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铂起集团 | 20万级最值得期待的纯电轿跑？长安C385或将二季度上市
关于长安新能源汽车C385，相信大家都有所了解，在之前它公布定位中型轿车、风阻系数达到0.23Cd、推出纯电动和增程式混动版本等亮点，让我们再次看到长安汽车在新能源方面的实力。最近，网上又曝光关于它的新消息，量产版计划今年二季度上市，对手可能是特斯拉Model 3等车型，但相比它可能有一个更低的价格，可能在20万元左右。

随着新车的正式亮相，我们也看到长安汽车在造型设计上的进步，长安C385使用当下很流行的设计，比如采用“掀背”造型、隐藏式门把手、贯穿式尾灯设计等，整个外观造型看着比较新颖，更偏机甲造型风格，迎合年轻消费者的口味。根据此次长安汽车公布的数据，长安C385高宽比0.78、轴长比0.6。

对于纯电动车来说，降低风阻系数对续航的提升有一定帮助作用，长安C385风阻系数0.23Cd在同级别车型中很占优势。

空间方面，长安C385长宽高分别是4820/1890/1480mm，轴距为2900mm。这个车身尺寸介于特斯拉Model 3（车身长度4694mm/2875mm）和小鹏P7（车身长度4880mm/轴距2998mm）之间。

智能配置方面，长安C385将要搭载的APA7.0自动泊车系统以及L3+级自动驾驶能力值得期待。

从最新曝光的动力消息来看，长安C385基于长安汽车最新研发的EPA1纯电动平台打造，采用“超集电驱”系统，相比“三合一”电驱系统，它的体积减少5%、重量降低10%、功率密度提升37%、噪声降低15%、效率提升5%。为了解决电车冬季使用焦虑，长安C385还将配备高频脉冲加热技术。

ROHM第4代SiCMOSFET在电动汽车电控系统中的应用及其优势
近年来，为了实现“碳中和”等减轻环境负荷的目标，需要进一步普及下一代电动汽车（xEV），从而推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车（EV）领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的电控系统的效率已成为一个重要课题。SiC（碳化硅）作为新一代宽禁带半导体材料，具备高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势。因此，业内对碳化硅功率元器件在电动汽车上的应用寄予厚望。n罗姆第4代SiCMOSFET应用于“三合一”电桥近日，上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的“三合一”电桥完成试制。据悉，对比现有电桥产品，这款SiC“三合一”电桥在能耗表现方面非常抢眼，每百公里可节约0.645kW·h电能。以上汽大众在ID4X车型上的测试结果为例，对比传统的IGBT方案，整车续航里程提升了4.5%。由此可知，SiC电桥方案的优势非常明显。但作为一种新技术，SiC电控系统还存在一些开发难点，比如SiC模块的本体设计，以及高速开关带来的系统EMC应对难题。值得一提的是，臻驱科技此次完成试制的“三合一”电桥采用的是罗姆第4代SiCMOSFET裸芯片，充分发挥了碳化硅器件的性能优势。罗姆于2020年完成开发的第4代SiCMOSFET，是在不牺牲短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品。该产品用于车载主驱逆变器时，效率更高，与使用IGBT时相比，效率显著提升，因此非常有助于延长电动汽车的续航里程，并减少电池使用量，降低电动汽车的成本。