#南北cp[超话]#
眼尖的姐妹发现ppp今天vlog角落里疑似出现了ggg同款毛衣,猜测他们是不是私下聚了。然后陆陆续续有些姐妹来私信我,我好奇就研究了一下。
通过整理细节和时间线,初步结论是:
❗️【vlog里大概率是他们在一起吃饭】❗️
论据如下:
1、P1出现ggg同款联名毛衣,疑似左手用餐;
2、ppp聊到“玩赛博朋克2077必喝这个”,很可能同桌的人也在玩这个游戏(P2);
3、不知道视频是何时拍的,但我们知道,2020年12月-2021年2月期间,他们小分队热衷于赛博朋克2077,2020.12.10,南北双人同时直播了这个游戏(P3);
4、沿着这个线索,进一步发现2020.12.4,南北同赴长沙录节目,ggg出发当天穿的就是这件毛衣(P4);
5、2020.12.5-12.6,两人一直同在一起录节目(是山间民宿剧本杀那期[许愿星]),处于同一时空交集(P5-6);
综上,我们可以得出结论:
vlog很有可能拍摄于2020.12.4-12.6期间,两人共同在长沙出差期间,聚餐吃饭聊起赛博朋克2077这个游戏,回北京后于2020.12.10约了双人直播。
那个毛衣大概率就是ggg。
今日份推理完成✔️
(P4-6图源见截图ID)
眼尖的姐妹发现ppp今天vlog角落里疑似出现了ggg同款毛衣,猜测他们是不是私下聚了。然后陆陆续续有些姐妹来私信我,我好奇就研究了一下。
通过整理细节和时间线,初步结论是:
❗️【vlog里大概率是他们在一起吃饭】❗️
论据如下:
1、P1出现ggg同款联名毛衣,疑似左手用餐;
2、ppp聊到“玩赛博朋克2077必喝这个”,很可能同桌的人也在玩这个游戏(P2);
3、不知道视频是何时拍的,但我们知道,2020年12月-2021年2月期间,他们小分队热衷于赛博朋克2077,2020.12.10,南北双人同时直播了这个游戏(P3);
4、沿着这个线索,进一步发现2020.12.4,南北同赴长沙录节目,ggg出发当天穿的就是这件毛衣(P4);
5、2020.12.5-12.6,两人一直同在一起录节目(是山间民宿剧本杀那期[许愿星]),处于同一时空交集(P5-6);
综上,我们可以得出结论:
vlog很有可能拍摄于2020.12.4-12.6期间,两人共同在长沙出差期间,聚餐吃饭聊起赛博朋克2077这个游戏,回北京后于2020.12.10约了双人直播。
那个毛衣大概率就是ggg。
今日份推理完成✔️
(P4-6图源见截图ID)
n沟道增强型mosfet
结构:以低参杂p为底,加两个高参n,分别引源极g和漏极d;栅极与其他部位绝缘(绝缘栅场效应管)
(一)工作原理:以Vgs控制漏极ib;(需先建立导电沟道)
1. 建立导电沟道:栅元电压产生电厂,聚集电子;Vgs>Vt时,浓度够大,形成n型区,导通漏极与源极;(Vt成为开启电压)
2. 建立漏极电流:在存在漏源电压(漏极与源极间的电压)时形成漏极电流ib;漏源电压会造成漏,源极电势不同,源极低,漏极高,导电沟道电子偏移形成n型;
(二)
1.转移特性曲线
1.1Vgs >Vt,形成电流。Vgs越大,导电越强
1.2Vgs控制ib,Vgs越大,ib越大
1.3漏极vds越大,曲线越靠近y轴;(p106)
2.输出特性曲线
1.1 vgs控制沟道,该值一定,近似可得电压不变,沟道电阻不变;
1.2夹断:
vds电势差导致沟道电子偏移,成n型,当vds>=vgs-vt;偏移过度,靠近漏极电子太少,导致沟道夹断;
1.3预夹断点前,沟道电阻视作不变,ib随vds增大增大(比较陡);
预夹断点后,漏极附近产生耗尽层;可视作vds增加量被耗尽层抵消,ib基本不变(略有增加)
1.4vds足够大时,击穿耗尽层,电流猛增
(三)工作区
1.截至区
导电沟未建立,ib=0;
2.可变电阻区
建立导电沟,未夹断;
id=Kn【2(vgs-vt)*vds-(vds二次方)】//Kn是与场效应管结构相关系数
3.饱和区:vgs》vt,vds>=vgs-vt
该区中:ib随vgs变化,vgs不变时,ib几乎恒流
id=Kn((vgs-vt)平方))(1+&vds)//&沟道长度调整系数
结构:以低参杂p为底,加两个高参n,分别引源极g和漏极d;栅极与其他部位绝缘(绝缘栅场效应管)
(一)工作原理:以Vgs控制漏极ib;(需先建立导电沟道)
1. 建立导电沟道:栅元电压产生电厂,聚集电子;Vgs>Vt时,浓度够大,形成n型区,导通漏极与源极;(Vt成为开启电压)
2. 建立漏极电流:在存在漏源电压(漏极与源极间的电压)时形成漏极电流ib;漏源电压会造成漏,源极电势不同,源极低,漏极高,导电沟道电子偏移形成n型;
(二)
1.转移特性曲线
1.1Vgs >Vt,形成电流。Vgs越大,导电越强
1.2Vgs控制ib,Vgs越大,ib越大
1.3漏极vds越大,曲线越靠近y轴;(p106)
2.输出特性曲线
1.1 vgs控制沟道,该值一定,近似可得电压不变,沟道电阻不变;
1.2夹断:
vds电势差导致沟道电子偏移,成n型,当vds>=vgs-vt;偏移过度,靠近漏极电子太少,导致沟道夹断;
1.3预夹断点前,沟道电阻视作不变,ib随vds增大增大(比较陡);
预夹断点后,漏极附近产生耗尽层;可视作vds增加量被耗尽层抵消,ib基本不变(略有增加)
1.4vds足够大时,击穿耗尽层,电流猛增
(三)工作区
1.截至区
导电沟未建立,ib=0;
2.可变电阻区
建立导电沟,未夹断;
id=Kn【2(vgs-vt)*vds-(vds二次方)】//Kn是与场效应管结构相关系数
3.饱和区:vgs》vt,vds>=vgs-vt
该区中:ib随vgs变化,vgs不变时,ib几乎恒流
id=Kn((vgs-vt)平方))(1+&vds)//&沟道长度调整系数
【主题】回不去的勇士:噶玛洛的祖源记忆、地域变迁与民族认同
【时间】2022年11月7日(周一)19:00-21:00
【主讲】谢光典(陕西师范大学中国西部边疆研究院助理研究员)
【主持】罗宏(四川大学中国藏学研究所副研究员)
【主办】四川大学中国藏学研究所
【观看方式】腾讯会议ID:889-708-693;会议密码:1107
【时间】2022年11月7日(周一)19:00-21:00
【主讲】谢光典(陕西师范大学中国西部边疆研究院助理研究员)
【主持】罗宏(四川大学中国藏学研究所副研究员)
【主办】四川大学中国藏学研究所
【观看方式】腾讯会议ID:889-708-693;会议密码:1107
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