加大研发投入深耕存储领域，东芯股份优化产品结构推进多元化布局
摘自集微网
8月25日，东芯半导体股份有限公司（简称，东芯股份，证券代码688110）发布2023年半年度业绩报告。今年上半年，东芯股份实现营业总收入为2.4亿元，受到全球经济环境、存储行业周期下行等因素影响，归属于母公司股东的净利润为-7510.75万元。
持续加大研发投入，深耕存储新品开发与技术升级
东芯股份成立于2014年，是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业。聚焦中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM内存以及MCP的研产销，是本土少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM产品并拥有清晰自主知识产权的公司之一。
自成立以来，东芯股份持续投入研发，深耕存储领域。今年上半年，东芯股份研发费用为0.84亿元，较上年同比增长52.05%，占当期营业收入34.94%。截至报告期末，东芯股份研发与技术人员共145名，数量较上年同期增加46.46%。
据了解，东芯股份核心技术均来源于自主研发，其中包括8项NAND Flash相关技术、4项NOR Flash相关技术以及4项DRAM相关技术，产品工艺制程国内领先。
具体来看，东芯股份SLC NAND Flash量产产品以38nm、2xnm制程为主，并在2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND产品线，部分新品已达量产标准。
NOR Flash产品方面，东芯股份持续进行更高容量的新产品开发。可以预见，在现有产品的基础上，东芯股份将持续为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。
DRAM方面，东芯股份在研的LPDDR4x及PSRAM产品可用于基带市场和模块类客户。而DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、LPDDR2系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
值得一提的是，东芯股份积极拓展自身能力边界，研发车载闪存芯片。据Yole数据，全球汽车存储芯片市场预计从2021年的43亿美元增长到2027年的125亿美元，复合年均增长率将达到20%以上。东芯股份SLC NAND Flash和NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境，车规芯片有望逐步迎来量产阶段，为公司业绩贡献全新动能。
在不断开发新技术、新产品的同时，东芯股份高度重视知识产权的自主性与完整性，并通过多种途径对相关的知识产权进行保护。今年上半年，东芯股份申请发明专利11项（其中中国发明专利4项，美国发明专利5项，PCT国际阶段发明专利申请2项）；获得发明专利授权4项；获得集成电路布图设计权5项；新申请注册商标2项，获得注册商标1项；获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利74项、软件著作权14项、集成电路布图设计权73项、注册商标12项。
截今年6月末，东芯股份累计申请境内外专利161项，获得专利授权73项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
产品结构不断优化，拓展多元化市场
持续的研发投入也为东芯股份带来了硕果。发展至今，东芯股份已成为中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。
近年来，5G通讯、汽车电子、高性能运算、可穿戴设备等下游新兴行业迎来快速发展，对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求不断提升，带动存储芯片的数量增加、性能升级和成本优化。
根据市场需求变化，今年来，东芯股份在现有的布局上积极优化产品结构，持续扩大产品线布局，形成完整的NAND、NOR、DRAM及MCP产品供应链。东芯股份SLC NAND产品品类丰富、功耗低、可靠性高，产品使用温度范围在-40℃-105℃，部分已通过AEC-Q100验证。
值得指出的是，东芯股份的SLC NAND凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。
在NOR Flash业务线上，东芯股份实现了SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb-1Gb，符合-40℃-85℃/105℃工规标准，支持多种数据传输模式，并已完成从65nm至48nm制程推进。
在DRAM方面，东芯股份在研的LPDDR4x及PSRAM产品均已为客户送样，可用于基带市场和模块类客户。而DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、LPDDR2系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
根据市场发展需求，东芯股份未来将聚焦高附加值产品，持续拓宽多元化市场。东芯股份积极布局高可靠性工业类应用，依托5G、物联网、AI、机器视觉等市场需求，不断提高产品在网络通讯、物联网、工业控制及监控安防等高端应用领域的渗透率；同时，大力发展比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品产业化目标。
值得一提的是，在产能保障方面，东芯股份秉持“本土深度，全球广度”的供应链布局，不断推进国产化供应链的同时也积极与国际大厂展开合作；在封装测试方面，东芯股份与境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。通过持续深化与晶圆厂和与封测厂业务往来与技术协作，东芯股份逐步建立健全的全球化供应链以满足不同客户的需求。
摘自集微网
8月25日，东芯半导体股份有限公司（简称，东芯股份，证券代码688110）发布2023年半年度业绩报告。今年上半年，东芯股份实现营业总收入为2.4亿元，受到全球经济环境、存储行业周期下行等因素影响，归属于母公司股东的净利润为-7510.75万元。
持续加大研发投入，深耕存储新品开发与技术升级
东芯股份成立于2014年，是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业。聚焦中小容量NAND、NOR闪存芯片、DRAM内存以及MCP的研产销，是本土少数能同时提供NAND Flash、NOR Flash及DRAM产品并拥有清晰自主知识产权的公司之一。
自成立以来，东芯股份持续投入研发，深耕存储领域。今年上半年，东芯股份研发费用为0.84亿元，较上年同比增长52.05%，占当期营业收入34.94%。截至报告期末，东芯股份研发与技术人员共145名，数量较上年同期增加46.46%。
据了解，东芯股份核心技术均来源于自主研发，其中包括8项NAND Flash相关技术、4项NOR Flash相关技术以及4项DRAM相关技术，产品工艺制程国内领先。
具体来看，东芯股份SLC NAND Flash量产产品以38nm、2xnm制程为主，并在2xnm制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND产品线，部分新品已达量产标准。
NOR Flash产品方面，东芯股份持续进行更高容量的新产品开发。可以预见，在现有产品的基础上，东芯股份将持续为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。
DRAM方面，东芯股份在研的LPDDR4x及PSRAM产品可用于基带市场和模块类客户。而DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、LPDDR2系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
值得一提的是，东芯股份积极拓展自身能力边界，研发车载闪存芯片。据Yole数据，全球汽车存储芯片市场预计从2021年的43亿美元增长到2027年的125亿美元，复合年均增长率将达到20%以上。东芯股份SLC NAND Flash和NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境，车规芯片有望逐步迎来量产阶段，为公司业绩贡献全新动能。
在不断开发新技术、新产品的同时，东芯股份高度重视知识产权的自主性与完整性，并通过多种途径对相关的知识产权进行保护。今年上半年，东芯股份申请发明专利11项（其中中国发明专利4项，美国发明专利5项，PCT国际阶段发明专利申请2项）；获得发明专利授权4项；获得集成电路布图设计权5项；新申请注册商标2项，获得注册商标1项；获得软件著作权1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利74项、软件著作权14项、集成电路布图设计权73项、注册商标12项。
截今年6月末，东芯股份累计申请境内外专利161项，获得专利授权73项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。
产品结构不断优化，拓展多元化市场
持续的研发投入也为东芯股份带来了硕果。发展至今，东芯股份已成为中国大陆少数能够同时提供NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。
近年来，5G通讯、汽车电子、高性能运算、可穿戴设备等下游新兴行业迎来快速发展，对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求不断提升，带动存储芯片的数量增加、性能升级和成本优化。
根据市场需求变化，今年来，东芯股份在现有的布局上积极优化产品结构，持续扩大产品线布局，形成完整的NAND、NOR、DRAM及MCP产品供应链。东芯股份SLC NAND产品品类丰富、功耗低、可靠性高，产品使用温度范围在-40℃-105℃，部分已通过AEC-Q100验证。
值得指出的是，东芯股份的SLC NAND凭借高可靠性被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，通过了联发科、瑞芯微、国科微、博通等行业内主流平台厂商的认证。
在NOR Flash业务线上，东芯股份实现了SPI NOR Flash存储容量覆盖64Mb-1Gb，符合-40℃-85℃/105℃工规标准，支持多种数据传输模式，并已完成从65nm至48nm制程推进。
在DRAM方面，东芯股份在研的LPDDR4x及PSRAM产品均已为客户送样，可用于基带市场和模块类客户。而DDR3(L)具有高带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、LPDDR2系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
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②发博形式不限于视频或图文，也可以发布在垂直相关的超话内、或带相关话题词；
③条件中的标识点亮是系统识别、自动点亮的，可能会存在滞后性，建议耐心等待同时多多发布相关博文~
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发明专利快速预审和优先审查的区别
众所周知，普通的专利申请周期较长，尤其是含金量最高的发明专利，一般都是2年左右，甚至更长。虽然普通专利申请对于申请人及企业的限制很少（符合专利法即可）更适合普罗大众以及各类大中小企业和个人。
但由于市场不断进步，一些高新技术产业在专利上（尤其是发明专利）的需求量与日俱增。普通专利申请程序对于产品升级换代快的企业几乎毫无优势。于是针对此类企业，国家知识产权局相继推出了【优先审查】和【快速预审】两种加速通道。以下是二者建立背景以及定义。
✅优先审查(下面简称“优审”)：是为了促进产业结构优化升级，推进国家知识产权战略实施和知识产权强国建设，服务创新驱动发展，完善专利审查程序而制定的法规
✅快速预审(下面简称“预审”)：是指各个地方的知识产权保护中心为符合相应产业要求的企业等提供专利申请预先审查服务，国家知识产权局对通过保护中心预审的专利申请进行加快审查。
所以从概念不难看出，优审与预审则可加快案件的审查进度。而普通审查只是按正常程序进行审查。
✅所以从图片可以看出，优审与预审还是存在本质上的区别，预审的适用范围比优审的广，并且在申请数量上没有明确的限制，但是预审需要申请人提前做好主体资格备案，并且当地要设有保护中心，同时答复审查意见的时间远远短于优审。
关于专利申请的方式，普通程序、优先审查、快速预审都各有优势，而最终的申请行为要根据专利的具体情况以及企业需求而定。找准代理机构，少走弯路，事半功倍#高企认定##软著[超话]##专利申请##商标[超话]##知识产权##体系认证# 153 151 111 63
众所周知，普通的专利申请周期较长，尤其是含金量最高的发明专利，一般都是2年左右，甚至更长。虽然普通专利申请对于申请人及企业的限制很少（符合专利法即可）更适合普罗大众以及各类大中小企业和个人。
但由于市场不断进步，一些高新技术产业在专利上（尤其是发明专利）的需求量与日俱增。普通专利申请程序对于产品升级换代快的企业几乎毫无优势。于是针对此类企业，国家知识产权局相继推出了【优先审查】和【快速预审】两种加速通道。以下是二者建立背景以及定义。
✅优先审查(下面简称“优审”)：是为了促进产业结构优化升级，推进国家知识产权战略实施和知识产权强国建设，服务创新驱动发展，完善专利审查程序而制定的法规
✅快速预审(下面简称“预审”)：是指各个地方的知识产权保护中心为符合相应产业要求的企业等提供专利申请预先审查服务，国家知识产权局对通过保护中心预审的专利申请进行加快审查。
所以从概念不难看出，优审与预审则可加快案件的审查进度。而普通审查只是按正常程序进行审查。
✅所以从图片可以看出，优审与预审还是存在本质上的区别，预审的适用范围比优审的广，并且在申请数量上没有明确的限制，但是预审需要申请人提前做好主体资格备案，并且当地要设有保护中心，同时答复审查意见的时间远远短于优审。
关于专利申请的方式，普通程序、优先审查、快速预审都各有优势，而最终的申请行为要根据专利的具体情况以及企业需求而定。找准代理机构，少走弯路，事半功倍#高企认定##软著[超话]##专利申请##商标[超话]##知识产权##体系认证# 153 151 111 63
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