11月17日，也就是这个周四，那天下午两点真我10系列就要发布了，可让人好等。现在看到确认的配置让人很期待，海外回归的数字旗舰真有望成为今年最强的5G卷王。

看官方确认的消息，真我10系列会有X轴线性马达，同时多功能增强版NFC、Hi-Res立体双扬声器都会上，还有亿级像素镜头的搭载，这妥妥的旗舰级配置，而且手机还设计得很轻薄，塞入5000mAh超大电池的同时手机轻至173g，这样看来续航跟手感不用担心了，看杨幂手上的真机，感觉也很好看。

现在剩下的就是价格跟屏幕了，据说真我10 Pro跟真我10 Pro+用的屏幕比三星S22 Ultra的屏幕要好，主要是下巴控制，只有2.3mm，2160Hz的高频PWM调光也是，妈妈再也不用担心我晚上玩手机瞎眼了。

LN8503系列 8V/1.5A 马达驱动器

产品概述
LN8503 是一款 DC 双向马达驱动电路，电路内部采用 H桥结构，适用于玩具类电机驱动、自动阀门电机驱动、电磁门锁驱动等。
LN8503 的两个输入端的信号控制电机前进、后退及制动。
LN8503 具有良好的抗干扰性，微小的待机电流，低内阻内置 MOS。同时，内置二极管能释放感性负载的反向冲击电流。
LN8503 用于电子锁应用中时，如逻辑输入信号 INA/INB的高电平电压高于 2.4V，则 VCC 端可以悬空。

产品特点
 电源 VCC 工作范围：2V~8V
 待机电流：小于 0.1uA
 最大持续输出电流：1.0A(VDD=6.5V)
 最大峰值输出电流：1.5A(VDD=6.5V)
 低导通内阻：0.35Ω （Iout=1A）  过热保护功能
 绿色环保无卤，满足 ROHS 标准

应用领域
 马达驱动
 电子锁

封装
 SOP8
 ESOP8
 SOT23-6

大面积的有机晶体管阵列与接触分离模式TENG整合在一个底栅顶接触结构中。有机晶体管阵列首先在硅片上制备，以p型C8-BTBT和PS的混合物作为半导体层，以Ag电极作为源-漏触点。然后，由Cu/PTFE/Cu组成的TENG被集成在硅片的底部。根据静电感应和接触起电，两个摩擦层之间的相对位移（D+或D-）将诱发一个时间可变的静电场，与有机晶体管耦合并调制半导体通道中的空穴传输。Cu和PTFE/Cu摩擦层之间的相对位移可以由一个线性马达精确控制，以产生一个合适的摩擦电势与晶体管耦合。大面积摩擦电子有机晶体管阵列的制造采用偏心旋涂法，从C8-BTBT和PS的混合溶液中制备出具有高度排列的结晶C8-BTBT有机薄膜。将PS混合到C8-BTBT中，可以增加晶间连通性，减少界面陷阱密度和能量无序性，从而显著提高C8-BTBT晶体管的空穴迁移率