铁电存储器MB85RS4MTY 将其容量提高了一倍，达到 4M bit，满足更高容量的需求，配有 SPI 接口，工作电压为 1.8V 至 3.6V 。由于这款FRAM工作电流低，即使在 125℃ 高温下，最大工作电流仅为 4mA（运作频率 50MHz ），最大掉电模式电流为 30µA ，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。这款全新 FRAM 在 -40℃ 至 +125℃ 温度范围内可以达到 10 兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每 0.03 毫秒重写一次数据，同一地址连续记录数据可达 10 年之久。这款 FRAM 产品采用业界标准 8-pin SOP 封装，可轻松取代现有类似引脚的 EEPROM 。此外，还提供 8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。

项 目 内 容 单位
尺寸 2.4寸液晶屏 inch
外形尺寸 42.72（W）* 60.26（H） * 2.30(T) inch
显示区域 36.72* 48.96 mm
分辨率 240*320 mm
TFT LCD 类型 a-Si TFT pixel
视角 12 O’CLOCK 　
驱动IC ST7789V 　
接口方式 SPI 　
工作温度 -20℃~ 70℃ 　
储存温度 -30℃~ 80℃ 　
背光LED 4 LEDs 　
亮度 300-380 Cd/m2

#科学城中事#【兆易创新斩获2020年度中国 IC设计成就奖三项大奖】
兆易创新今日宣布，在2020年中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上，荣获  “十大中国IC设计公司”奖项，这也是公司第四次获得此项殊荣。同时，旗下GD25LX256E 高速8通道SPI NOR Flash和GD32VF103系列RISC-V内核32位通用MCU分别荣获年度最佳存储器和年度最佳MCU奖项。
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