1.迎来需求爆发，解决汽车里程焦虑和充电速度，800V电压平台增加sic需求。预计到2030年达到300亿，cagr50%

2.产业格局，美日欧三足鼎立，Wolfspeed出货量占据了全球45%。2021年全年投资630亿，2012-2021年累计1300亿

3.第三代半导体碳化硅（SiC）相比前两代半导体，具备大禁带宽度、大漂移速率、大热导率、大
击穿场强等优势，仍而能够开发出更适应高功率、高频、高温、高电压等恶劣条件的功率半导体器件。
整体来看，碳化硅的耐高压能力是硅的10倍、耐高温能力是硅的2倍、高频能力是硅的2倍。与硅基模
块相比，碳化硅二级管及开关管组成的模块（全碳模块），不仅具有碳化硅材料本征特性优势，在应用
时还可以缩小模块体积50%以上、消减电子转换损耗80%以上，从而降低综合成本。

4.衬底是碳化硅产业链的核心环节，其在成本结极中占比约为47%。目前碳化硅衬底的市场价栺由市场龙
头Wolfspeed主导，6英寸N型碳化硅衬底的价栺约为1000美元/片，是对应硅产品的5～6倍。
 随着上游材料端国内外企业加码扩产，未来5年内市场供应持续增大，衬底价栺将以每年8%-14%的速
度下降。未来衬底成本降低的关键点在：1. 优化工艺和设备提高长晶速度；2. 控制损耗和缺陷提升
良率；3. 改良设计提高器件转化率；4. 扩大尺寸提高晶圆利用率。

5.硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm
（6英寸），每片晶圆能制造的芯片数量不多，远不能满足下游需求。碳化硅晶圆从6英寸衬底过渡到8
英寸和更大尺寸有望成为碳化硅产业链发展的赺势。衬底尺寸越大，边缘的浪
费就越小，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低。

#小鹏汽车# 首款中大型SUVG9车型或将在今年4月份召开的北京车展上正式开启预售，并预计该车最早将在今年三季度开始交付。动力方面官方也暂未公布，据传新车将搭载XPower 3.0动力系统，该系统是国内首款800V高压SiC平台的量产车，最大充电功率可达480kW。据官方资料介绍，该系统未来将实现超充5min，续航200km的充电速度。[思考][思考][思考]#新能源汽车#

【集微咨询：800V将成电动汽车主流平台，SiC规模上车或将进入倒计时】

集微咨询（JW insights）认为：800V高压快充是里程焦虑的“破局者”，国内外车企由此掀起了一轮800V电压平台车型发布潮，以抢攻大功率快充新高地。但800V高压平台的落地是一大系统工程，从系统部件，到整车，以及基础设施等都需要同步变革与推进，上至半导体元器件、电池模组安全性提升，下至车、桩、充电网络的联动升级，当前仍面临许多技术难点https://t.cn/A6iXxlBS