芯片制造过程中,扩散炉是一种重要的设备,用于将杂质掺入到半导体材料中,以调整材料的导电性能。根据工作原理和应用,扩散炉可以分为以下几种分类:
1. 热氧化炉(Thermal Oxidation Furnace):用于在高温环境下将氧气与硅基材料反应,形成一层绝缘氧化膜,用于隔离和保护硅表面,以及制造MOS(金属-氧化物-半导体)器件。
2. 注氧炉(Doping Furnace):用于在高温环境下,将掺杂气体(如磷、硼等)注入到半导体材料中,改变材料的导电性能,实现电子和空穴的掺杂。
3. 堆垛炉(Stack Furnace):用于在高温环境下,依次进行多次扩散或注氧处理,以形成复杂的材料结构,如多层掺杂结构或多层文膜。
4. 沉积炉(Deposition Furnace):用于在高温环境下将物质沉积在基片上,形成薄膜材料。常见的沉积方法包括化学气相沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)和物理气相沉积(physical vapor deposition,简称PVD)。
除了以上分类,还有一些特殊的扩散炉,用于特定的应用,如低温多晶硅炉(Low Temperature Polysilicon Furnace)、薄膜退火炉(Annealing Furnace)等。
扩散炉在芯片制造中具有重要的作用,通过控制温度、压力和气氛,实现对半导体材料的掺杂和沉积,从而调整材料的导电性能和结构特性。不同类型的扩散炉在芯片制造中有不同的应用。#芯片 #半导体 #机械 #ic #IC #设备 #科技 #技术 #集成电路 #制造 #工艺
1. 热氧化炉(Thermal Oxidation Furnace):用于在高温环境下将氧气与硅基材料反应,形成一层绝缘氧化膜,用于隔离和保护硅表面,以及制造MOS(金属-氧化物-半导体)器件。
2. 注氧炉(Doping Furnace):用于在高温环境下,将掺杂气体(如磷、硼等)注入到半导体材料中,改变材料的导电性能,实现电子和空穴的掺杂。
3. 堆垛炉(Stack Furnace):用于在高温环境下,依次进行多次扩散或注氧处理,以形成复杂的材料结构,如多层掺杂结构或多层文膜。
4. 沉积炉(Deposition Furnace):用于在高温环境下将物质沉积在基片上,形成薄膜材料。常见的沉积方法包括化学气相沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)和物理气相沉积(physical vapor deposition,简称PVD)。
除了以上分类,还有一些特殊的扩散炉,用于特定的应用,如低温多晶硅炉(Low Temperature Polysilicon Furnace)、薄膜退火炉(Annealing Furnace)等。
扩散炉在芯片制造中具有重要的作用,通过控制温度、压力和气氛,实现对半导体材料的掺杂和沉积,从而调整材料的导电性能和结构特性。不同类型的扩散炉在芯片制造中有不同的应用。#芯片 #半导体 #机械 #ic #IC #设备 #科技 #技术 #集成电路 #制造 #工艺
气动爬坡车 FACTOR发布新一代O2 VAM:https://t.cn/A60ZZjan#
在环法的亮相仪式上,新一代O2 VAM就已经曝光。FACTOR于环法第一个休息日,正式发布了全新O2 VAM,并宣称它是世界上最快的爬坡公路车,具有前所未有的轻盈骑行感和空气动力学性能。
省流小助手
• 顶配整车6.2公斤左右
• 车架重量730克(54码)
• 48km/h时,比老款节省12W
• 所有尺寸的刚性平均提高 35%
• 外置反套座管
• D形截背管气动造型
• 针对28毫米轮胎进行了优化
• 最大轮胎间隙32毫米
• Stack增加10毫米,几何更加友善
• 7个尺寸,3个涂装
• Prisma Studio定制涂装可选
• 全新Black Inc 28//33碳条 轮组,1146 克
在环法的亮相仪式上,新一代O2 VAM就已经曝光。FACTOR于环法第一个休息日,正式发布了全新O2 VAM,并宣称它是世界上最快的爬坡公路车,具有前所未有的轻盈骑行感和空气动力学性能。
省流小助手
• 顶配整车6.2公斤左右
• 车架重量730克(54码)
• 48km/h时,比老款节省12W
• 所有尺寸的刚性平均提高 35%
• 外置反套座管
• D形截背管气动造型
• 针对28毫米轮胎进行了优化
• 最大轮胎间隙32毫米
• Stack增加10毫米,几何更加友善
• 7个尺寸,3个涂装
• Prisma Studio定制涂装可选
• 全新Black Inc 28//33碳条 轮组,1146 克
新一代的O2 VAM,号称使用了T1000、M60J、TeXtreme、硼纤维,为了轻量化改成反套座管结构,一同操作下来,车架重量730g。官方没说是否含涂装。
新的O2 VAM在重量上没什么进步,但是气动性和刚性提升不少,上一代O2 VAM被不少人诟病刚性不足,大方管也没什么气动性可言,新一代的换成了截背管型。
在48kmh的情况下比起上一代提升12w,距离ostro也差别不大(是不是证明ostro气动一般般?
值得注意的是,新O2VAM大改几何,stack增加,立管角度改变。刚性优化,舒适度优化。这使得新一代O2VAM的骑行质感估计会明显提升。很好,非常好。
同时发布的还有black inc碳条轮,前28后33,一对重量1145克(?
新的O2 VAM在重量上没什么进步,但是气动性和刚性提升不少,上一代O2 VAM被不少人诟病刚性不足,大方管也没什么气动性可言,新一代的换成了截背管型。
在48kmh的情况下比起上一代提升12w,距离ostro也差别不大(是不是证明ostro气动一般般?
值得注意的是,新O2VAM大改几何,stack增加,立管角度改变。刚性优化,舒适度优化。这使得新一代O2VAM的骑行质感估计会明显提升。很好,非常好。
同时发布的还有black inc碳条轮,前28后33,一对重量1145克(?
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