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Reading Time|《呼吸》
小小仪式,让平凡成为独特
福:关注➕转评赞,3.18日抽一位铁粉送一本《呼吸09》一起读(与我互动三天即为铁粉)
那些专属的生命印记,
那些时光里的小不朽,
仪式感知道答案。
《呼吸09》讲述我们眼中的仪式感,
充满仪式感的小事,把生活营造的惬意。
生活的张力,
视觉的冲击,
喜悦的心情,
在仪式感的构想中,施行着,浸入着。
作家、运动时尚达人、哲学学者、心理学者、花 园作家、建筑师及导演,带我们探寻仪式感的珍贵意义。
小而美的MOOK,又清新,又 治 愈。
亦如一道幸福微光。
《寻找属于你的微光》
发掘与增强身心感知美好的能力,抓住一闪而过的微光。
《做一个容易被取悦的人》
简单的快乐往往不是因为缺乏辨别力,更多的是因为自信,以及对令人感到幸福的事物的理解和欣赏。
《敏 感是一种能力》
世俗标准里,敏 感 通常代表脆弱,不被认可,
深入了解敏 感,你会发现它的价值与重要性。
《积j i 怀 旧指南》
将经历存储成记忆,再制作成回忆长廊里的精美作业以供回放。
《不带手机去旅行》
不带手机的旅行,能否让你更好地沉浸其中?
每一次打开《呼吸》,都是一次心灵SPA。
在路上的日子里,带着它去旅行,
给焦 虑的生活留出一点“呼吸”的空间。
#转发赠书[超话]#
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亦如一道幸福微光。
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《做一个容易被取悦的人》
简单的快乐往往不是因为缺乏辨别力,更多的是因为自信,以及对令人感到幸福的事物的理解和欣赏。
《敏 感是一种能力》
世俗标准里,敏 感 通常代表脆弱,不被认可,
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《积j i 怀 旧指南》
将经历存储成记忆,再制作成回忆长廊里的精美作业以供回放。
《不带手机去旅行》
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每一次打开《呼吸》,都是一次心灵SPA。
在路上的日子里,带着它去旅行,
给焦 虑的生活留出一点“呼吸”的空间。
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【三星电子成功开发36GB12层堆叠HBM3E 业内尚属首次[给力]】 据三星电子27日消息,其在业界首次成功开发出单颗容量达36GB的12层堆叠HBM3E(第五代HBM)DRAM芯片,抢占高容量HBM市场。
三星电子利用硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)技术将3GB的DRAM芯片堆叠到12层,实现业界最大容量36GB的12层堆叠HBM3E。硅通孔技术是将数千个微孔的DRAM芯片垂直堆叠,用电极连接堆叠芯片的技术。
12层堆叠HBM3E每秒最多可提供1280GB的带宽和高达36GB的业界最高容量,性能和容量与前作8层堆叠HBM3(第四代HBM)相比改善50%以上。12层堆叠HBM3E在1024个输入/输出通道(I/O)中支持每秒最高10Gb的速度,每秒可处理1280GB,即1秒可上传或下载40多部30GB大小UHD电影的速度。
三星电子利用Advanced TCNCF(Thermal Compression Non Conductive Film,热压非导电薄膜)技术,将12层堆叠产品实现与8层堆叠相同的高度,成功满足HBM包装规格。采用Advanced TCNCF技术可以使HBM堆叠层数增加,芯片厚度变薄,从而最大限度减少可能发生的“翘曲现象”,有利于高端堆叠扩张。
三星电子还持续降低NCF材料的厚度,实现业界最小芯片间隔“7微米(um)”。如此一来,12层堆叠HBM3E也顺利实现比8层堆叠HBM3提高20%以上的垂直集成度。在12层堆叠HBM3E芯片键合工程中,需要信号特性的地方适用小凸块,需要散热特性的地方适用大凸块,根据目的进行尺寸调整。通过采用大小不同的凸块,在强化散热性能的同时,收益率也实现最大化。
此外,三星电子还采用NCF进行涂层并键合芯片,实现凸块尺寸多样化,同时展示出无孔隙(Void)堆叠的业界最高技术水平。在人工智能(AI)服务不断升级,数据处理量剧增的情况下,三星电子成功开发的12层堆叠HBM3E预计将成为各领域企业利用AI平台的最佳解决方案。
由于性能和容量得到提升,使用12层堆叠HBM3E可减少GPU使用量,使企业能够灵活管理资源,从而降低总体拥有成本(TCO)。例如,将12层堆叠HBM3E应用于服务器系统时,在相同的GPU基础设施条件下,与搭载8层堆叠HBM3相比,平均可以提高34%的AI训练速度,并在推理方面预计最多可提供11.5倍的AI用户服务。
三星电子存储芯片事业部产品策划室长兼副社长裴勇哲(音)表示:“三星电子正在致力于开发高容量解决方案的创新产品,以满足提供AI服务的客户企业需求。未来也将专注于高容量HBM堆叠技术的开发,引领和开拓高容量HBM市场。”
目前,三星电子已经开始向客户企业提供12层堆叠HBM3E样品,并计划今年上半年内投入量产。#半导体[超话]#
三星电子利用硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)技术将3GB的DRAM芯片堆叠到12层,实现业界最大容量36GB的12层堆叠HBM3E。硅通孔技术是将数千个微孔的DRAM芯片垂直堆叠,用电极连接堆叠芯片的技术。
12层堆叠HBM3E每秒最多可提供1280GB的带宽和高达36GB的业界最高容量,性能和容量与前作8层堆叠HBM3(第四代HBM)相比改善50%以上。12层堆叠HBM3E在1024个输入/输出通道(I/O)中支持每秒最高10Gb的速度,每秒可处理1280GB,即1秒可上传或下载40多部30GB大小UHD电影的速度。
三星电子利用Advanced TCNCF(Thermal Compression Non Conductive Film,热压非导电薄膜)技术,将12层堆叠产品实现与8层堆叠相同的高度,成功满足HBM包装规格。采用Advanced TCNCF技术可以使HBM堆叠层数增加,芯片厚度变薄,从而最大限度减少可能发生的“翘曲现象”,有利于高端堆叠扩张。
三星电子还持续降低NCF材料的厚度,实现业界最小芯片间隔“7微米(um)”。如此一来,12层堆叠HBM3E也顺利实现比8层堆叠HBM3提高20%以上的垂直集成度。在12层堆叠HBM3E芯片键合工程中,需要信号特性的地方适用小凸块,需要散热特性的地方适用大凸块,根据目的进行尺寸调整。通过采用大小不同的凸块,在强化散热性能的同时,收益率也实现最大化。
此外,三星电子还采用NCF进行涂层并键合芯片,实现凸块尺寸多样化,同时展示出无孔隙(Void)堆叠的业界最高技术水平。在人工智能(AI)服务不断升级,数据处理量剧增的情况下,三星电子成功开发的12层堆叠HBM3E预计将成为各领域企业利用AI平台的最佳解决方案。
由于性能和容量得到提升,使用12层堆叠HBM3E可减少GPU使用量,使企业能够灵活管理资源,从而降低总体拥有成本(TCO)。例如,将12层堆叠HBM3E应用于服务器系统时,在相同的GPU基础设施条件下,与搭载8层堆叠HBM3相比,平均可以提高34%的AI训练速度,并在推理方面预计最多可提供11.5倍的AI用户服务。
三星电子存储芯片事业部产品策划室长兼副社长裴勇哲(音)表示:“三星电子正在致力于开发高容量解决方案的创新产品,以满足提供AI服务的客户企业需求。未来也将专注于高容量HBM堆叠技术的开发,引领和开拓高容量HBM市场。”
目前,三星电子已经开始向客户企业提供12层堆叠HBM3E样品,并计划今年上半年内投入量产。#半导体[超话]#
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