2020.8.12
【第三代半导体】放量在即，国产替代蓝海一、第三代半导体介绍第三代半导体是以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。>目前SiC衬底技术相对简单，国内已实现4英寸量产，6英寸的研发也已经完成。GaN制备技术仍有待提升，国内企业目前可以小批量生产2英寸衬底，具备了4英寸衬底生产能力，并开发出6英寸样品。二、第三代半导体的应用领域第三代半导体材料具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性，相比Si基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上。虽然SiC和GaN相对于传统Si材料有诸多优点，但是由于制造设备、制造工艺以及成本的劣势，多年来只是在小范围内应用，无法挑战Si基半导体的统治地位。随着5G、新能源汽车等新市场出现，Si基半导体的性能已无法完全满足需求，SiC和GaN的优势被放大。另外，制备技术进步使得SiC与GaN器件成本不断下降， SiC和GaN的性价比优势将充分显现，第三代半导体的时代即将到来。SiC、GaN有各自的优势领域。GaN侧重高频性能，广泛应用于基站、雷达、工业、消费电子领域。预计到2022年，GaN器件的市场规模将超过25亿美元，年复合增长率为17%。SiC常被用于功率器件，适用于600V下的高压场景，广泛应用于光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等于电力电子领域。预计到2023年，SiC功率器件的市场规模将超过15亿美元，年复合增长率为31%。三、第三代半导体未来的增长点1、GaN：5G基站以及快充两个领域复合增速较快，有望成为GaN市场快速增长的主要驱动力。【5G基站】GaN射频器件更能有效满足5G高功率、高通信频段的要求，未来5G基站GaN将逐步取代LDMOS市场空间，基于GaN工艺的基站占比将由50%增至58%，带来大量GaN需求。另一方面，小基站可弥补5G宏基站覆盖范围小的缺点，成为5G网络的重要组成部分，大量小基站的使用也将带来GaN用量增长。预计GaN射频器件的规模将从2017年3.8亿美元增长到2023年13亿美元，复合增长率超过20%。【快充】GaN具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点，由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。安卓端率先将GaN技术导入到快充领域，随着GaN生产成本迅速下降，GaN快充有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。预计全球GaN功率半导体市场规模从2018年的873万美元增长到2024年的3.5亿美元，复合增长率达到85%。 2、SiC：新能源汽车以及轨道交通两个领域复合增速较快，有望成为SiC市场快速增长的主要驱动力。【新能源汽车】在新能源汽车领域，SiC器件主要可以应用于功率控制单元、逆变器、车载充电器等方面。SiC功率器件轻量化、高效率、耐高温的特性有助于有效降低新能源汽车系统成本。2018年特斯拉Model 3采用了意法半导体生产的SiC逆变器，是第一家在主逆变器中集成全SiC功率模块的车企。以Model 3搭载的SiC功率器件为例，其轻量化的特性节省了电动汽车内部空间，高效率的特性有效降低了电动汽车电池成本，耐高温的特性降低了对冷却系统的要求，节约了冷却成本。此外，近期新上市的比亚迪汉EV也搭载了比亚迪自主研发并制造的高性能SiC-MOSFET 控制模块。预计SiC器件在新能源汽车领域的市场规模有望从2020年的1.2亿美元增长至2023年的3.0亿美元。【轨道交通】在轨道交通领域，SiC器件主要应用于轨交牵引变流器，能大幅提升牵引变流装置的效率，符合轨道交通绿色化、小型化、轻量化的发展趋势。近日完成调试的苏州3号线0312号列车是国内首个基于SiC变流技术的牵引系统项目。采用完全的SiC半导体技术替代传统IGBT技术，在提高系统效率的同时降低了噪声，提升了乘客的舒适度。预计SiC器件在轨道交通领域的市场规模有望从2020年的0.5亿美元增长至2023年的2.1亿美元。
四、相关标的>
【三安光电】涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力。在微波射频领域，当前已推出具有国际竞争力的GaAs HBT面向射频应用的先进制程工艺，已建成专业化、规模化的4寸、6寸化合物晶圆制造产线。在电力电子领域，现已推出高可靠性，高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
【露笑科技】公司掌握了制造碳化硅长晶炉的核心技术。与合肥市长丰县人民政府在合肥市政府签署《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。【海特高新】 公司旗下海威华芯已完成氮化镓、碳化硅产品的研发。建立了国内第—条英寸砷化镓氮化镓半导体晶圆生产线，目前已达氮化镓600片/月的晶圆制造能力。
【富满电子】富满电子主营电源管理和LED驱动芯片，同时与OPPO合作研发氮化镓(GaN)技术的充电器。2019年10月份OPPO发布了使用GaN技术的65W闪充充电器，2020年2月小米在其新品发布会上也推出了基于GaN技术的65W充电器，2020年7月，OPPO发布了125W超级闪充。安卓端率先将GaN技术导入到快充领域，随着GaN生产成本迅速下降，GaN快充有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。
【第三代半导体】放量在即，国产替代蓝海一、第三代半导体介绍第三代半导体是以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。>目前SiC衬底技术相对简单，国内已实现4英寸量产，6英寸的研发也已经完成。GaN制备技术仍有待提升，国内企业目前可以小批量生产2英寸衬底，具备了4英寸衬底生产能力，并开发出6英寸样品。二、第三代半导体的应用领域第三代半导体材料具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性，相比Si基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上。虽然SiC和GaN相对于传统Si材料有诸多优点，但是由于制造设备、制造工艺以及成本的劣势，多年来只是在小范围内应用，无法挑战Si基半导体的统治地位。随着5G、新能源汽车等新市场出现，Si基半导体的性能已无法完全满足需求，SiC和GaN的优势被放大。另外，制备技术进步使得SiC与GaN器件成本不断下降， SiC和GaN的性价比优势将充分显现，第三代半导体的时代即将到来。SiC、GaN有各自的优势领域。GaN侧重高频性能，广泛应用于基站、雷达、工业、消费电子领域。预计到2022年，GaN器件的市场规模将超过25亿美元，年复合增长率为17%。SiC常被用于功率器件，适用于600V下的高压场景，广泛应用于光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等于电力电子领域。预计到2023年，SiC功率器件的市场规模将超过15亿美元，年复合增长率为31%。三、第三代半导体未来的增长点1、GaN：5G基站以及快充两个领域复合增速较快，有望成为GaN市场快速增长的主要驱动力。【5G基站】GaN射频器件更能有效满足5G高功率、高通信频段的要求，未来5G基站GaN将逐步取代LDMOS市场空间，基于GaN工艺的基站占比将由50%增至58%，带来大量GaN需求。另一方面，小基站可弥补5G宏基站覆盖范围小的缺点，成为5G网络的重要组成部分，大量小基站的使用也将带来GaN用量增长。预计GaN射频器件的规模将从2017年3.8亿美元增长到2023年13亿美元，复合增长率超过20%。【快充】GaN具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点，由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。安卓端率先将GaN技术导入到快充领域，随着GaN生产成本迅速下降，GaN快充有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。预计全球GaN功率半导体市场规模从2018年的873万美元增长到2024年的3.5亿美元，复合增长率达到85%。 2、SiC：新能源汽车以及轨道交通两个领域复合增速较快，有望成为SiC市场快速增长的主要驱动力。【新能源汽车】在新能源汽车领域，SiC器件主要可以应用于功率控制单元、逆变器、车载充电器等方面。SiC功率器件轻量化、高效率、耐高温的特性有助于有效降低新能源汽车系统成本。2018年特斯拉Model 3采用了意法半导体生产的SiC逆变器，是第一家在主逆变器中集成全SiC功率模块的车企。以Model 3搭载的SiC功率器件为例，其轻量化的特性节省了电动汽车内部空间，高效率的特性有效降低了电动汽车电池成本，耐高温的特性降低了对冷却系统的要求，节约了冷却成本。此外，近期新上市的比亚迪汉EV也搭载了比亚迪自主研发并制造的高性能SiC-MOSFET 控制模块。预计SiC器件在新能源汽车领域的市场规模有望从2020年的1.2亿美元增长至2023年的3.0亿美元。【轨道交通】在轨道交通领域，SiC器件主要应用于轨交牵引变流器，能大幅提升牵引变流装置的效率，符合轨道交通绿色化、小型化、轻量化的发展趋势。近日完成调试的苏州3号线0312号列车是国内首个基于SiC变流技术的牵引系统项目。采用完全的SiC半导体技术替代传统IGBT技术，在提高系统效率的同时降低了噪声，提升了乘客的舒适度。预计SiC器件在轨道交通领域的市场规模有望从2020年的0.5亿美元增长至2023年的2.1亿美元。
四、相关标的>
【三安光电】涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力。在微波射频领域，当前已推出具有国际竞争力的GaAs HBT面向射频应用的先进制程工艺，已建成专业化、规模化的4寸、6寸化合物晶圆制造产线。在电力电子领域，现已推出高可靠性，高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
【露笑科技】公司掌握了制造碳化硅长晶炉的核心技术。与合肥市长丰县人民政府在合肥市政府签署《合肥市长丰县与露笑科技股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。【海特高新】 公司旗下海威华芯已完成氮化镓、碳化硅产品的研发。建立了国内第—条英寸砷化镓氮化镓半导体晶圆生产线，目前已达氮化镓600片/月的晶圆制造能力。
【富满电子】富满电子主营电源管理和LED驱动芯片，同时与OPPO合作研发氮化镓(GaN)技术的充电器。2019年10月份OPPO发布了使用GaN技术的65W闪充充电器，2020年2月小米在其新品发布会上也推出了基于GaN技术的65W充电器，2020年7月，OPPO发布了125W超级闪充。安卓端率先将GaN技术导入到快充领域，随着GaN生产成本迅速下降，GaN快充有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。
#数码##收纳# 之前买的TYLT的收纳包昨天到了，秀一下包里装的什么：
1.一条CC数据线支持60W PD快充
2.小米蓝牙接收器，听歌必备，虽然只是听个响
3.小米65W氮化镓PD充电器，外出笔电最佳的小伙伴
4.一条紫米C2L数据线，iPhone充电必备
5.一条A2C数据线，支持3.0，搭配移动硬盘使用
6.3.5mm接口耳机，搭配小米蓝牙接收器使用
7.自己组128G msata移动硬盘，3.0写入速度80M/s左右，一般使用够了 https://t.cn/RghOMBP
1.一条CC数据线支持60W PD快充
2.小米蓝牙接收器，听歌必备，虽然只是听个响
3.小米65W氮化镓PD充电器，外出笔电最佳的小伙伴
4.一条紫米C2L数据线，iPhone充电必备
5.一条A2C数据线，支持3.0，搭配移动硬盘使用
6.3.5mm接口耳机，搭配小米蓝牙接收器使用
7.自己组128G msata移动硬盘，3.0写入速度80M/s左右，一般使用够了 https://t.cn/RghOMBP
仅售299元 努比亚发布120W氘锋氮化镓充电器：小了25%
努比亚发布了一大波生产产品，其中120W氘锋氮化镓三口充电器仅售299元，2个USB-C、1个USB-A接口，体积比Macbook的96W充电器小了25%。氮化镓快充充电器是今年的一大亮点，之前多数都是65W、90W级别的，努比亚这款氘锋氮化镓三口充电器提升到了120W。
售价方面，120W氘锋氮化镓三口充电器为299元，官方还有65W氘锋氮化镓三口充电器、45W氘锋氮化镓双口充电器，售价分别是169、99元。
还提供了一款双头USB-C二合一数据线，支持5A电流及多协议快充，售价79元。
努比亚发布了一大波生产产品，其中120W氘锋氮化镓三口充电器仅售299元，2个USB-C、1个USB-A接口，体积比Macbook的96W充电器小了25%。氮化镓快充充电器是今年的一大亮点，之前多数都是65W、90W级别的，努比亚这款氘锋氮化镓三口充电器提升到了120W。
售价方面，120W氘锋氮化镓三口充电器为299元，官方还有65W氘锋氮化镓三口充电器、45W氘锋氮化镓双口充电器，售价分别是169、99元。
还提供了一款双头USB-C二合一数据线，支持5A电流及多协议快充，售价79元。
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