今年前三季度，中国进口的芯片数量同比下降了14.6%，金额同比减少了19.8%，这是自2013年以来最大的降幅，进口量的下降并不仅仅是受到外部环境的影响，更重要的是反映了中国在芯片产业方面的自主创新能力的提升。

从今年4~8月，中国芯片产量一直保持着正增长态势，产量达到2214.1亿颗，创下了近两年以来的最高增长记录，这表明国内对芯片需求旺盛，国产芯片产能正在释放。

中国芯片进口量的下降，而国内芯片产量逐渐增长，数据显示，中国芯片正在逐步占据了全球市场的主导地位，自给率不断提升，国产化占比也越来越高，从业绩下滑到逆势增长，实现了产量和市场份额的双提升，展现了我们芯片产业强大的潜力和竞争力。

在过去几年中，中国政府和企业投入了大量的资金和人力，加快了芯片技术研发和产业化进程。尤其是在美国对华为、中兴等中国企业实施技术封锁后，中国更加重视提高芯片自给率，减少对进口芯片的依赖。

同时，国产芯片的技术水平也在不断提高。如，在手机处理器方面，华为发布了基于5纳米工艺制造的麒麟9000S，这是目前世界上最先进的手机处理器之一。

在服务器处理器方面，中科院计算所推出了基于7纳米工艺制造的飞腾920V2，这是目前世界上最强大的ARM架构服务器处理器之一。

在存储器方面，长江存储成功量产了64层3D NAND闪存，这是目前国内最高水平的闪存产品之一。

中国芯片产业的发展对全球格局有着深远的影响。一方面，中国是全球最大的芯片消费市场，占据了全球约40%的市场份额，随着国产芯片替代进口芯片的比例不断提高，中国对外部市场的需求会持续减少。

这对于美国等主要芯片出口国来说是一个巨大的挑战。美国公司占据了全球约50%的芯片市场份额，其中很大一部分依赖于中国市场。如果中国市场的需求下降，美国公司的收入和利润将会受到影响。

另一方面，中国在芯片技术方面的进步也对美国构成了竞争和威胁。美国一直以来把芯片技术视为其战略优势之一，对中国等国家实施技术封锁，试图遏制其发展。

然而，中国通过自主创新，突破了一些关键技术，打破了美国的垄断，尤其是在5G、人工智能、云计算等新兴领域，中国的芯片技术已经达到了世界领先水平。

这让美国感到不安，担心失去其在全球信息技术领域的主导地位。

因此，中国芯片进口的下降是一个值得关注的现象，它反映了中国芯片产业的快速发展，也预示了全球芯片市场的重大变化。

中国正在从一个芯片消费大国向一个芯片生产强国转变，这将对全球芯片产业链产生深刻的影响。未来，中国和美国在芯片领域的竞争和合作将更加激烈，也更加复杂。

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我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
9月28日，东北大学和CUSIC在“ICSCRM2023”会议上宣布，他们针对SiC MOSFET开发一种“同步横向外延生长法（SLE法）”，目的是通过在4C-SiC外延层上再生长3C-SiC层，来解决高温栅氧导致的可靠性问题。
为什么需要怎么做？传统4C-SiC栅氧层制备最大的问题是温度太高（约1300℃），这会导致SiO2/SiC界面出现碳残留，导致沟道迁移率低，以及可靠性和阈值电压等缺陷。
如果通过3C-SiC来制备栅氧层，工艺问题可以低于900℃，可以完美解决这个问题。根据“行家说三代半”之前的报道，3C-SiC MOSFET的n沟道迁移率范围为100-370 cm2/V·s。而4H-SiC MOSFET通常为20-40cm2/V·s，沟槽器件为6-90 cm2/V·s，京都大学的技术可以做到131 cm2/V·s，但也比3C-SiC MOSFET低3倍左右。