【第三代半导体材料：国产替代核心赛道！弯道超车的机会】
都说中国想要在科技领域实现突围，那么弯道超车是个重要的方向，
相比于与第一二代半导体材料，目前第三代半导体材料，国内厂商起步与国外厂商相差不多，有希望实现技术上的追赶，完成国产替代。
第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料。经历了数代的更迭，目前以碳化硅（Sic）及氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，以下是国内第三代半导体SiC产业链分布图，建议关注！
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