【韩国SK On公司成功提升电池离子导电率70%】

韩国电池制造商SK On公司与韩国檀国大学教授Hee Jung Park合作的最新研究成果引起了广泛关注。

据悉，他们成功地在Li-La-Zr-O电解质上应用了一种可控添加剂，使该电解质的离子导电率比以往提高了惊人的70%。据介绍，与锂离子电池的 4.3V 相比，这类电池容量也可提高到 5.5V。SK On 表示，虽然提高锂离子传导速度会降低稳定性，但该公司采用了均匀控制 LLZO 微观结构的技术。

【KLEVV科赋BOLT V DDR5-6400内存条：低调内敛高性能】
KLEVV科赋 BOLT V 是一款 DDR5 内存条，它标称速度最高可达6800MT/s，并支持Intel XMP 3.0以及AMD EXPO技术，我们也上手进行了测试。

BOLT V共有三种不同速度版本，分别是6000MT/s（30-36-36-76）、6400MT/s（32-38-38-78）、6800MT/s（34-40-40-80），容量统一为16GBx2，驱动电压为1.35V，官方提供终身有限保固。

BOLT V使用了海力士A-die内存颗粒，10层PCB设计，板载了PMIC（电源管理芯片）、温度传感器，同时具备了On-die ECC错误校正技术，能更有效保障长时间运行的可靠性。

在外观方面，BOLT V使用了黑色PCB板，上面覆盖了灰色的铝合金散热片，显得低调内敛，而且整体尺寸紧凑，在含散热片下大小只有137.8(L) x 34(W) x 8(H) mm，也就是安装高度为34mm，不会影响用户安装大型CPU散热器。

在1.4V电压下，BOLT V（6400MT/s）可以超频至40-45-45-120、6800MT/s，若是电压提高1.435V，BOLT V（6400MT/s）能进一步提升至42-48-48-120、7000MT/s，达到7000MT/s关口。

在超频的同时，我们使用AIDA64测试了内存带宽与延迟，开启XMP默认成绩（6400MT/s）是读取：101679 MB/s、写入87270 MB/s、复制90489 MB/s、延时67.0 ns；
超频至6800MT/s成绩是：读取102.27 GB/s、写入100255 MB/s、复制99460 MB/s、延时64.7 ns，在延迟略微提升下，写入、复制带宽得到非常明显的提升；
超频至7000MT/s成绩是读取104.91 GB/s、写入10111 GB/s、102252 MB/s、延时69.0 ns，带宽进一步提升，延时明显增加。

总的来说，今天市场上可供选择的DDR5内存非常多，KLEVV科赋BOLT V采用极具设计感的灰色铝合金散热片，无RGB灯设计，无论是安装在什么机箱上都非常协调。

在超频能力方面，在开启XMP3.0后轻松稳定运行在6400MT/s，只要你再加点电压，即可运行在6800MT/s甚至7000MT/s上，获得更高内存带宽，适合追求性价比的游戏玩家使用。

荣耀在IFA 2023上通过其V Purse概念手机为可折叠概念增添了独特的转折。与市场上大多数可折叠手机不同，荣耀V钱包采用了向外折叠设计和独特的相机条。折叠后，该设备可以像钱包一样携带，并具有可互换的包带。

此外，Always-On Display可以显示不同的手袋图案风格的壁纸，其中一些是交互式的，应用程序图标伪装成手镯魅力会随着您的移动而摇晃，背景会根据一天中的时间而变化。这要归功于陀螺仪可以检测运动和重力。

由于Honor V Purse是一个可折叠的概念，目前尚不清楚该公司最终是否会将其推向市场。如果您想了解更多关于 V 钱包的信息。