nia！Leon就是很适合单身母亲带孩子人设。
16岁时中产阶级家的乖小孩L和17岁孤儿院出来的混混K搞到一起偷偷谈恋爱，结果搞出了孩子。L家里强制带他去打掉小孩把俩人分开了。

被赶走的K去从军。多年后已经是军功卓越的少校，揣着一张初恋的照片回来找人。发现小孩当年原来留下来了，但L家里早年出了变故，L现在一个人带着叛逆期的17岁儿子KK住在Brooklyn的小破公寓，工作辛苦早出夜归但每天还坚持至少给儿子做一餐饭。

俩人见面旧爱重燃，但恋/母/情/结严重的小孩KK死活不乐意了，父子俩见面就要掐，见面就要掐。L身心疲惫对K说【算了吧，这么多年就这么过了，儿子现在才是我最重要的亲人。】K说【绝不可能，这个家我迟早要住进来。】

然后三个人之间的关系继续极限拉扯。爸妈doi还得趁儿子去上学。结果儿子提前回家看到了，父子俩又大打出手。KK说【他才不是我爸！这个学我不上了我以后就在这家里守着！】K冷笑说【你想待这儿就待这儿，我已经买了新的房子马上带你妈住进去。】KK气得大晚上离家出走。L赶紧穿好衣服要去追，被K拦着说【他都17岁了能出什么事。】L很生气推开他说【你当年就是17岁！】

对就是这种烂俗都市美剧。

武汉工资低生活成本也低？[并不简单]

阿K早上一碗热干面只需要5块钱，就能吃饱吃撑，很少有城市仅仅5块钱就能吃撑吧？

有时候早上吃完热干面，中午都不用吃饭了！

而且武汉地铁公交遍布三镇，真的很便利，阿K每天地铁公交，一个月的交通费也花不到1000元！

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#新材料# 【微电子所刘明院士团队发现铪基铁电材料新结构，或为新型存储技术带来有力竞争者】

HfO2 材料，是#集成电路# 互补金属氧化物#半导体# （CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺中常用的一种 high-k 材料，制备工艺较为成熟。

因此，当学界在 HfO2 基材料中发现铁电特性之后，氧化铪基铁电存储器被认为是最有潜力的下一代非易失性存储器。

但是，对于目前正交相结构的 HfO2 基铁电材料来说，由于其极化翻转势垒较高，以及偶极子的“独立翻转”模式等特点，会让其产生高矫顽场，并因此产生器件工作电压与先进技术节点不兼容、以及擦写次数受限等问题。

这一问题的根源来自于正交相铁电体本征特性。所以，只有实现新的相结构，才能从根本上解决问题。

近日，中国科学院微电子所刘明院士团队发现了关于 HfO2 #基铁电材料# 的新结构，有望解决 HfO2 基铁电材料高矫顽场的本征问题。

在富含 Hf（Zr）原子的 HZO 材料中，他们发现一种稳定的铁电三方相结构，嵌入到三方相结构中的 Hf（Zr）原子，降低了偶极子的翻转势垒，这从根本上解决了 HfO2 基铁电材料高矫顽场的问题。这种结构的 HfO2 基铁电材料具备较低的矫顽场、以及较低的饱和极化场，可以增强自身耐久性，并有望应用于非易失性铁电存储器领域。

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