最近碳化硅成为市场中最热的细分领域,这里整理了几个有业务的公司:
天岳先进(SiC衬底获得大规模订单,有望进入车规应用)、
时代电气(高压电驱平台突破,大 功率碳化硅主驱产品C-Power发布)、
士兰微(IDM龙头厂商,快速上量SiC芯片生产线)、
东尼电子(SiC 衬底产能突破,加速国产替代)、
露笑科技(SiC衬底产能加速扩张)、
北方华创(SiC长晶炉设备领域龙 头)等!
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士兰微(IDM龙头厂商,快速上量SiC芯片生产线)、
东尼电子(SiC 衬底产能突破,加速国产替代)、
露笑科技(SiC衬底产能加速扩张)、
北方华创(SiC长晶炉设备领域龙 头)等!
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时代电气(高压电驱平台突破,大 功率碳化硅主驱产品C-Power发布)、
士兰微(IDM龙头厂商,快速上量SiC芯片生产线)、
东尼电子(SiC 衬底产能突破,加速国产替代)、
露笑科技(SiC衬底产能加速扩张)、
北方华创(SiC长晶炉设备领域龙 头)等!
【机构观点】SiC行业迎来爆发拐点
SiC具有优秀材料特性,在新能源车、光伏等下游逐步得到应用
SiC材料自身的宽禁带特性使得使用于高压、大功率场景,且适用频率高可以使得系统体积、重量减少。在新能源汽车中,SiC可以用于主驱逆变器、OBC等。特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等车企已经在高端车型中搭载SiC器件,且未来800V高压系统应用将加速SiC渗透。Yole预计21~27年,SiC器件市场CAGR增速在30%以上。
SiC产业链国产厂商加速追赶
SiC产业链分为衬底、外延、封装、器件等环节,衬底占成本在40%左右。目前国产衬底厂商以6英寸为主,并不断缩小于海外的差距。封装环节中,AMB陶瓷基板由于热导率、可靠性更好,更适合用于SiC以及大功率器件中。器件环节,国产厂商已陆续推出SiC MOS产品,且性能参数在快速迭代。
价格逐步下降,SiC需求迎来爆发拐点
从安森美的原厂价格来看,1200V SiC MOS与硅基IGBT的价格差距在2.2倍,较650V的价差(3.2倍)更小。我们预计在高电压场景下,SiC已出现替换硅基器件的优势。前期,天岳公告获得13.9亿元衬底销售合同,而II-VI近期宣布和东莞天域签署超过1亿美元供应合同。行业大额订单显示需求迎来爆发拐点。
投资关注:关注衬底高壁垒环节天岳先进等、AMB基板供应商博敏电子、以及下游功率器件厂商SiC的布局,包括斯达半导、时代电气、新洁能、士兰微、扬杰科技等。
风险提示:下游需求发展不及预期、SiC成本下降速度不及预期、行业竞争加剧风险。
SiC具有优秀材料特性,在新能源车、光伏等下游逐步得到应用
SiC材料自身的宽禁带特性使得使用于高压、大功率场景,且适用频率高可以使得系统体积、重量减少。在新能源汽车中,SiC可以用于主驱逆变器、OBC等。特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等车企已经在高端车型中搭载SiC器件,且未来800V高压系统应用将加速SiC渗透。Yole预计21~27年,SiC器件市场CAGR增速在30%以上。
SiC产业链国产厂商加速追赶
SiC产业链分为衬底、外延、封装、器件等环节,衬底占成本在40%左右。目前国产衬底厂商以6英寸为主,并不断缩小于海外的差距。封装环节中,AMB陶瓷基板由于热导率、可靠性更好,更适合用于SiC以及大功率器件中。器件环节,国产厂商已陆续推出SiC MOS产品,且性能参数在快速迭代。
价格逐步下降,SiC需求迎来爆发拐点
从安森美的原厂价格来看,1200V SiC MOS与硅基IGBT的价格差距在2.2倍,较650V的价差(3.2倍)更小。我们预计在高电压场景下,SiC已出现替换硅基器件的优势。前期,天岳公告获得13.9亿元衬底销售合同,而II-VI近期宣布和东莞天域签署超过1亿美元供应合同。行业大额订单显示需求迎来爆发拐点。
投资关注:关注衬底高壁垒环节天岳先进等、AMB基板供应商博敏电子、以及下游功率器件厂商SiC的布局,包括斯达半导、时代电气、新洁能、士兰微、扬杰科技等。
风险提示:下游需求发展不及预期、SiC成本下降速度不及预期、行业竞争加剧风险。
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