功率器件作为电路中电压、电流、频率、开关等物理状态改变的载体，从20世纪50年代开始广泛应用于电子电力设备中，以实现对电能的管理。其产品包括分立器件（二极管、三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等）、功率模组。随着应用终端功能多样化，电子架构复杂程度提升。相应地，工作电流电压提升，而整体功耗要求在稳步下降。此时，硅基器件物理极限无法满足应用要求，碳化硅器件作为功率器件材料端的技术迭代产品出现。

目前碳化硅功率器件主要分为肖特基二极管(SBD)、MOSFET以及模块：SiCSBD，是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制造的低功耗、超高速的分立器件，器件电压可达1200V以上（SiSBD最高耐压为200V左右），能够大幅减小反向恢复损耗。SiCMOSFET分为平面式MOSFET和沟槽式MOSFET两种类型，可用于满足高耐压和低导通电阻的应用需求。目前，大部分车规级SiCMOSFET以平面型为主。SiC功率模块是搭载了SiCMOSFET和SiCSBD的器件形式，可满足高压下器件匹配、系统效率及可靠性的要求。

光伏发电的应用中，以硅基器件为基础的传统逆变器造价基本大约在系统造价的10%以上，但它是系统能量损耗最重要的来源之一。采用碳化硅MOSFET或者碳化硅MOSFET+碳化硅SBD组合功率模块的光伏逆变器转换，效率可以由96%提高到99%以上，能量损耗减少50%以上，设备循环寿命提高50倍，因此可以减小系统体积，提高功率密度，延长设备使用寿命，降低生产成本。高效，高功率密度，高可靠，低成本等特点是光伏逆变器未来发展的趋势。在组串式与集中式光伏逆变器领域，碳化硅产品有望逐步取代硅基器件。

終於⋯新的紀錄片要來了。
紀錄的時間有點長、
約莫是從2021年中～2022的六月夢想盃；
與其說是備賽紀錄片、
實際更像我的生活&思想紀實精華。

兩年多沒有比賽、
也兩年多沒有紀錄片。
這次～
形於外：我有一點點不一樣、
歸於心：我已然轉念不同。

10/20明晚8:00，首播！
https://t.cn/A6oiOSr8

謝謝：
SBD SBD邱grr
Versa Gripps
Body Engineers
A7