中国自研“光刻厂”技术，或将打破光刻机封锁

清华大学传出重磅消息,研发成功一种全新极紫外(EUV)光源技术“SSMB-EUV”,实现了电子束光源的瓦特级化和工业化应用。功率达到EUV光刻机40倍。

这项原创技术突破对我国半导体制造具有里程碑意义。

SSMB-EUV采用了等离子体辅助多段型自由电子激光器技术方案。

其核心创新在于利用强大的微波电子射注入器产生高亮度脉冲电子束,再通过主磁场环实现电子束的储存。

储存环采用了多组分布式Bragg反射器,可以大大提高光柱的增益系数。另外,该技术还使用了等离子体辅助自聚焦结构,有效地提高了增益系数。

具体来说,SSMB-EUV光源产生的电子束经过电子射注入器和预加速管后注入到纵向体制环,实现电子束的拉伸和展平。

然后电子束被顺次注入到第一储存环、增益段和第二储存环,在这里电子束被量子激发并产生自发辐射。

产生的辐射光在经过共振腔反复増强后输出。该光源可提供脉冲频率为1KHz,单脉冲能量大于100mJ的EUV光束。

相比现有的基于等离子体和真空闪光灯的EUV光源技术,SSMB-EUV具有输出功率高、脉冲频率可调、空间相干性好等优点。

其输出功率达到10KW量级,是现有光源的40倍;提供的光束具有极高的时间和空间相干性,可有效改善光刻的图像质量。

目前,EUV光刻机广泛用于5nm及以下的半导体制造工艺中,是实现极致光刻的关键设备。SSMB-EUV光源的应用将可支持数十台光刻机同时工作,从根本上解决目前EUV光源功率不足的瓶颈,实现半导体制造的大规模化生产。

这对我国半导体产业实现自主可控发展具有重要意义。

SSMB-EUV光源技术历时10余年研发才取得成功,充分展现出中国科研人员的智慧与创新精神。

有专家表示,中国不必完全复制国外技术思路,而是应结合本国国情,开创适合自身的技术路径。

相信在各界科研人员的不懈努力下,我国半导体装备制造业必将取得更多突破,加快实现关键核心技术的自主可控。

【小镇阳光，隐藏的美好】☀️

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