英国科学家进行了两项试验,第一个试验是找了32位18-32岁女性,每周锻炼3次,连续4周;第二个试验再找来同一年龄组的36名女性,按照这种锻炼方式锻炼8周。结果发现,两组女性都没有减轻体重,不管参加试验之前是瘦人还是胖子。
瘦人经过锻炼,肌肉密度有所增加。胖人锻炼后食欲激素水平变化,使得她们更容易饿,这可能解释了为什么仅仅靠锻炼不能减肥。
锻炼本身对健康是有好处的,就算不能减肥,也会改善整体健康。就减肥而言,锻炼只是辅助手段,关键在于少吃。
瘦人经过锻炼,肌肉密度有所增加。胖人锻炼后食欲激素水平变化,使得她们更容易饿,这可能解释了为什么仅仅靠锻炼不能减肥。
锻炼本身对健康是有好处的,就算不能减肥,也会改善整体健康。就减肥而言,锻炼只是辅助手段,关键在于少吃。
Bejun Mehta的音色真的是让我惊了一下,太特别了!和之前现场听过的刘珅、肖玛以及其他学生(不过都是中国人)的感觉真的不一样。当然我对男声领域没有任何认识。直观感受到Bejun呼吸的支持和控制非常平稳和平衡,共鸣+ 气流声- 。整个下来衔接得很自然,非常接近MezzoSoprano️嗯,记忆中的其他演唱者给我的印象好像都比较做作(非贬义)并且吃力。声音衔接档位调整和各种瑕疵很容易就能听出来,或许技术上还是有所欠缺。
想不到吧Bejun Mehta以前是个男中音变声期后他唱了几年男中音,平平无奇;在这之后才开始唱假声男高音,换了声部之后大获成功。
假声男高音Countertenor,对大众来说非常陌生的声部,用传统价值观来看待好像有点不男不女?哈哈,见到好多人听后的第一反应都是: 确实,先入为主的观念还是会让没有了解过的听众产生某种排斥感。在很久很久的以前的欧洲封建社会,女性是不允许上台的,因此其实在女声声部出现之前就已经有假声男高音的存在了,但都是由阉人歌手来演唱。当然现在都是采用科学的方法训练的。真是高级而宝贵的艺术品呢~ https://t.cn/RU14b3G
想不到吧Bejun Mehta以前是个男中音变声期后他唱了几年男中音,平平无奇;在这之后才开始唱假声男高音,换了声部之后大获成功。
假声男高音Countertenor,对大众来说非常陌生的声部,用传统价值观来看待好像有点不男不女?哈哈,见到好多人听后的第一反应都是: 确实,先入为主的观念还是会让没有了解过的听众产生某种排斥感。在很久很久的以前的欧洲封建社会,女性是不允许上台的,因此其实在女声声部出现之前就已经有假声男高音的存在了,但都是由阉人歌手来演唱。当然现在都是采用科学的方法训练的。真是高级而宝贵的艺术品呢~ https://t.cn/RU14b3G
华裔青年科学家,毕业于北大,目前在MIT读phd的朱嘉迪在芯片材料领域取得重大突破
新兴的人工智能应用程序,如生成自然人类语言的聊天机器人,需要更密集、更强大的计算机芯片。但半导体芯片传统上是用块状材料制成的,这些材料是方形的 3D 结构,因此堆叠多层晶体管以实现更密集的集成非常困难。
然而,由超薄二维材料制成的半导体晶体管,每个只有三个原子的厚度,可以堆叠起来制造更强大的芯片。为此,麻省理工学院的研究人员现在展示了一种新技术,可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生长”二维过渡金属二硫化物 (TMD) 材料层,以实现更密集的集成。
将二维材料直接生长到硅 CMOS 晶圆上是一项重大挑战,因为该过程通常需要大约 600 摄氏度的温度,而硅晶体管和电路在加热到 400 摄氏度以上时可能会损坏。现在,麻省理工学院研究人员的跨学科团队已经开发出一种不会损坏芯片的低温生长工艺。该技术允许将二维半导体晶体管直接集成在标准硅电路之上。
过去,研究人员在其他地方种植二维材料,然后将它们转移到芯片或晶圆上。这通常会导致缺陷,从而影响最终设备和电路的性能。此外,在晶圆级顺利转移材料变得极其困难。相比之下,这种新工艺在整个 8 英寸晶圆上生长出光滑、高度均匀的层。
新技术还能够显着减少生长这些材料所需的时间。以前的方法需要超过一天的时间来生长单层二维材料,而新方法可以在不到一个小时的时间内在整个 8 英寸晶圆上生长出均匀的 TMD 材料层。
由于其速度快和均匀性高,这项新技术使研究人员能够成功地将二维材料层集成到比之前展示的更大的表面上。这使得他们的方法更适合用于商业应用,其中 8 英寸或更大的晶圆是关键。
未来,研究人员希望微调他们的技术,并用它来生长许多堆叠的二维晶体管层。此外,他们还想探索低温生长过程在柔性表面(如聚合物、纺织品甚至纸张)中的应用。这可以将半导体集成到衣服或笔记本等日常用品上。
“这项工作在单层二硫化钼材料的合成技术方面取得了重要进展,”Han Wang 说,他是 Robert G.南加州大学,他没有参与这项研究。“8 英寸规模的低热预算增长的新能力使这种材料与硅 CMOS 技术的后端集成成为可能,并为其未来的电子应用铺平了道路。”
新兴的人工智能应用程序,如生成自然人类语言的聊天机器人,需要更密集、更强大的计算机芯片。但半导体芯片传统上是用块状材料制成的,这些材料是方形的 3D 结构,因此堆叠多层晶体管以实现更密集的集成非常困难。
然而,由超薄二维材料制成的半导体晶体管,每个只有三个原子的厚度,可以堆叠起来制造更强大的芯片。为此,麻省理工学院的研究人员现在展示了一种新技术,可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生长”二维过渡金属二硫化物 (TMD) 材料层,以实现更密集的集成。
将二维材料直接生长到硅 CMOS 晶圆上是一项重大挑战,因为该过程通常需要大约 600 摄氏度的温度,而硅晶体管和电路在加热到 400 摄氏度以上时可能会损坏。现在,麻省理工学院研究人员的跨学科团队已经开发出一种不会损坏芯片的低温生长工艺。该技术允许将二维半导体晶体管直接集成在标准硅电路之上。
过去,研究人员在其他地方种植二维材料,然后将它们转移到芯片或晶圆上。这通常会导致缺陷,从而影响最终设备和电路的性能。此外,在晶圆级顺利转移材料变得极其困难。相比之下,这种新工艺在整个 8 英寸晶圆上生长出光滑、高度均匀的层。
新技术还能够显着减少生长这些材料所需的时间。以前的方法需要超过一天的时间来生长单层二维材料,而新方法可以在不到一个小时的时间内在整个 8 英寸晶圆上生长出均匀的 TMD 材料层。
由于其速度快和均匀性高,这项新技术使研究人员能够成功地将二维材料层集成到比之前展示的更大的表面上。这使得他们的方法更适合用于商业应用,其中 8 英寸或更大的晶圆是关键。
未来,研究人员希望微调他们的技术,并用它来生长许多堆叠的二维晶体管层。此外,他们还想探索低温生长过程在柔性表面(如聚合物、纺织品甚至纸张)中的应用。这可以将半导体集成到衣服或笔记本等日常用品上。
“这项工作在单层二硫化钼材料的合成技术方面取得了重要进展,”Han Wang 说,他是 Robert G.南加州大学,他没有参与这项研究。“8 英寸规模的低热预算增长的新能力使这种材料与硅 CMOS 技术的后端集成成为可能,并为其未来的电子应用铺平了道路。”
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