透明导电薄膜
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透明导电薄膜作为一种具有低电阻和高透光率的薄膜材料，被应用于显示器，太阳能电池、抗静电涂层、带电防护膜等各种光电材料中。透明导电膜主要有金属膜和氧化物半导体膜两大类。
金属透明导电薄膜
由于金属薄膜中存在自由电子，因此在膜很薄时也具有很好的导电性，且在基片温度较低时就可制备出低电阻膜。常见的金属透明导电膜有金、银、铜、铂、铝铬和铑等导电膜。
氧化物半导体透明薄膜
这类导电膜主要有SnO2、In2O3、ZnO、CdO等，他们都是n型半导体。对这种导电膜要求禁宽度在约3eV以上，且通过掺杂可使其具有高的载流子浓度以得到高的导电率。目前，应用最广泛的是SnO2和In2O3薄膜。

氧化锌避雷器原理及预防性试验方案
氧化锌避雷器的原理
氧化锌ZnO避雷器主要由氧化锌压敏电阻构成。
在正常的工作电压下，压敏电阻值很大，相当于绝缘状态，在冲击电压作用下，压敏电阻呈低值被击穿，相当于短路状态。然而压敏电阻被击状态，是可以恢复的；当高于压敏电压的电压撤销后，它又恢夏了高阻状态。
因此，在电力线上如安装氧化锌避雷器后，当雷击时，雷电波的高电压使压敏电阻击穿，雷电流通过压敏电阻流入大地，使电源线上的电压控制在安全范围内，从而保护了电器设备的安全。
预防性试验的目的和意义
避雷器在制造过程中可能存在缺陷而未被检查出来；在运输过程中受损，内部瓷碗破裂，并联电阻震断，外部瓷套碰伤；
在运输中受潮，瓷套端部不平，滚压不严，密封橡胶垫圈老化变硬，瓷套裂纹等原因；
其他劣化。
试验的项目
绝缘电阻试验；
直流1mA下电压及75%该电压下泄漏电流的测量；
运行电压下交流泄漏电流及阻性分量的测量(有功分量和无功分量）
绝缘电阻
绝缘电阻试验
绝缘电阻试验绝缘电阻试验与其他避雷器的绝缘电阻试验相同。
电压等级在35kV及以下用2500V数字兆欧表，
35kV以上用5000V数字兆欧表。
由于氧化锌阀片在小电流区域具有很高的阻值，故绝缘电阻主要取决于阀片内部绝缘部件和瓷套。
测量直流ImA的电压及该电压75%值时的泄漏电流
试验步骤：
采用直流高压发生器升压进行试验，先以微安表监测泄漏电流值，升至1mA。
停止升压确定此时电压值，再降压至该电压的75%时，测量其泄漏电流。
试验结果判断
依国家标准、部颁标准及历年试验数据对本次试验数据进行判断并作出结论。
通常在70%U1mA下的电流值偏大或电压加不上去，则有可能严重受潮；
电流>50pA，则有可能有受潮情况。
投运后，随着运行时间增加，电流有一定增大，但电流不能超过50uA。

在《加快电力装备绿色低碳创新发展行动计划》中提及的第三代半导体，是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

与传统的第1代、第2代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第3代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率、击穿电场高、介电常数小等独特的性能。

资料显示，相对于传统的硅材料，SiC的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。

相同规格下，碳化硅基MOSFET的尺寸只有硅基的1/10，但导通电阻是后者的1/100。与硅基IGBT相比，碳化硅基MOSFET的总能量损耗可以降低70%。

因此，它可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作耐高温、耐高压、耐大电流、抗辐射的高频大功率电子器件，使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，是世界各国半导体研究领域的热点。

根据Omdia《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的将保持年均两位数增速，到2029年或将超过50亿美元。

有业内专家统计，2030年中国年用电总量将超过10.5万亿度，如果用SiC器件全面替代硅器件做能量转换，那么每年可以节约上万亿度的电，这一数字相当于10个三峡大坝的年发电总量。