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[中国赞]电源管理IC开发专家
编号S803T00J233，57岁，博士
奈良先端科学技术大学 材料专业博士毕业后，入职瑞萨电子公司（原NEC电子公司），主要负责先端LSI的Cu/Low-k金属配线技术开发，先端CMOS制造的浅接合成型技术开发。晶圆制造工艺。FET制造的栅极绝缘膜形成，热处理，离子注入，湿法清洗技术和湿抗蚀剂剥离工艺。擅长是离子注入和热处理，以及使用这些技术的接合成型技术。2013年转职到，韩国三星电机，主要从事，开发各种电源管理IC（IGBT，SJ-MOS）和各种智能手机的IC开发（相机模块IC，通信RF IC）。

[中国赞]液晶面板制造工业改善专家
编号S803D00J234，50岁，本科
毕业于早稻田大学。早期就职于日立显示，在TFT中小型制造部，主要负责做TFT液晶面板制造产线的Array工程工艺开发、品质改善。以及新制造产线启动业务、量产化业务。2012年转职到中国深超光电，主要开发a-Si-IPS新工艺（GOP）和氧化物半导体。2015年转职到中国群创光电，负责液晶面板制造产线工艺改善业务。

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