根据财报显示,三季度小米在包括汽车在内的创新业务上投资8.29亿元。小米总裁王翔称,小米在造车上投资的效率和规模对经营不会产生重大影响。

从小米的财报来看,主业的疲软加上造车业务的不断烧钱,是市场最大的一个担忧。当下,这是一个无解的答案,小米只剩下了继续往前走的一条路。

比亚迪董事长王传福此前做过判断,新能源车市场很快就会从蓝海变成红海,而且竞争会异常惨烈。从当下的现状来看,似乎新能源汽车企业已经提早进入到了竞争阶段。目前,衡量各家车企的指标已经从其他概念聚焦到了交付数据上,且今年以来造车新势力之间的交付量出现了明显的变化,此前一直领头的“蔚小理”优势明显丧失。

对于小米而言,这并不是一件好事,如果到时候小米的汽车不能在恰当的时间量产,那么到时候市场不一定会有小米的一席之地。

雷军曾说过:“汽车行业将从机械演变为消费电子,市场份额高度集中于顶级玩家手中;当电动汽车行业成熟时,世界前五大品牌将占据80%以上的市场份额;我们成功的唯一途径是成为前五名之一,并且每年出货量超过1000万辆。”

很显然,1000万辆在目前来看几乎是一个不可能完成的数字,不管是特斯拉还是比亚迪,年交付1000万辆都需要十年甚至更久的时间,作为一家还没有量产的车企,市场对于小米汽车未来的信心似乎并不是很足。

美对华设“芯片藩篱”受阻时,中国芯企IPO激增,正加速资金储备

近日,美国《华尔街日报》就中国半导体产业的情况发表了一篇文章,称在美国对中国半导体进行围堵之际,中国芯片企业正处在首次公开募股(IPO)的热潮之中。

而且,芯片制造设备或者生产芯片的公司,在截至本月15日的一年时间里,通过国内IPO筹集的资金已经高达120亿美元,相较于去年增长了2倍。除此之外,在半导体领域,还有部分公司提交了在中国进行IPO的相关申请,这些规模总计有170亿美元。

在当下美国加紧对中国芯片行业进行限制的背景下,中国芯片企业也越来越意识到建立更多资金储备的必要性,中国正加速提高在半导体等先进技术领域的自主研发能力,以进一步摆脱美国的影响。

在国内优先发展的政策下,越来越多的股市投资者愈发青睐芯片行业,整个芯片领域供应链上涌现出大批大批的国内初创企业,而且我国制造商也更加倾向于在本国寻找替代产品,这让资本市场对中国半导体的发展前景充满了更多的信心。

据数据显示,今年以来,十分之一新上市芯片公司的股票自上市以来已经上涨了一倍,而近五分之三股票比上市价至少高了20%。毕马威中国的合伙人Allen Lu表示,出现这一情况主要得益于物联网、工业控制以及消费电子产品的快速发展,使得半导体需求日益增加。

不仅如此,法国意法半导体总裁让-马克·奇瑞最近率领公司管理团队访问中国之际,对中国释放了非常积极的信号。在此期间,该团队拜访了宁德时代、长安汽车等多家公司,并表示非常看好中国电动汽车的发展以及该领域对半导体的需求,对此,意法半导体公司将继续坚定的投入中国市场。

在美国多次施压欧盟等盟友,要求其限制对华半导体限制之际,意法半导体的对华态度进一步彰显出中国市场的强大吸引力,以及欧洲半导体公司坚定扩大与中国半导体合作的决心。

在中国半导体正朝着良好的态势稳步前进时,美国对华架设的“芯片藩篱”却频频受阻,已经有多个国家和企业表示不满。尽管美国对其盟友声称对华限制芯片出口除了符合美国自身的国家利益外,同样符合盟友国家的利益,但是,事实表明,美国的这一理由显然站不住脚。

根据美国上市企业的财报显示,由于美国滥施出口管制,大量美国半导体企业近段时间的营收情况都出现了明显下降,英特尔今年第三季度的营收就同比下降了20%。荷兰光刻机巨头阿斯麦控股公司的负责人彼得·温宁上周接受采访时直言道,这些对华限制措施正在让美国的竞争对手获益,该公司已经失去了足够多的东西。

目前,中国是全球半导体设备的最大市场,据悉,日本半导体巨头东京电子的最大客户就是中国,截止到今年三月份,中国就占据了该公司半导体设备年销售额的26%。不仅如此,日本芯片测试设备制造企业爱德万上一财年仅中国大陆就占据了总销售额的27%,订单金额高达1890亿日元。如果日本也紧随美国的对华芯片出口限制计划,毋庸置疑的是,日本这些芯片企业必将遭到重创。

无论美国对盟友怎样施压,美国的对华经济胁迫都终将不会成功,中国正在加快芯片自主研发,本土的芯片制造企业也正力争实现新的突破,追求更先进的工艺量产。

【灿芯半导体】

灿芯半导体是一站式芯片定制服务商,在这一领域,他是大陆第二全球第五。拥有BCD、EFLASH、HV、SOI、LCOS、EEPROM 等特色工艺节点的完整芯片定制能力。

灿芯开发形成了一系列高性能半导体 IP,从大型SoC 定制设计与半导体 IP 开发入手,董事长赵海军也是中芯国际CEO。与中芯国际深度绑定。

timeline

2008年,灿芯半导体实现了自研 90nm 数模混合芯片的成功验证;
2010 年,率先对高性能接口 IP 进行自主研发;
2011 年,完成40nm 工艺ARM 架构的应用处理器主芯片加基带芯片(AP+BP)的芯片定制服务,并量产;
2013 年,公司推出 USB 2.0 接口 IP,并通过国际USB-IF机构认证;
2014 年,公司在 28nm 工艺节点实现了智能移动终端主芯片的成功定制,被应用于消费电子领域;
2015年,完成28nm高性能DDR4 IP的硅验证;
2017 年,推出了 28nm 工艺16G Serdes IP;
2017 年,公司设计并应用于电力领域中的智能物联网芯片完成流片验证;
2019 年至今,公司完成USB、DDR、MIPI、ADC 等高性能 IP 研发并成功流片。


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