【#芯视野#意法半导体“三箭齐发”扩产，折射欧盟芯片自主“大战略”】

在宽禁带材料领域，与眼花缭乱数十上百个国内碳化硅、氮化镓项目相比，刚刚着手建设欧洲首个6英寸碳化硅衬底量产工厂的意法半导体，在市场上却有着强劲许多的竞争力，在宣发融资的“热闹”背后，新赛道如何商业落地，需要国内企业更多思考。https://t.cn/A6oXjcS5

光伏发电的应用中，以硅基器件为基础的传统逆变器造价基本大约在系统造价的10%以上，但它是系统能量损耗最重要的来源之一。采用碳化硅MOSFET或者碳化硅MOSFET+碳化硅SBD组合功率模块的光伏逆变器转换，效率可以由96%提高到99%以上，能量损耗减少50%以上，设备循环寿命提高50倍，因此可以减小系统体积，提高功率密度，延长设备使用寿命，降低生产成本。高效，高功率密度，高可靠，低成本等特点是光伏逆变器未来发展的趋势。在组串式与集中式光伏逆变器领域，碳化硅产品有望逐步取代硅基器件。

半导体碳化硅已经成为了新能源、智能电网、轨道交通和信息通讯等国民经济和社会发展的基础材料，是我国“十四五”期间重点攻关的半导体材料，但是碳化硅在单晶生长、晶圆加工和薄膜外延等过程中都有可能产生位错，从而影响材料性能。

那么，究竟什么是位错，有了位错对材料的电学性质、机械性质具体会产生什么影响，如何从宏观和微观的角度去减少位错呢？科创中心先进半导体研究院的年轻人们一直在探索。今天，先让我们走近科学家王蓉，她的“利用缓冲层迭代降低碳化硅中位错密度的研究”成功入选面上项目，一起来看看，她是如何在微观世界减少位错的。#半导体# #碳化硅# #科技创新# https://t.cn/A6o6lnxy