https://t.cn/A6WTKTAi 11月6-8日,电气电子工程师学会IEEE首届标准大会在深圳举行,吸引了全球标准组织的专家学者展示前沿标准动态,分享最新研究成果,共同推动国际标准发展。在11月7日同期举办的游戏和电竞标准化论坛上,传音研发中心旗下的游戏TMG、对外合作部与会代表与产学研各界生态伙伴共同探讨游戏标准化建设的经验和思路。论坛还正式发布了IEEE 2861移动游戏性能优化国际标准,传音作为该标准建设的重要参与者之一,荣获突出贡献奖。
#光刻机# 【光刻整机厂商上海微电子上市获新进展!全球市占率37% 前道光刻有望突破】
作为国内几乎是唯一的光刻机整机厂商,上海微电子装备(集团)股份有限公司IPO有了新动态。近日,中信建投披露关于上海微电子首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告(第十期)。最新上市辅导进展显示,上海微电子已建立相对规范的公司治理结构和内部控制体系,但内控及财务规范性仍需进一步完善,募投项目及资金测算尚未规划完成。
上海微电子产品市场优势主要体现在其后道封装光刻机领域。据上海微电子介绍,该公司先进封装光刻机在全球市场的市占率为37%,在中国大陆市场的占有率高达85%。此外,公司LED系列光刻机全球市占率55%。此外在前道光刻技术方面,上海微电子目前已可量产90nm的光刻机。上海微电子今年7月接受清华高校调研时,公司人士表示,其28nm光刻机也有望取得突破。(财联社)
作为国内几乎是唯一的光刻机整机厂商,上海微电子装备(集团)股份有限公司IPO有了新动态。近日,中信建投披露关于上海微电子首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告(第十期)。最新上市辅导进展显示,上海微电子已建立相对规范的公司治理结构和内部控制体系,但内控及财务规范性仍需进一步完善,募投项目及资金测算尚未规划完成。
上海微电子产品市场优势主要体现在其后道封装光刻机领域。据上海微电子介绍,该公司先进封装光刻机在全球市场的市占率为37%,在中国大陆市场的占有率高达85%。此外,公司LED系列光刻机全球市占率55%。此外在前道光刻技术方面,上海微电子目前已可量产90nm的光刻机。上海微电子今年7月接受清华高校调研时,公司人士表示,其28nm光刻机也有望取得突破。(财联社)
【涉专利侵权!长江存储在美起诉美光】11月11日,第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到,长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。
长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬盘)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。
2018年,长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称,2022年第三季度,受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响,价格战日益激烈,原厂不得不拉大议价空间,吸引客户提高订单数量。
2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。
除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年,生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议,开发DRAM相关制程技术,在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年,美光在美国起诉晋华与联电,称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年,美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。(第一财经)
长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。
长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬盘)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。
2018年,长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称,2022年第三季度,受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响,价格战日益激烈,原厂不得不拉大议价空间,吸引客户提高订单数量。
2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。
除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年,生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议,开发DRAM相关制程技术,在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年,美光在美国起诉晋华与联电,称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年,美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。(第一财经)
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