#时代少年团[超话]# #时代少年团同款系列#
2023.1.13
@时代少年团 KS更新
M‖外套‖XUZHI 闪光纱饰边针织外套@XU_ZHI_
M‖项链‖UNPROFILE FOLD系列几何项链 @UNPROFILE
@时代少年团队长-马嘉祺
D‖毛衣‖AMI 羊毛套头毛衣@amiparis
D‖项链‖UNPROFILE TWIST系列项链@UNPROFILE
@时代少年团-丁程鑫
S‖外套‖MARNI 单排扣条纹针织衫 @MARNI
@时代少年团-宋亚轩
L‖外套‖CNCCoSTUMENATIONAL@CNCCoSTUMENATIONAL
@时代少年团-刘耀文
Z‖毛衣‖AHA 字母毛衫@AHAofficial
Z‖项链‖TWENTYONEAUGUST 黑珠项链@TWENTYONEAUGUST
@时代少年团-张真源
Y‖项链‖TWENTYONEAUGUST 彩色雏菊项链@TWENTYONEAUGUST
@时代少年团-严浩翔
H‖外套‖CNCCoSTUMENATIONAL@CNCCoSTUMENATIONAL
@时代少年团-贺峻霖
2023.1.13
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【科学家攻克二维半导体欧姆接触难题】中国科学报：1月11日，南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。
硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律的预测，朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效的方向发展。然而，由于量子效应和界面效应的限制，硅基器件的微缩化已经接近极限。最新的国际器件与系统路线图预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
金属—半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂，通过接触与沟道界面的化学键实现欧姆接触，其接触电阻约为100Ω·μm。由于原子级厚度，二维半导体与高能离子注入工艺不兼容，需要发展全新的欧姆接触技术。与硅相比，二维半导体存在天然的范德华间隙，金属与半导体界面的波函数杂化耦合较弱，因此实现超低接触电阻具有很大的挑战，这也是长期以来限制二维半导体高性能晶体管器件的关键瓶颈之一。
面对上述挑战，合作团队提出了轨道杂化增强的新策略，在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42Ω·μm，首次低于硅基器件并接近理论量子极限。团队首先通过第一性原理计算，在半金属Sb中发现了一个特殊的(0112)面，具有较强的z方向原子轨道分布，即使存在范德华间隙仍然与MoS2具有较强的原子轨道重叠，导致金属-半导体能带杂化，大幅提升电荷转移和载流子注入效率。进一步计算发现，该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普适性。在实验上，团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄膜的制备，通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜验证了Sb薄膜的取向，以及与MoS2之间的理想界面。
基于该工艺，团队制备了MoS2晶体管器件，发现Sb(0112)面与MoS2的平均接触电阻比Sb(0001)面低3.47倍，平均电流密度提升38%，充分证明了Sb(0112)接触对器件性能的显著提升作用。大规模晶体管阵列的统计结果表明Sb (0112)接触的各类性能参数呈现优异的均一特性，有望应用于二维半导体的集成规模化制造。由于接触电阻的降低，20nm沟道长度的MoS2晶体管在1V源漏电压下呈现电流饱和特性，开态电流高达1.23mA/μm，比之前的记录提高近45%，超过了相同节点的硅基CMOS器件，并满足IRDS对1nm节点逻辑器件的性能需求。Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。
据悉，该工作由南京大学、东南大学、南京工业大学、湖南大学和美国斯坦福大学共同完成。南京大学教授王欣然、施毅和东南大学教授王金兰为论文共同通讯作者。
硅基集成电路在过去60多年一直沿着摩尔定律的预测，朝着更小晶体管尺寸、更高集成度和更高能效的方向发展。然而，由于量子效应和界面效应的限制，硅基器件的微缩化已经接近极限。最新的国际器件与系统路线图预测，在2nm技术节点以下，以MoS2为代表的二维半导体将取代硅成为延续摩尔定律的新沟道材料。
金属—半导体欧姆接触是实现高性能晶体管的关键，特别是在先进工艺节点下。传统硅基器件利用离子注入对接触区域进行高浓度掺杂，通过接触与沟道界面的化学键实现欧姆接触，其接触电阻约为100Ω·μm。由于原子级厚度，二维半导体与高能离子注入工艺不兼容，需要发展全新的欧姆接触技术。与硅相比，二维半导体存在天然的范德华间隙，金属与半导体界面的波函数杂化耦合较弱，因此实现超低接触电阻具有很大的挑战，这也是长期以来限制二维半导体高性能晶体管器件的关键瓶颈之一。
面对上述挑战，合作团队提出了轨道杂化增强的新策略，在单层MoS2晶体管中实现了目前最低的接触电阻42Ω·μm，首次低于硅基器件并接近理论量子极限。团队首先通过第一性原理计算，在半金属Sb中发现了一个特殊的(0112)面，具有较强的z方向原子轨道分布，即使存在范德华间隙仍然与MoS2具有较强的原子轨道重叠，导致金属-半导体能带杂化，大幅提升电荷转移和载流子注入效率。进一步计算发现，该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普适性。在实验上，团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄膜的制备，通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜验证了Sb薄膜的取向，以及与MoS2之间的理想界面。
基于该工艺，团队制备了MoS2晶体管器件，发现Sb(0112)面与MoS2的平均接触电阻比Sb(0001)面低3.47倍，平均电流密度提升38%，充分证明了Sb(0112)接触对器件性能的显著提升作用。大规模晶体管阵列的统计结果表明Sb (0112)接触的各类性能参数呈现优异的均一特性，有望应用于二维半导体的集成规模化制造。由于接触电阻的降低，20nm沟道长度的MoS2晶体管在1V源漏电压下呈现电流饱和特性，开态电流高达1.23mA/μm，比之前的记录提高近45%，超过了相同节点的硅基CMOS器件，并满足IRDS对1nm节点逻辑器件的性能需求。Sb(0112)接触展现出来的优异电学性能、稳定性和后端兼容性证明该技术有望成为二维电子器件的核心技术。
据悉，该工作由南京大学、东南大学、南京工业大学、湖南大学和美国斯坦福大学共同完成。南京大学教授王欣然、施毅和东南大学教授王金兰为论文共同通讯作者。
《金刚萨埵百字明》
一切众生菩提心的本体
嗡ōng 班bān札zhá 萨sà埵duǒ 萨sà玛mǎ呀yā
玛mǎ奴nú 巴bā拉lā呀yā
班bān杂zá 萨sà埵duǒ 喋dié诺nuò巴bā
地dì叉chā 则zé桌zhuō 美měi巴bā哇wā
速sù埵duǒ 卡kǎ唷yōu 美měi巴bā哇wā
速sù波bō 卡kǎ唷yōu 美měi巴bā哇wā
阿ā奴nú 拉lā多duō 美měi巴bā哇wā
萨sàr哇wā 悉xī地dì 玛ma美měi 札zhá呀yā擦cā
萨sà哇wā 嘎gā玛mǎ 速sù杂zá 美měi
积jī当dāng 鞋xie央yang 咕gū如rú吽hōng
哈hā哈hā 哈hā哈hā 霍huò 巴bā嘎gā问wèn
萨sà哇wā 达dá他tā 嘎gā达dá
班bān杂zá 玛mǎ美měi 母mu杂zá
班bān札zhá 巴bā哇wā 玛mǎ哈hā
萨sà玛mǎ 呀yā 萨sà 埵duǒ 阿ā
南无本师释迦牟尼佛
南无一切如来菩提心金刚萨埵等,尽虚空遍法界同一体性金刚界生身一切诸佛
一切众生菩提心的本体
嗡ōng 班bān札zhá 萨sà埵duǒ 萨sà玛mǎ呀yā
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南无本师释迦牟尼佛
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