#三星3nm或于2024年开始供应，多家客户曝光#

据韩国经济新闻报道，三星将以3nm先进制程为英伟达、高通、IBM、百度等客户制造芯片。经过约1至2年的开发，预计最早将从2024年开始产品供应。
消息称，三星正在与设计高性能计算(HPC)芯片的多家美国、中国无晶圆厂企业一起开发3nm工艺用半导体。IBM、英伟达、高通、百度等是代表性的无晶圆厂客户公司。
据悉，这些客户公司综合考虑了3nm技术能力、从过去开始的战略合作关系、确保多个供应链的必要性等因素，将三星电子选定为委托生产企业。业界预测，最近1至2年间在4~5纳米竞争中落后于台积电的三星将通过3纳米工艺创造扭转局面的契机。
三星曾表示，在3nm工艺中批量生产的半导体与目前的主力工程5nm工程芯片相比，电力效率和性能将分别提高45%和23%，面积也将减少16%。此前高通在2022年高通骁龙峰会上曾表示，未来3、4纳米AP芯片将由台积电代工，不过进入GAA制程后，有可能采取同步下单三星、台积电等多家代工厂的多供应商策略。
#三星##英伟达##高通##百度##晶圆厂#

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改进磷酸铁锂离子电池性能的方法：[招手][招手]
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磷酸铁锂(LiFePO)虽然比其他锂离子电池正极材料更安全、更环保、更便宜，但它仍然有致命的弱点:第一，电导率低，大电流放电性能差;二是振动密度低，电池容量和能量密度低。那么如何提高磷酸铁锂离子电池的性能呢?

磷酸铁锂离子电池

1. 碳具有极好的导电性。在磷酸铁锂的合成中，掺杂或包覆导电碳是提高磷酸铁锂电导率的简单而有效的方法。加入少量的碳，一方面通过碳和LifePO;直接接触增强了粒子间的电子传导能力，提高了磷酸铁锂的电导率。另一方面，可以在一定程度上抑制LiFePO和颗粒的生长，减小颗粒尺寸，缩短充放电过程中Lit的扩散路径，间接改善磷酸铁锂的倍增器特性。用于掺杂或包覆碳的碳源可分为无机碳源和有机碳源。无机碳源包括乙炔黑、石墨、SP等各种形式的碳材料，有机碳源包括葡萄糖、蔗糖、柠檬酸、聚丙烯、聚乙烯醇等有机化合物和聚合物。碳的密度低，不仅可以提高磷酸铁锂的电导率，还可以降低其振动密度。因此，在保证电导率的同时，碳的添加越少越好。

2. 在磷酸铁锂中掺杂金属离子是提高磷酸铁锂颗粒内部电导率的有效手段之一。当掺杂的金属离子进入晶体时，会造成材料的晶格缺陷，从而从根本上提高材料的导电性。与碳掺杂或碳涂层相比，金属离子掺杂不会降低材料的振动密度，有利于提高磷酸铁锂离子电池的能量密度。

将颗粒尺寸减小到纳米级，提高可逆容量和循环性能，引入稀土离子是提高磷酸铁锂电化学性能的有效方法。

3. 减小磷酸铁锂的粒径有利于缩短锂离子在充放电过程中的扩散路径，提高锂离子的扩散速率，改善大电流充放电性能。采用液相化学合成(如共沉淀法、溶胶-凝胶法等)有利于减小粒径。但假如颗粒尺寸过小，则会降低材料的振动密度，增大材料的比表面积，不利于电极的加工和电池能量密度的提高。合理控制粒度是优化材料综合性能的关键技术之一。

改性方法包括在磷酸铁锂粒子表面掺杂导电碳或包覆碳、金属包覆、金属离子掺杂和粒径控制。目前，碳掺杂(或涂层)和金属离子掺杂仍是研究的热点。涂层可使电导率提高到10-s/cm左右，掺杂可使电导率提高8倍，提高充放电性能，倍增器性能高，在一定程度上抑制了容量衰减。磷酸铁锂的工业化也证明了碳掺杂(或包覆)和金属离子掺杂可以解决磷酸铁锂电导率低的问题。

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