深圳市夸克微科技有限公司 郑S 130.76919501
FP6397S5是一种高效、高频同步DC-DC降压变频器。100%占空比功能提供了低退出操作,延长了便携式系统的电池寿命。
内部同步开关提高了效率,并消除了对外部肖特基二极管的需要。在停机模式下,输入电源电流小于1µA。
FP6397S5故障保护包括过流保护、短路保护、UVLO和热关机等功能。内部软启动功能防止开启时涌电流。
FP6397S5提供了SOT-23-5和SOT-23-6软件包。
特征
2.5 V~6V输入电压范围
0.6 V参考电压
2A输出电流
低RDS(开)内部开关(上/下):140/90mΩ
1 MHz开关频率
内部软启动限制涌电流
内部补偿功能
100%退出操作
电源良好指标输出(仅SOT-23-6)
输入过电压保护
过电流保护
Hiccup短路保护
过热保护与自动恢复
RoHS兼容和无卤素
应用
机顶盒
液晶电视和平板电脑
AP路由器和WiFi适配器
3.5 G&4G适配器
USB3.0和SSD存储

昂科发布软件更新支持Whxy武汉芯源的CW32F003x4系列32位微控制器CW32F003F4P7TR的烧录

芯片烧录行业领导者-昂科技术近日发布最新的烧录软件更新及新增支持的芯片型号列表,其中Whxy的CW32F003x4系列32位微控制器CW32F003F4P7TR的烧录已经被昂科的通用烧录平台AP8000所支持。

CW32F003x4是基于eFlash的单芯片微控制器,集成了主频高达48MHz的ARM®Cortex®-M0+内核、高速嵌入式存储器(多至20K字节FLASH和多至3K字节SRAM)以及一系列全面的增强型外设和I/O口。

所有型号都提供全套的通信接口(两路UART、一路SPI和一路I2C)、12位高速ADC、四组通用和基本定时器以及一组高级控制PWM定时器。

CW32F003x4可以在-40°C到105°C的温度范围内工作,供电电压宽达1.65V~5.5V,支持Sleep和DeepSleep两种低功耗工作模式。

产品特征

• 内核:ARM®Cortex®-M0+

– 最高主频48MHz

• 工作温度:-40℃至105℃;工作电压:1.65V至5.5V

• 存储容量

– 20K字节FLASH,数据保持25年@85℃

– 3K字节RAM,支持奇偶校验

– 22字节OTP存储器

• CRC硬件计算单元

• 复位和电源管理

– 低功耗模式(Sleep,DeepSleep)

– 上电和掉电复位(POR/BOR)

– 可编程低电压检测器(LVD)

• 时钟管理

– 内置48MHz RC振荡器

– 内置32KHz RC振荡器

– 内置10KHz RC振荡器

– 内置150KHz RC振荡器

– 外部引脚输入时钟

– 允许独立关断各外设时钟

• 支持17路I/O接口

– 所有I/O口支持中断功能

– 所有I/O支持中断输入滤波功能

• 模数转换器

– 12位精度,±1LSB

– 最高1M SPS转换速度

– 内置电压参考

– 模拟看门狗功能

– 内置温度传感器

• 双路电压比较器

• 定时器

– 16位高级控制定时器,支持6路捕获/比较通道和3对互补PWM输出,死区时间和灵活的同步功能

– 一组16位通用定时器

– 三组16位基本定时器

– 窗口看门狗定时器

– 独立看门狗定时器

• 通信接口

– 两路低功耗UART,支持小数波特率

– 一路SPI接口12 Mbit/s

– 一路I2C接口1 Mbit/s

– I调制器

• 串行调试接口(SWD)

• 80位唯一ID

昂科技术自主研发的AP8000万用型烧录器包含主机,底板,适配座三大部分。
主机支持USB和NET连接,允许将多台编程器进行组网,达到同时控制多台编程器同时烧录的目的。内置芯片安全保障电路保证即使芯片放反或其他原因造成的短路可以被立即检测到并进行断电处理,以保障芯片和编程器安全。内嵌高速FPGA,极大地加速数据传输和处理。主机背部有SD卡槽,将PC软件制作得到的工程文件放到SD卡的根目录下并插入到该卡槽内,通过编程器上的按键可进行工程文件的选择,加载,执行烧录等命令,以达到脱离PC便可操作的目的,极大的降低了PC硬件配置成本,方便迅速地搭配工作环境。

AP8000通过底板加适配板的方式,让主机扩展性更强,目前已经支持了所有主流半导体厂家生产的器件,包括TI, ST, MicroChip, Atmel, Hynix, Macronix, Micron, Samsung, Toshiba等。支持的器件类型有NAND, NOR, MCU, CPLD, FPGA, EMMC等,支持包括Intel Hex, Motorola S, Binary, POF等文件格式。

关于武汉芯源半导体有限公司:武汉芯源半导体有限公司(Whxy),于2018年8月28日成立,专业负责自研芯片的研发、设计、推广、销售及技术服务相关业务。武汉芯源自研芯片除目前已推出的小容量存储芯片EEPROM和功率器件SJ-MOSFET两类产品外,推出的首款基于Cortex-M0+内核(32位)微控制器产品CW32F030于2021年10月14日正式发布,是自主研发的CW32F系列的首款M0+MCU产品,目前已顺利通过内测、第三方专业机构检测及部分客户测试。2022年还规划了针对工业控制领域的M4系列产品,同时也在积极规划首款车规级的MCU产品。

关于昂科技术:昂科技术(ACROVIEW)是全球领先的半导体芯片烧录解决方案提供商,公司坚持以科技改变世界、用智能驱动未来,持续不断的为客户创造价值。昂科的AP8000通用烧录器平台及最新的IPS5000烧录自动化解决方案,为半导体和电子制造领域客户提供一站式解决方案,公司已服务包括华为、比亚迪、富士康等全球领先客户。
文章来源于:昂科技术ACROVIEW https://t.cn/A6SRmr7s

薄膜设备

薄膜沉积技术用于制造微电子器件上的薄膜,主要是通过物理或化学方法,将适当化学反应源激活,并将由此形成的离子原子等吸附聚集在衬底表面,从而在衬底之上形成一层薄薄的膜,比如二氧化硅薄膜,多晶硅薄膜,金属薄膜等。这些薄膜辅助构成了制作集成电路的功能材料层。

薄膜沉积设备目前是半导体前道设备中市场空间最大的细分赛道,而且随着芯片的结构越来越复杂,3D FLASH 堆叠层数的增加,价值量占比也正在同步提升。

薄膜沉积设备大致可以分为 CVD 化学气相沉积设备,PVD 物理气相沉积设备和外延设备三大类。CVD 占据了接近一半的市场份额,CVD 中又可以细分为 APCVD, LPCVD, PECVD,ALD,SACVD,MOCVD 等。常压(AP)CVD 和低压(LP)CVD 的制程对 应在微米级别。等离子体 CVD(PECVD)和原子层沉积 ALD 是应用比较广泛的沉积设 备,多用于 90nm 以下各种逻辑芯片,存储芯片的生产。

从工艺的角度来看,NAND FLASH 从 2D 转变为 3D 后,薄膜设备的比重随之增加。 尤其是适用于高深宽比的 ALD 设备,所需用量增幅更大。东京电子数据表明,薄膜设备占比从 2D FLASH 的 18%提升到 3D FLASH 的 26%。同样,在逻辑芯片的制造中, CVD 用量从 180nm 8 寸线的 9.9 台提升到 90nm 12 寸线的 42 台,PVD 的用量从 180nm 8 寸线的 4.8 台提升到 90nm 12 寸线的 24 台。薄膜设备的用量占比预计也将进一步提升。


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