#羽生结弦[超话]#
之前说想把苍炎4里面决意表明那章有一些可能在当时记者会没有谈及的内容摘录出来,分享出来。
距离那个决意表明快一年了,现在看这章的内容,真的很有感慨。比如他想让从未现场看过的人,发出“羽生结弦的花滑真好啊”的感叹,为此而努力。
现实中他做到了,无论是一开始的序章,还是后面的东蛋冰演,亲自担任座长的Notte Stellata,这是他所努力的“赛季”。而且参加SOI和Faoi,在家乡在偏远地区的人都看到了他的花滑,在全世界的电影院,在他个人的油管以及开通会员,在Disney+能同步和再次回味他的冰演,言出必行是他一贯的宗旨。
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摘录一下本章一段他所说的内容..
“作为竞技者的就此结束,接下去我想成为职业花滑者,这个想法在很多地方都体现过。即,我想作为一名崭新的花滑者迈向下一个舞台。不过,像这样消极意义的“引退”这个词呢…
花滑真不可思议啊,以及现役只有业余(这种说法)我也感觉很不可思议啊。实际上,比如甲子园的选手通过努力在甲子园上获得优胜,然后转向职业运动员。说起这个时候,我觉得那也不是引退啊。
我感觉我自己和那种情况就很类似了。我反而觉得,从现在开始那就是一个新的起点了。我将如何示人,自己该如何地努力,这些都是很重要的。这个意义上讲,我现在觉得那就是一个崭新的起点。
其实,“离开竞技赛场”这样的想法,我是在平昌奥运后的每次比赛结束后都考虑过。我一边思考着“这样的努力方向是不是错了呢”,“我真的没有努力吗”等等很多问题,一边在竞技赛场努力着。结果,最终是到了北京奥运结束后才下定决心的。(北奥)回国后,由于脚踝疼痛滑不了冰,在治疗期间我考虑了很多,想着“没有必要一直停留在这个舞台了吧”,我想变得更好,变得更强,所以就做了这个决定。
实际上,在那之后我参加了Faoi,那是对外,作为业余花滑者滑冰的最后的舞台了。那时候我再一次觉得”我想站立在更高的舞台了,我想去往能把这份进一步努力的想法传达给大家的舞台了。”
(我一直很喜欢faoi2022那时候他登场的介绍词,现在看来那介绍词就是他心里想法的真实写照了”
之前说想把苍炎4里面决意表明那章有一些可能在当时记者会没有谈及的内容摘录出来,分享出来。
距离那个决意表明快一年了,现在看这章的内容,真的很有感慨。比如他想让从未现场看过的人,发出“羽生结弦的花滑真好啊”的感叹,为此而努力。
现实中他做到了,无论是一开始的序章,还是后面的东蛋冰演,亲自担任座长的Notte Stellata,这是他所努力的“赛季”。而且参加SOI和Faoi,在家乡在偏远地区的人都看到了他的花滑,在全世界的电影院,在他个人的油管以及开通会员,在Disney+能同步和再次回味他的冰演,言出必行是他一贯的宗旨。
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摘录一下本章一段他所说的内容..
“作为竞技者的就此结束,接下去我想成为职业花滑者,这个想法在很多地方都体现过。即,我想作为一名崭新的花滑者迈向下一个舞台。不过,像这样消极意义的“引退”这个词呢…
花滑真不可思议啊,以及现役只有业余(这种说法)我也感觉很不可思议啊。实际上,比如甲子园的选手通过努力在甲子园上获得优胜,然后转向职业运动员。说起这个时候,我觉得那也不是引退啊。
我感觉我自己和那种情况就很类似了。我反而觉得,从现在开始那就是一个新的起点了。我将如何示人,自己该如何地努力,这些都是很重要的。这个意义上讲,我现在觉得那就是一个崭新的起点。
其实,“离开竞技赛场”这样的想法,我是在平昌奥运后的每次比赛结束后都考虑过。我一边思考着“这样的努力方向是不是错了呢”,“我真的没有努力吗”等等很多问题,一边在竞技赛场努力着。结果,最终是到了北京奥运结束后才下定决心的。(北奥)回国后,由于脚踝疼痛滑不了冰,在治疗期间我考虑了很多,想着“没有必要一直停留在这个舞台了吧”,我想变得更好,变得更强,所以就做了这个决定。
实际上,在那之后我参加了Faoi,那是对外,作为业余花滑者滑冰的最后的舞台了。那时候我再一次觉得”我想站立在更高的舞台了,我想去往能把这份进一步努力的想法传达给大家的舞台了。”
(我一直很喜欢faoi2022那时候他登场的介绍词,现在看来那介绍词就是他心里想法的真实写照了”
去听了下Chris这把rga61aln和我想买的那把拾音器对比,应该是这两款没错吧[晕][晕][晕]觉得dimarzio的声音厚实,fishman就比较脆一点,我盲听下来可能更偏向dimarzio的声音,厚厚的很安心,然后又查了dmz这款是被动拾音器,fm是主动拾音器,为什么不使用更适合金属的主动拾音器呢?想来是因为soi玩交响死核需要明显的动态变化来配合乐队风格,所以Chris要用动态表现更好的被动拾音器,原来如此!
而我纯属是听惯了这类音乐所以喜欢dimarzio
而我纯属是听惯了这类音乐所以喜欢dimarzio
离子注入是一种将离子注入材料中的技术工艺。其原理是利用离子的能量以及离子的电荷作用,将离子注入到材料内部,从而改变材料的物理、化学性质。离子注入可以用于在半导体制造中制造各种有用的晶体缺陷、掺杂等。
离子注入的主要分类有以下几种:
1. 低能量离子注入:离子的能量通常在几百电子伏特到几千电子伏特之间,离子注入深度较浅,适合制造超浅pn结和表面功函数调制器件等。
2. 中能量离子注入:离子的能量通常在几十千电子伏特到几百千电子伏特之间,离子注入深度适中,适合制造敏捷电流控制器件等。
3. 高能量离子注入:离子的能量通常在几百千电子伏特到几百万电子伏特之间,离子注入深度较深,适合制造单晶硅太阳能电池等。
4. 分子离子注入:通过氢离子或其他分子离子对半导体材料进行注入,可以形成氢-半导体键合等,用于制备SOI硅片等。
5. 聚焦离子束注入:将离子束聚焦,形成高密度的注入区域,适合制备高压阀门、X射线探测器等高精度器件。
6. 非晶硅离子注入:通过非晶硅层注入离子,可获得更高的注入浓度和更浅的注入深度,适合制备杂质隔离器件等。#芯片制造过程##芯片##工艺##芯片制造##半导体[超话]##机械##集成电路##自动化#
离子注入的主要分类有以下几种:
1. 低能量离子注入:离子的能量通常在几百电子伏特到几千电子伏特之间,离子注入深度较浅,适合制造超浅pn结和表面功函数调制器件等。
2. 中能量离子注入:离子的能量通常在几十千电子伏特到几百千电子伏特之间,离子注入深度适中,适合制造敏捷电流控制器件等。
3. 高能量离子注入:离子的能量通常在几百千电子伏特到几百万电子伏特之间,离子注入深度较深,适合制造单晶硅太阳能电池等。
4. 分子离子注入:通过氢离子或其他分子离子对半导体材料进行注入,可以形成氢-半导体键合等,用于制备SOI硅片等。
5. 聚焦离子束注入:将离子束聚焦,形成高密度的注入区域,适合制备高压阀门、X射线探测器等高精度器件。
6. 非晶硅离子注入:通过非晶硅层注入离子,可获得更高的注入浓度和更浅的注入深度,适合制备杂质隔离器件等。#芯片制造过程##芯片##工艺##芯片制造##半导体[超话]##机械##集成电路##自动化#
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