在实验上学的那一年真的值得用一生来珍惜，因为老三的家在杨家近实验，他妈妈常常让他给我带吃的，然后老三所在的班又跟我另一小伙伴在一个班并且认识了，当时我的两个小伙伴和老三和我四人一起在实验相互照应，严格意义上是他们照顾我比较多，每天路过我们宿舍楼下会给我带一水果或小零食或说上几句话，因为他们，我才不想家没时间想念和羡慕已经去上大学的小伙伴也过得很快乐时间过得快也觉得很有希望，也是我读那么多年书以来最努力最认真读书的一次，还认识很多好好朋友，现在这些朋友都还在身边还在联系，如果没去实验不知道现在会是怎样的，感谢我2012.7.15号突然早起说要去实验报名，身份证啥的都没带，分数也不够要很多钱，但是老三爸爸即我的一伯伯当时没管老三全给去托关系了，可能他儿子的分数足够高随便报名，我的麻烦比较大，然后这个伯伯把全部搞定，甚至遇到成绩比较好的那个小伙伴都很惊讶我是怎么这么轻松报到名，他都还在排队还没报到名。尽最大努力给我安排好班和座位，后来正式编排座位上课后我一直坐第一排，实在我不想坐第一排了，自己要求说坐后面一点，班主任会错意把我放到倒数第二排，这老师也是蛮有意思，我还记得班主任姓温对学生很好对每个人都抱有希望，所以我爸爸一直理解我讨厌遂溪和不喜欢遂溪的班主任和很多老师的原因，遂溪的班主任把我转学书搞不了给我爸爸带来很大麻烦，并且他区别对待带有色眼镜对待学生，对有权有势背景的学生和觉得班上前15名学生才有希望，记得当那个班上有80人，我是班上40 50多名，然后当时这个班班主任对我们这个阶层的学生说我们大概率是看不上什么好的大学没啥希望的，人班上那些排名靠前的人来完会后是笑容满面骄傲地进课室，而我们是心如死灰地回到位置看书看不进去，觉得人生没希望了，可能看到这的一些同学会骂我，毕竟那个班应该95%都喜欢他，只有我不喜欢他，这一段我没跟遂溪那个班任何人提过，谁能想到我现在就职于广东教育最好的地儿广州，广州教育最好的区越秀的一所市直属，即使我每天都想辞职，也会有一天辞职的。实验的班主任也不是本地人，他们班学生都称他老温，于是我跟我爸爸说坐后面我会不认真上课，于是下次的排座位才排到我比较满意的第三排，现在想想我真的是很作，也是差生要求多，昨天他们见到我都说我变好了很多[允悲]简直是720度的改变，都惊呆了
昨天见到参与我在实验的经历的人们，就想起这段时光温馨美好，记录一下
广州的花市是懂得制造过年氛围的

【科学家攻克二维半导体欧姆接触难题】中国科学报：1月11日，南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。

硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律的预测，朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效的方向发展。然而，由于量子效应和界面效应的限制，硅基器件的微缩化已经接近极限。最新的国际器件与系统路线图预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。

金属—半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂，通过接触与沟道界面的化学键实现欧姆接触，其接触电阻约为100Ω·μm。由于原子级厚度，二维半导体与高能离子注入工艺不兼容，需要发展全新的欧姆接触技术。与硅相比，二维半导体存在天然的范德华间隙，金属与半导体界面的波函数杂化耦合较弱，因此实现超低接触电阻具有很大的挑战，这也是长期以来限制二维半导体高性能晶体管器件的关键瓶颈之一。

面对上述挑战，合作团队提出了轨道杂化增强的新策略，在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42Ω·μm，首次低于硅基器件并接近理论量子极限。团队首先通过第一性原理计算，在半金属Sb中发现了一个特殊的(0112)面，具有较强的z方向原子轨道分布，即使存在范德华间隙仍然与MoS2具有较强的原子轨道重叠，导致金属-半导体能带杂化，大幅提升电荷转移和载流子注入效率。进一步计算发现，该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普适性。在实验上，团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄膜的制备，通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜验证了Sb薄膜的取向，以及与MoS2之间的理想界面。

基于该工艺，团队制备了MoS2晶体管器件，发现Sb(0112)面与MoS2的平均接触电阻比Sb(0001)面低3.47倍，平均电流密度提升38%，充分证明了Sb(0112)接触对器件性能的显著提升作用。大规模晶体管阵列的统计结果表明Sb (0112)接触的各类性能参数呈现优异的均一特性，有望应用于二维半导体的集成规模化制造。由于接触电阻的降低，20nm沟道长度的MoS2晶体管在1V源漏电压下呈现电流饱和特性，开态电流高达1.23mA/μm，比之前的记录提高近45%，超过了相同节点的硅基CMOS器件，并满足IRDS对1nm节点逻辑器件的性能需求。Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。

据悉，该工作由南京大学、东南大学、南京工业大学、湖南大学和美国斯坦福大学共同完成。南京大学教授王欣然、施毅和东南大学教授王金兰为论文共同通讯作者。

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