#金勇胜[超话]# #金勇胜舞台掌控者#
【推特】221014
cr:by_verivery
[#勇胜]
¡Fue un placer conocerte SANTIAGO!
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很高兴见到你 圣地亚哥 我爱你
#YONGSEUNG #베리베리 #VERIVERY
❌禁二改商用,转载请注明❌
入坑指南:https://t.cn/A66TvzPE
招新公告:https://t.cn/A6VFMUBw
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【中国科学家研发高质量二维铁氧体单晶,证实原子级超薄#半导体# 在室温磁存储等领域的潜力】
#半导体[超话]# ,是指导电性能介于金属和绝缘体之间的一种材料,可通过光照、外加电场等手段来调控其性质。它是所有电子设备的核心,也是现代信息技术的基石,深刻影响着人类生活。
然而,随着晶体管的不断微缩,传统的硅基电子器件已经接近其工艺尺寸和性能的物理极限,制约着集成电路的进一步发展。
近年来,#二维半导体# 材料凭借超薄的厚度和优异的电子特性,成为学界广泛关注的前沿热点,被认为是“后摩尔时代”高密度集成电路的重要候选对象,有望推动芯片向更小尺度、更高性能和更多功能发展。
具有磁性的半导体,被称为磁性半导体。它能同时控制半导体中电子的电荷和自旋,可将普通半导体器件的信息处理和光通讯的功能,与磁性材料的信息存储功能集成在单一芯片上。因此,其有望替代传统微电子技术。对于磁性半导体的研究,也将成为下一代信息技术发展的重要方向。
Science 杂志在创刊 125 周年之际,公布了 125 个重要的前沿科学问题,其中一项就是“是否可能制造出室温下的磁性半导体?”
二维的长程磁有序,一度被认为是不可能实现的。依据传统的各向同性海森堡模型,任何有限温度所产生的热涨落,都会让低维体系中的长程磁有序性遭到破坏,这便是所谓的 Mermin-Wagner 定理。
然而,最近有研究表明,碘化铬(CrI3)、铬锗碲(Cr₂Ge₂Te₆)等本征二维磁体的长程磁有序,在单层极限下仍能保持。
科学家们也从理论上证实:对于二维晶体中存在的热扰动,磁各向异性能起到抑制作用;而对于自旋在特定方向的排布,磁各向异性则可起到稳定的作用。这些理论的发现,为研究磁学基础物理、磁性异质结、自旋电子器件开辟了新方向。
但是,目前报道的二维磁性半导体的种类十分有限,而且磁转变温度往往小于 100K,这远低于室温,环境稳定性也比较差。
戳链接查看详情:https://t.cn/A6owxFp7
#半导体[超话]# ,是指导电性能介于金属和绝缘体之间的一种材料,可通过光照、外加电场等手段来调控其性质。它是所有电子设备的核心,也是现代信息技术的基石,深刻影响着人类生活。
然而,随着晶体管的不断微缩,传统的硅基电子器件已经接近其工艺尺寸和性能的物理极限,制约着集成电路的进一步发展。
近年来,#二维半导体# 材料凭借超薄的厚度和优异的电子特性,成为学界广泛关注的前沿热点,被认为是“后摩尔时代”高密度集成电路的重要候选对象,有望推动芯片向更小尺度、更高性能和更多功能发展。
具有磁性的半导体,被称为磁性半导体。它能同时控制半导体中电子的电荷和自旋,可将普通半导体器件的信息处理和光通讯的功能,与磁性材料的信息存储功能集成在单一芯片上。因此,其有望替代传统微电子技术。对于磁性半导体的研究,也将成为下一代信息技术发展的重要方向。
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然而,最近有研究表明,碘化铬(CrI3)、铬锗碲(Cr₂Ge₂Te₆)等本征二维磁体的长程磁有序,在单层极限下仍能保持。
科学家们也从理论上证实:对于二维晶体中存在的热扰动,磁各向异性能起到抑制作用;而对于自旋在特定方向的排布,磁各向异性则可起到稳定的作用。这些理论的发现,为研究磁学基础物理、磁性异质结、自旋电子器件开辟了新方向。
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【缓解自旋电子器件发热难题,科学家造出6nm超薄二维磁性纳米片,可用于低功耗信息处理和高密度存储】
“本次成果表明,Cr5Te8 纳米片在自旋电子器件应用潜力巨大,为二维磁性材料的可控合成提供了重要参考。同时,除了厚度效应外,我们也揭示了相结构对磁有序的显著影响,这极大拓展了二维磁性的调控空间。”新加坡南洋理工大学材料科学与工程学院教授刘政表示。
近日,该课题组在最新研究论文中,提出并开发一种简便有效的调整二维极限内的铁磁 Cr5Te8 磁序的方法。他们通过调控反应温度和降温速率,利用化学气相沉积 (CVD,Chemical Vapor Deposition)法,合成出相结构可调的超薄二维铁磁 Cr5Te8 纳米片,分别为三方相和单斜相,最小厚度为 6nm(如图一所示)。
在应用前景上,刘政表示:
首先,在当前电子信息器件不断小型化的主流趋势下,二维超薄铁磁材料有希望应用于新型的高密度磁存储和磁传感器。
此外,二维 Cr5Te8 相比于传统铁磁材料具有较大的反常霍尔角,有望减小自旋电子器件中发热问题,这是因为反常霍尔角反映了纵向驱动电流转换为横向霍尔电流的效率,所以具有较大反常霍尔角的铁磁材料实现相同的霍尔电流所需要的驱动电流较小。
因此,在未来基于自旋载体的低功耗信息处理和高密度存储方面(如自旋晶体管和非易失性磁随机存储器),二维铁磁材料具备巨大的应用潜力。
戳链接查看详情:https://t.cn/A6XBmZKc
“本次成果表明,Cr5Te8 纳米片在自旋电子器件应用潜力巨大,为二维磁性材料的可控合成提供了重要参考。同时,除了厚度效应外,我们也揭示了相结构对磁有序的显著影响,这极大拓展了二维磁性的调控空间。”新加坡南洋理工大学材料科学与工程学院教授刘政表示。
近日,该课题组在最新研究论文中,提出并开发一种简便有效的调整二维极限内的铁磁 Cr5Te8 磁序的方法。他们通过调控反应温度和降温速率,利用化学气相沉积 (CVD,Chemical Vapor Deposition)法,合成出相结构可调的超薄二维铁磁 Cr5Te8 纳米片,分别为三方相和单斜相,最小厚度为 6nm(如图一所示)。
在应用前景上,刘政表示:
首先,在当前电子信息器件不断小型化的主流趋势下,二维超薄铁磁材料有希望应用于新型的高密度磁存储和磁传感器。
此外,二维 Cr5Te8 相比于传统铁磁材料具有较大的反常霍尔角,有望减小自旋电子器件中发热问题,这是因为反常霍尔角反映了纵向驱动电流转换为横向霍尔电流的效率,所以具有较大反常霍尔角的铁磁材料实现相同的霍尔电流所需要的驱动电流较小。
因此,在未来基于自旋载体的低功耗信息处理和高密度存储方面(如自旋晶体管和非易失性磁随机存储器),二维铁磁材料具备巨大的应用潜力。
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