价内~SNU
一年半的“打折”研究生
把原来的头发剪短了顺便换了颜色♀️
“上车饺子下车面”,学校请客
本是男儿身的我,自己扛下来要寄给我大姨的东西,我自己一次从六楼拎两个箱子下来,但是我们学院的男生要两个人抬一个箱子从二楼出来
希望出了校门的路一路顺风~进入社会的我前程似锦
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《100nm蓝宝石纳米薄膜无需等离子蚀刻实现更高效的Micro LED》
据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。
据论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长多面的Micro LED( 4μm × 16μm)阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。
https://t.cn/A6ADs5fy
据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。
据论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长多面的Micro LED( 4μm × 16μm)阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。
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韩国Micro LED实现新突破 Micro LED商业化进程将加快
据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。
论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。
相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED,在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%,内量子效率(IQE)提高了44%。此外,由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。同时,还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜,因此,可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上,简化了制程,降低了成本。
研究团队认为,此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限,将加快Micro LED显示技术的商业化进程。
据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。
论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。
相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED,在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%,内量子效率(IQE)提高了44%。此外,由此方法生长出的Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。同时,还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜,因此,可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上,简化了制程,降低了成本。
研究团队认为,此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限,将加快Micro LED显示技术的商业化进程。
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