#Vishay 新品推荐# Vishay 推出 PowerPAK® 1212‑8S 封装 200VN 沟道 MOSFET:Vishay 推出新型 200V n 沟道 MOSFET,器件采用热增强型 3.3mm x 3.3mm PowerPAK®1212-8S 封装,10V 条件下典型导通电阻达到业内最低的 61mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即 MOSFET 开关应用重要优值系数(FOM)为854mΩ*nC。节省空间的 Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度,占位面积比采用 6mm x 5mm 封装相似导通电阻的器件减小 65%。产品详情戳:https://t.cn/A6bMJX1S
Minulla ei ole aikaa kiinnittää huomiota minuun, tunnen vain tunteesi.Ota sieluni mukaasi, mitä hyötyä siitä on, että pidät sen itselläsi?Sinä olet minun supertähteni.Sinä olet minun supertähteni.Kädet eivät ole käsiä, ne ovat lempeää universumia. Pieni planeettani pyörii käsissäsi.Ole kiltti ja näe, että minulla on unelma, olen hulluna sinuun.Sinä olet minun supertähteni.
【到2035年,最具创新性的城市会有哪些? | 有奖问卷】施普林格·自然与上海市科学学研究所(SISS)正在合作进行一项全球性调查:科研人员预期,到2035年时,哪些城市将成为最具创新性的城市?为什么?
上海市科学学研究所“理想之城”项目于2018年启动,关注全球主要城市的创新前景,以及城市发展如何与技术创新互动。
我们诚邀您参加本项调查,分享您对“2035年,哪些城市将最具创新性”的看法。
参加问卷调查将占用您10分钟左右的时间。完成问卷,您将有机会参加抽奖,赢取一张价值250美元的礼券。您提交的回答是匿名和保密的,我们将仅对结果进行综合性分析。
点击填写问卷:https://t.cn/A6y9MUkH
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