毋庸置疑是巨大的。
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但与此同时，国内碳化硅产业链发展仍面临重重挑战，任重道远。当下国内碳化硅半导体的单晶材料、衬底、器件研发面临哪些核心痛点？接下来产业链发展还需怎样的助力？
在6月26日举行的“2022中国·南沙国际集成电路产业论坛”宽禁带半导体论坛上，山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授，广东芯粤能CTO相奇，中电化合物董事潘尧波，上海瞻芯电子CTO陈俭等专家发表主题演讲，分享了来自产业一线的观察和思考。
1. 碳化硅爆发式增长新能源汽车成主战场
碳化硅材料有半绝缘型和导电型两种衬底。半绝缘型主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域；导电型主要用于制造功率器件，用在以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，这也是当前碳化硅的主赛道。
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上海瞻芯电子CTO陈俭将“特斯拉的Model 3”类比“2007年的iPhone 4”，这是他决心离开做了21年的硅、转向碳化硅行业的原因。他回忆道，2014~2015年的碳化硅模块，据称已经将功率提高10%、体积缩小57%、重量降低40%，而现在比当时做得还要好。
新能源汽车的爆发，引发了一波碳化硅的“上车潮”。
特斯拉、保时捷、比亚迪汉、现代等纷纷在上碳化硅，碳化硅逐渐成为了高端汽车的标配；国内小鹏、蔚来、理想等造车新势力，都已推出或宣布推出碳化硅模块；宇通客车、上汽、北汽也在做这方面的筹备工作，而且商用车领域更容易导入一些新技术。
据法国知名行业咨询机构Yole预测，2022年车用碳化硅器件占比达68.8%，到2025年碳化硅功率器件的市场规模有望增至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅之所以适合做功率器件，根由在于其材料性能。
碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，热导率是硅的3倍，电子饱和速率是硅的2倍，最重要的是临界击穿电场是硅的8-10倍。因此，碳化硅器件有耐高温、低导通电阻、开关速度快、耐高压等特点，使得碳化硅系统更小、更轻、能效更高、驱动力更强。
广东芯粤能CTO相奇分享了一组预测数据，到2030年，中国大陆年度用电总量将超过10.5万亿度，如果用碳化硅器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数目，相当于10个三峡大坝的年发电总量。
到2030年，新能源车的销售量将增长9倍，光伏的装机量将增长5倍，碳化硅将大有用武之地。再加上缺货浪潮的助推，如今进口材料供货紧俏、一再延期，倘若国内碳化硅材料供应商发力赶上，这将为国产材料的导入打开一个突破口。
2. 8英寸时代到来但量产还要等三四年
碳化硅产业链覆盖从最上游的碳化硅粉，到晶锭、衬底、外延，再到晶圆，以及封装后的单管和模块，最后到交付应用。这种半导体材料的历史，最早可追溯至1885年，瑞典科学家发明了碳化硅生长装置，将核心原材料沙子和木炭加热到1500℃左右，通过导电，引发自蔓延反应，得到碳化硅单晶。但此前因材料技术和设备的限制，碳化硅长期没有发展起来。山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆创始人兼首席科学家徐现刚教授介绍说，碳化硅单晶的研究可以分为三个阶段：第一阶段是90年代光电应用，碳化硅作为衬底，成功应用在光电领域；第二阶段是微波电子，我国做的已经不比国外差；第三阶段是功率电子应用，希望上下游通力合作，在这方面赶超国外。经过30多年的研发，国内碳化硅研究已具备一定条件，可以为器件研发提供衬底材料。
碳化硅衬底正不断向大尺寸方向发展，衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。目前业内主要量产产品集中在4英寸及6英寸，并演化向8英寸。国外在十年前突破了6英寸衬底技术，在“十三五”期间攻克了8英寸衬底技术。国际行业龙头科锐今年成功将8英寸衬底导入量产，全球首条8英寸晶圆工厂已经通线，很快就要建第二个8英寸碳化硅器件生产厂。在产业化方面，国内碳化硅企业已完成4-6英寸的升级。徐现刚教授谈道，目前国内已有8英寸碳化硅，与国际差距在2~3年之内，这个差距会越来越小。国内4英寸碳化硅晶体在2010年出现，从2017年4英寸导电衬底开始批量销售，中间间隔7年时间；国内6英寸批量销售是2019年，从研发开始也用了三四年。
中电化合物董事潘尧波判断，4寸的量会越来越少，6寸是当前主流，8寸是发展趋势，8英寸如果今年出来，按以往时间周期推演，需要等到2025年、2026年才能导入量产。
在他看来，“8英寸时代到来”还面临一些挑战，包括籽晶依赖于扩径、晶体良率、晶体质量、8英寸衬底加工、成本、生态等方面的问题，希望产业上下游紧密协同来解决问题。据他分析，根据中国电子材料协会统计数据，目前国内碳化硅规划投资300亿元，规划年产能200万片。2020年全国碳化硅产量约11万片，其中还包括很大一部分4英寸产量。规划的产能存在一定水分，规划的投资量偏大，实际落地的投资量有衰减，所以规划产能大于落地产能。从产能到产量，涉及到良率、成本、设备问题，据其统计，目前国内的长晶炉超过3000台，但实际供货量很少，今年6英寸的量大概率能超10万片，不过离需求情况还有很大的差距。汽车对材料有非常高的可靠性要求，这就引申到材料质量需要更高的要求，国内很多材料还在验证中，能满足车规级要求的占比不高。因此潘尧波判断，碳化硅材料，特别是车规级材料，会长期偏紧。他建议8英寸的扩展可以适当慢一点，如果材料供应不及却投了大量设备，这些产能则会空置，将导致产生很多投资的成本。
3.国内产业链面临的外忧与内患
目前碳化硅材料和功率器件都主要由海外企业垄断。器件方面，五家头部企业来自欧洲、日本、美国，合计市占率约90%；材料方面的垄断更加集中，Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ全面领先衬底市场，Wolfspeed和昭和电工两巨头几乎垄断外延片市场。国内碳化硅产业链则相对集中在长三角、京津冀和粤港澳大湾区。
相奇认为，国内碳化硅产业链面临着全面挑战：
1、碳化硅材料。
国内长晶技术和国际先进水平仍有距离，8英寸至少还需要2~3年才能追赶并突破，带动外延的发展。目前技术相对成熟，但设备还需要依赖于进口。
2、器件设计。
受限于制造工艺水平，材料优势没有被充分发挥，包括器件结构的优化创新，因为工艺能力的限制比较欠缺，生态也有待完善。
3、器件制造。
首先，衬底外延成本占比高，合资占比大概超过了50%；其次，器件良率受限于材料的缺陷及质量；其三，缺乏大规模的生产平台，过去碳化硅的规模相对较小，生产模式基本是实验室和小规模的小作坊模式；其四，专业设备还需要依赖于进口。
4、模组封装。
需找到更耐高温的封装材料，因为封装尺寸更小，散热及可靠性的要求更高。
5、汽车厂商。
问题是“缺芯”，尤其是“缺中国芯”。他总结道，国内碳化硅产业的强项是产业链较完整，弱项是现在成本还很高，尤其是在材料方面需要一些突破，其次是国产设备很少，专业设备还需依赖进口。我国的碳化硅产业链发展还需要平衡，才能与国外巨头进行竞争。
为什么碳化硅这么贵？
潘尧波解释说，碳化硅的成本很高，晶体存在质量、尺寸、厚度、良率、成本等痛点，且部分石墨依赖进口，供应紧张。碳化硅是硬脆材料，硬度仅次于金刚石，加工难度较大。
简单的衬底加工工序是从晶锭出来，做多线切割，做倒角，然后做研磨、CMP、清洗、检验，最后出货。其中切碳化硅，6英寸切一刀需要120小时左右，8英寸切一刀需要200小时左右，中间不能出任何差错，否则对切的质量会造成很大的影响。
相对于衬底，碳化硅外延技术门槛低一点，但也存在4个主要痛点：
1、进口外延设备交期长。
全球有4家进口主流供应商，国内主要采用的是3家，目前交期很长，有的甚至要60个月，即需五年时间。现在做碳化硅外延设备的有六七家，有的设备经过了批量销售，接下来国产化外延设备会进入产业主流。
2、外延的三个核心参数（缺陷、浓度、厚度）等检测设备依赖进口，交期长。目前国内缺陷领域有一家在demo过程中。
3、外延设备的单台产能低，每月仅300片左右，这个数量很低，可能会有新的设备和路线出来。
4、备件耗材寿命短，成本高。
外延过程经常要做保养，备件过程中会沉淀一些碳化硅颗粒，对碳化硅外延缺陷造成很大影响，所以备件耗材的生命比较短，一定程度上影响了碳化硅的产量。
在碳化硅器件方面，相奇分享了他观察到的一些趋势：
首先，沟槽MOSFET结构创新备受关注，已有多款沟槽器件产业化、商品化，且沟槽器件结构变化多端，创新空间变化也很大；
再者界面质量导致迁移率低，亟待技术突破，碳化硅器件的优势还没完全发挥出来，需利用新技术、新材料，提高界面质量和迁移率，提高可靠性。
除此之外，万伏千安智能电网需要超高压器件，所以超高压的MOSFET和超高压的IGBT也是器件研发的另一个方向。
有了大规模量产的平台、众多设计公司后，器件设计和制造生态系统则呼之欲出，从而提供一个桥梁，使得设计公司和量产平台能更好、更有效地合作。
4. “最根本的，是要做产业链的创新”
最后，陈俭分享了他看到的碳化硅产业潜力。
首先看定位。Yole数据显示，碳化硅从“三高”（高端、高频、高压）打入，慢慢蚕食硅IGBT市场。“我觉得这是「城市进入农村」的方式，做降维打击，成本做好，它是具有品牌效应的，这是势无可挡的应用。”陈俭说。
其次，上下游要协调好关系。下游车厂希望客户交货更快，现在有的周期要一年的时间，快则要6-7个月，太长了。
其三，价格要低，质量好，配合好。随叫随到是本土化优势，但质量还有待提高。上游会担心投资有没有希望、定价是否合理、付款方式好不好等问题。
至于上下游怎么协调？
陈俭认为，首先，下游需要明确的态度，要拓展应用，把市场做大，这是共赢之选；第二，上游要加大投资，给下游确保能供货且价格合理的信心；第三，有了技术，资金和人才才会加入。
在上游，现在SBD在充电桩领域的应用，市场不是红海了，是血海，卖的成本非常低，所以自己做器件、材料的厂商，要把碳化硅MOSFET的应用拓展起来。
只要有技术，碳化硅MOSFET做得好，市场还是很大的，SDB要区分于市场来做，价格要慢慢回归市场。技术进步需要时间，两三年之内很难做出很大的改善。
因此他们初步判断，大概在2024年前，衬底都是比较紧张的，外延则可能好一点，到2025年可能会缓解，但真正落实要到2026年，市场也可能会比预想得快，到时候又有一轮紧张。
在陈俭看来，最根本的，是要做产业链的创新，包括衬底技术、外延技术、Fab工艺、封装、碳化硅专用设备以及应用端的创新。
此外，他认为还需对创新者予以保护。首先做好专利布局；其次实现利益共享，定价机制要合理；第三，创新方要换位思考，要引入资金和推动标准建立；第四，尊重知识产权，抵制反授权，从法律层面保护创新者；第五，建立像IMEC一样的第三方合作开发平台。
5. 结语：碳化硅春天已至国产供应链迎新机遇
陈俭认为：碳化硅的春天来了，当前第三代半导体的碳化硅和氮化镓则比较火热，成长速度远超硅基功率器件。但还有很多挑战，要上下游共同共勉，以创新制胜，知识产权也要保驾护航。
徐现刚教授看来，碳化硅取得了新机遇，这么重要的材料，要降低国际供应链的风险性，对于进入国产和试用是非常好的机遇。
潘尧波亦判断：碳化硅产业处于成长期，在光伏、LED、硅产业等产业，新玩家会不断涌入，新技术会不断出现，这将给后来企业很多新机会。
『又一国产芯逆袭之门！特斯拉带飞，国内多位大佬谈碳化硅』https://t.cn/A6SAXrmu
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